大学MOOC 模拟电子技术基础(长沙理工大学)1206109801 最新慕课完整章节测试答案

随堂测验

1、单选题：
‎本课程采用了（ ）电子电路EDA仿真设计软件。‎
选项：
A: PSpice
B: EWB（也即Multisim）
C: Altium Designer （简称AD）
D: MATLAB
答案: 【 EWB（也即Multisim）】

2、单选题：
‌关于“以放大思维理顺《模电》内容”，下列说法中，不正确的是（ ）。‌
选项：
A: 模电第八章、正弦波信号发生器，只与振荡现象有关，与放大电路无关。
B: 模电的第一章、半导体器件，是构成放大电路的基础。第七章中的滤波电路，则是集成运放的线性应用。可见都与放大有关。
C: 《模电》的第十章、直流电源，其线性稳压电路，也可以当成是一个电压串联负反馈放大器来分析。
D: 《模电》第八章、波形的发生和信号的转换，不是以放大信号为目标，但仍是以放大电路作为基础的。
答案: 【 模电第八章、正弦波信号发生器，只与振荡现象有关，与放大电路无关。】

3、多选题：
‌放大电路是整个模拟电子线路的基础和单元电路，所以，学好模电要培养的能力为以下（ ）等方面。‌
选项：
A: 定性分析、估算放大电路的能力
B: 选择放大电路的结构，设计放大电路的相关参数的能力
C: 实践操作放大电路各种实验的能力
D: 计算机仿真分析设计放大电路的能力
答案: 【 定性分析、估算放大电路的能力;
选择放大电路的结构，设计放大电路的相关参数的能力;
实践操作放大电路各种实验的能力;
计算机仿真分析设计放大电路的能力】

4、多选题：
‎学《模电》难，可是，只要掌握以下（ ）等方法，就能做到“仔细研究放大，轻松学好模电”。​
选项：
A: 明确《模电》中“放大”的学习目标
B: 以放大的思维理顺放大理论
C: 从工程性的角度去理解放大理论
D: 掌握好《电路分析基础》，这门电子信息学科中最基础的课程。
答案: 【 明确《模电》中“放大”的学习目标;
以放大的思维理顺放大理论;
从工程性的角度去理解放大理论;
掌握好《电路分析基础》，这门电子信息学科中最基础的课程。】

5、判断题：
‏《模拟电子技术基础》课程是《电路分析基础》课程的基础。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
‌所谓工程性，就是要从满足工程需要的角度，去近似分析、估算放大电路。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‏EDA工具使电子电路和电子系统的设计，摒弃了靠硬件调试来达到设计目标的繁琐过程，实现了硬件设计的软件化。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‍以放大的思维理顺《模电》的放大理论，说明：《模电》的每个章节，或者以放大信号为目标，或者以放大电路为基础。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
​模电并不是讲授整个电子系统，只是重点讲授，电子系统的基础—放大电路而已。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‏学好《模拟电子技术基础》这门课程，就等同于掌握了整个电子信息系统。所以，学习过程中，要把电子系统中的每个问题都弄清楚。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第1章单元测验

1、单选题：
‏场效应管起放大作用时应工作在漏极输出特性曲线的（       ）。‏
选项：
A: 非饱和区
B: 饱和区
C: 截止区
D: 击穿区
答案: 【 饱和区】

2、单选题：
‏当NPN型晶体管工作在放大区时，各极直流电位关系为UC （  ）UB（  ）UE  。‌
选项：
A:  > 
B: < 
C: =
D: ≤
答案: 【  > 】

3、单选题：
​一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（       ） ‍
选项：
A: 大
B: 小
C: 相等
D: 无法确定
答案: 【 大】

