大学MOOC 模拟集成电路设计18微电子(苏州大学文正学院)1452072254 最新慕课完整章节测试答案

第一部分第一次测验

1、单选题：
‏题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是：     。​
选项：
A: 2016年7月 
B: 2017年7月 
C: 2016年9月     
D: 2017年9月
答案: 【 2016年7月 】

2、单选题：
‌题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是：     。‏
选项：
A: 资本密集
B: 技术密集    
C: 低风险
D: 高风险
答案: 【 低风险】

3、单选题：
‎题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：     个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。‌
选项：
A: 12     
B: 18   
C: 24    
D: 36
答案: 【 18   】

4、单选题：
‍题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：    。​
选项：
A: More Moore    
B: More than Moore    
C: Beyond CMOS  
D: SoC
答案: 【 SoC】

5、单选题：
‏题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：    。‎
选项：
A: LSI    
B: VLSI   
C: ULSI    
D: SoC
答案: 【 VLSI   】

6、单选题：
‎题1-1-6       年发明了世界上第一个点接触型晶体管。‎
选项：
A: 1947     
B: 1948    
C: 1957   
D: 1958
答案: 【 1947     】

7、单选题：
‎题1-1-7       年发明了世界上第一块集成电路。‍
选项：
A: 1957    
B: 1958   
C: 1959   
D: 1960
答案: 【 1958   】

8、单选题：
​题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是：     。​
选项：
A: 基尔比    
B: 摩尔    
C: 张忠谋    
D: 胡正明
答案: 【 胡正明】

9、单选题：
‏题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者：     。‍
选项：
A: 基尔比     
B: 摩尔    
C: 张忠谋    
D: 胡正明
答案: 【 张忠谋    】

10、单选题：
‌题1-1-10 世界第一块集成电路发明者：     。‌
选项：
A: 基尔比     
B: 摩尔    
C: 张忠谋    
D: 胡正明
答案: 【 基尔比     】

第二部分第一次测验

1、单选题：
题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。‌
选项：
A:   反型 
B: 夹断
C: 导电
D: 耗尽
答案: 【 夹断】

2、单选题：
‏题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。‍
选项：
A: 亚阈值区 
B: 深三极管区
C: 饱和区
D: 三极管区
答案: 【 饱和区】

3、单选题：
‌题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。‍
选项：
A: 电子
B: 空穴   
C: 正电荷
D: 负电荷
答案: 【 空穴   】

4、单选题：

‌题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。 

‍

‌

‍选项：
A: 增大 
B: 不变
C: 减小
D: 可大可小
答案: 【 增大 】

5、单选题：
‏题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。​​
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

6、单选题：
‎题2-1-2  MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是 （）‍
选项：
A: 导通
B: 耗尽
C: 反型
D: 夹断
答案: 【 反型】

7、单选题：
‏题2-1-5、载流子沟道在栅氧化层下形成 （），漏和源之间“导通”‏
选项：
A: 导电层
B: 反型层
C: 夹断层
D: 耗尽层
答案: 【 反型层】

8、单选题：
‌题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出的电流越理想。‎
选项：
A: 精确
B: 近似于W
C: 大
D: 小
答案: 【 精确】

9、单选题：
‎题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻Ro是由MOS管的（）效应产生的。​
选项：
A: 体
B: 衬底偏置
C: 亚阈值导通
D: 沟长调制
答案: 【 沟长调制】

10、单选题：

‌题2-1-6、下图中的MOS管工作于（）区（假定阈值电压为0.7V）

​

‌

​

‌

​选项：
A: 三极管区
B: 截止区
C: 饱和区
D: 深三极管区
答案: 【 饱和区】

第三部分第一次测验

1、单选题：
​题3-1-1 以下不是半导体材料的是：     。‍
选项：
A: Si     
B: Ge    
C: GaAs     
D: C
答案: 【 C】

2、单选题：
​题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是：     ‏
选项：
A: 超净     
B: 高精度    
C: 低精度     
D: 超纯
答案: 【 低精度     】

3、单选题：
​题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是：    。‏​‏
选项：
A: A、特征尺寸
B: 器件数量 
C: 互连线长度 
D: 互连线层数
答案: 【 A、特征尺寸】

4、单选题：
‍题3-1-4 以下不是光刻系统的主要指标的是：     。​
选项：
A: 分辨率     
B: 晶圆直径    
C: 焦深    
D: 对比度
答案: 【 晶圆直径    】

5、单选题：
‎题3-1-5 在光学曝光中，由于掩膜版的位置不同，又分为接触式曝光，接近式曝光和：       ‌
选项：
A: 投影式曝光     
B: X射线曝光    
C: 电子束曝光     
D: 离子束曝光
答案: 【 投影式曝光     】

6、单选题：
‏题3-1-6 下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是      。‌‏‌
选项：
A: 特征尺寸越来越小
B: 晶圆尺寸越来越小
C: 电源电压越来越低 
D: 时钟频率越来越高
答案: 【 晶圆尺寸越来越小】

7、单选题：
‌题3-1-7 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是：       。‌‌‌‌
选项：
A: A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状 
B: B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C: C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽       
D: D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
答案: 【 B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形】

8、单选题：
​题3-1-8 以下不是影响刻蚀质量的主要因素是：       。‎
选项：
A: 粘附性     
B: 刻蚀温度
C: 刻蚀时间     
D: 刻蚀槽的高度
答案: 【 刻蚀槽的高度】

9、单选题：
​题3-1-9 集成电路制造工艺中对刻蚀的要求包括：能得到想要的形状(斜面还是垂直图形)；过腐蚀最小(一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全)；         ；均匀性和重复性好；表面损伤小和清洁、经济、安全等。‍
选项：
A: 各向异性好
B:  选择性好
C:  各向同性好
D:  刻蚀速率快
答案: 【  选择性好】

10、单选题：
​题3-1-10 与湿法腐蚀比较，以下是干法刻蚀的优点是：       。‌
选项：
A: 保真度好，图形分辨率高；
B: 高选择比
C: 速度快
D: 设备简单
答案: 【 保真度好，图形分辨率高；】

第四单元第一次测验

1、单选题：
‏题4-1-1、随着微电子工艺水平提高,