4、单选题：
‏PN结加正向电压时，空间电荷区将（     ） ‎
选项：
A: 无法确定
B: 变窄
C: 基本不变
D: 变宽
答案: 【 变窄】

5、单选题：
‍下列器件不是非线性器件是（   ）‎
选项：
A: 二极管
B: 三极管
C: 场效应管
D: 理想电阻元件
答案: 【 理想电阻元件】

6、单选题：
‌某放大电路中，用万用表测得某三极管三个极的正常直流工作电压分别为10.3V、11V、3V，则该三极管为（   ）‍
选项：
A: NPN硅管
B: PNP硅管
C: NPN锗管 
D: PNP锗管
答案: 【 PNP硅管】

7、单选题：
‏半导体材料的价电子数目一般为（  ）。‎
选项：
A: 3个
B: 4个
C: 5个
D: 2个
答案: 【 4个】

8、单选题：
​下列关于载流子，说法不正确的是：（   ）‍
选项：
A: 能四处自由移动的带电粒子，就是载流子。
B: 自由电子是载流子。
C: 空穴是载流子。
D: 束缚电子能填补周边的空穴，从而能使空穴能四处移动，因此，束缚电子也是载流子。
答案: 【 束缚电子能填补周边的空穴，从而能使空穴能四处移动，因此，束缚电子也是载流子。】

9、单选题：
‏在杂质半导体中，温度变化时，______。‏
选项：
A:   载流子的数目不变化 。
B: 少子与多子变化的数目不相同 。
C: 少子与多子浓度的变化相同。
D: 多子浓度受温度的影响小，少子浓度受温度的影响大。
答案: 【 多子浓度受温度的影响小，少子浓度受温度的影响大。】

10、单选题：
‏下列关于PN结的反向特性，描述错误的是：（    ）‍
选项：
A: PN结加反向电压时，反向电流是由少子的漂移运动所形成的。
B: PN结反向饱和电流与温度有比较大的联系，与反偏电压的大小联系不大。
C: 因为少子的浓度低，很微小的反偏电压，就能把所有的少子形成反向电流，如果再增加反偏电压，由于没有可传输的少数载流子了，反向电流也几乎不再增加了。
D: 反偏电压大，反向饱和电流也会随之增大。
答案: 【 反偏电压大，反向饱和电流也会随之增大。】

11、单选题：

PN结的电流方程，也即伏安特性方程为：

​

下面描述错误的是：（    ）

​

‎

​选项：
A: 上式中，Is为PN结的反向饱和电流。
B: 上式中，UT 称为温度的电压当量，始终为一个常量值。
C: 为PN结正向特性的简化电流方程。
D: 为PN结反向特性的简化电流方程。
答案: 【 上式中，Is为PN结的反向饱和电流。】

12、单选题：

如图所示PN结的伏安特性曲线，下列描述不正确的是：（   ）

‍

‍选项：
A: PN结的伏安特性曲线，包含正偏、反偏和反向击穿等三个部分
B: 正偏特性曲线表明：PN结正偏时具有导通特性，且导通后具有小电压恒压特性。
C: 反偏特性曲线表明：PN结反偏时具有截止特性。
D: PN结的反向击穿特性具有恒压特性，并且是导通的。此时的反向电流仍是少子漂移形成的。
答案: 【 PN结的反向击穿特性具有恒压特性，并且是导通的。此时的反向电流仍是少子漂移形成的。】

13、单选题：
‎当PN结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目______漂移运动的载流子数目。‌
选项：
A: 大于
B: 等于
C: 小于
D: 无法比较
答案: 【 等于】

14、单选题：
​关于温度对二极管伏安特性曲线的影响，下列说法不正确的是：（   ）​
选项：
A: 温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电压值，温度升高，二极管两端电流要增加。
B: 温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电流值，温度升高，二极管两端电压要增加。
C: 温度升高时，二极管的反向特性下移幅度大，说明反向饱和电流增大得快，受温度影响大。这是因为温度升高，本征激发增强，导致二极管两个扩散区中的少子浓度增加所引起的。
D: 温度升高时，反向击穿电压值也下降了。
答案: 【 温度升高，二极管的正向特性曲线要向左边移动，也就是说，对于二极管两端固定的电流值，温度升高，二极管两端电压要增加。】

15、单选题：
‏最能体现二极管单向导电性，也即开关特性的参数是（   ），其值越小，说明开关特性越好。‍
选项：
A: 最大整流电流IF
B: 最高反向工作电压UR
C: 反向饱和电流IS
D: 最高工作频率fM
答案: 【 反向饱和电流IS】

16、单选题：

‌正向导通的二极管的交流等效电阻，下面描述不正确的是（   ）

‎选项：
A: UT是温度的电压当量值，因此，rd的大小与温度有关。
B: ID是二极管的直流静态电流值，说明，不同的静态工作点，rd的大小不同。
C: 二极管处于反向截止时，交流等效电阻。
D: 二极管的交流等效电阻，可近似认为是PN结的交流等效电阻。
答案: 【 二极管处于反向截止时，交流等效电阻。】

17、单选题：
‍下面关于稳压二极管的描述，不正确的是（   ）。‌
选项：
A: 稳压二极管是工作在反向击穿区的一类特殊二极管。
B: 稳压管反相击穿后，两端与反向击穿电压值近似相等的这个稳定电压值，称为稳压管的稳定电压UZ。
C: 稳压二极管的正向，反向特性和普通二极管一样，也是加正偏电压近似导通，加反偏电压近似截止，但稳压管的反向击穿电压较低，且反向击穿后的特性曲线更陡。
D: 稳压二极管反向击穿后，在任意电流范围内，均能实现稳压。
答案: 【 稳压二极管反向击穿后，在任意电流范围内，均能实现稳压。】

18、单选题：
‎需要了解稳压二极管的稳压性能时，主要需要查看稳压二极管的哪一个技术参数（   ）。‏
选项：
A: 稳定电压UZ
B: 稳定电流Izmin
C: 额定功耗Pzm
D: 动态电阻rz
答案: 【 动态电阻rz】

19、单选题：
‏下面关于变容二极管，描述不正确的是（   ）。‌
选项：
A: 变容二极管的结电容由扩散电容和势垒电容两部分组成。
B: 变容二极管是一个可受电压控制的线性电容。
C: 变容二极管主要考虑其结电容效应，结电容容值非常小，低频时，可近似为开路，只有在高频时，才体现其电容效应来。
D: 变容二极管由一个PN结所构成，其伏安特性曲线与普通二极管相似。
答案: 【 变容二极管是一个可受电压控制的线性电容。】

20、单选题：
​关于发光二极管，下面描述不正确的是（   ）。‎
选项：
A: 发光二极管也是由一个PN结所构成。发光原理是：PN结加正偏电压后，多子扩散加强，PN结中的电子和空穴复合后产生光子发光。
B: 发光二极管发光的颜色与半导体的材料有关，有多种颜色。发光二极管还可以制成各种形状。
C: 发光二极管的正向开启电压和导通电压与普通二极管差不多大。
D: 发光二极管需要足够大的正向电流，才会发光，工作电流一般在几mA至几十mA之间，正向电流越大，发光越强。
答案: 【 发光二极管的正向开启电压和导通电压与普通二极管差不多大。】

21、单选题：
‎下面关于光电二极管，描述错误的是（   ）。​
选项：
A: 光电二极管工作在第四象限时，是不需要外加电源的。
B: 在光电二极管内部，光电流的方向是从P区流向N区的。
C: 光电二极管在反偏电压下，受到光照，因本征激发而产生的反向电流称为光电二极管的光电流。
D: 光电二极管无光照时的反向电流称为光电二极管的暗电流。
答案: 【 在光电二极管内部，光电流的方向是从P区流向N区的。】

22、单选题：
‍设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是_____。‏
选项：
A:
B:
C:
D: 无法确定
答案: 【 】

23、单选题：
​稳压管的稳压区是其工作在_______。​
选项：
A: 正向导通区
B: 反向截止区
C: 反向击穿区
D: 无法确定
答案: 【 反向击穿区】

24、单选题：
‍当温度升高时，二极管的反向饱和电流将______。‌
选项：
A: 增大
B: 不变
C: 减小
D: 不能确定
答案: 【 增大】

25、单选题：
‎下面关于实际三极管的内部结构特点，描述不正确的是（   ）。‏
选项：
A: 基区要求较薄，且掺杂质浓度低。
B: 发射区，要求掺杂质浓度较高。
C: 任意三个掺杂质的区，具有二个PN结，引出三根导线电极，就能构成三极管的。
D: 集电区则要求集电结的结面积较宽。
答案: 【 任意三个掺杂质的区，具有二个PN结，引出三根导线电极，就能构成三极管的。】

26、单选题：
‏要想使三极管具有电流放大作用，所加的直流偏压，还需要符合一定的规则，即要保证（    ）。​
选项：
A: 反射结正偏，集电结正偏。
B: 反射结正偏，集电结反偏。
C: 反射结反偏，集电结反偏。
D: 反射结反偏，集电结正偏。
答案: 【 反射结正偏，集电结反偏。】

27、单选题：
‍下列关于三极管的电流放大系数，描述错误的是（    ）。‎
选项：
A: 三极管的共射极直流电流放大系数β ̅和共射极交流电流放大系数β，近似相等，工程近似分析计算中，可相互替代。
B: 三极管的共射极直流电流放大系数β ̅和共射极交流电流放大系数β，为描述三极管电流放大特性的不同物理量。
C: 三极管的共射极电流放大系数β和共基极电流放大系数α的相互关系为：β=α/（1+α）
D: 三极管的共基极电流放大系数α和共射极电流放大系数β的相互关系为：α=β/（1+β）
答案: 【 三极管的共射极电流放大系数β和共基极电流放大系数α的相互关系为：β=α/（1+α）】

28、单选题：
‌关于NPN型三极管的极间反向电压的大小，下列关系式正确的是（     ）。‎
选项：
A:   >  > 
B:   <  < 
C:   <  < 
D:   <  < 
答案: 【   >  > 】

29、单选题：
‍一般情况下，温度升高，下列哪一个电量或参数会下降，也即哪一个电量或参数具有负温度系数。（     ）​
选项：
A: 集电极电流 
B: 基极和发射极之间电压 
C: 电流放大系数 β
D: 穿透电流 
答案: 【 基极和发射极之间电压 】

30、单选题：
‏当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为______。‎
选项：
A: 前者反偏、后者也反偏
B: 前者正偏、后者反偏
C: 前者正偏、后者也正偏
D: D
答案: 【 前者正偏、后者反偏】

31、单选题：
​工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为______。​
选项：
A: 83
B: 91
C: 100
D: D
答案: 【 100】

32、单选题：
​三极管的三种直流工作状态分别是（    ）。‍
选项：
A: 导通状态、放大状态、截止状态
B: 饱和状态、放大状态、截止状态
C: 饱和状态、恒流状态、截止状态
D: 饱和状态、放大状态、开路状态
答案: 【 饱和状态、放大状态、截止状态】

33、单选题：
‎三极管的直流工作点落在三极管的输出特性曲线的放大区，则三极管处于（    ）。‏
选项：
A: 饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 恒流状态
答案: 【 放大状态】

34、单选题：
​下面各图中，可作为三极管直流放大模型的是（    ）。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

35、单选题：
​已知某一电路为模拟放大电路，对电路进行直流分析时，电路中的三极管应当选用什么模型来进行近似分析计算？（    ）‏
选项：
A: 饱和模型
B: 截止模型
C: 饱和模型或截止模型
D: 直流放大模型
答案: 【 直流放大模型】

36、单选题：
‍已知某一电路为数字脉冲电路，对电路中的三极管进行直流近似分析计算时，应选择什么直流模型？（      ）‌
选项：
A: 饱和模型
B: 截止模型
C: 饱和模型或截止模型
D: 直流放大模型
答案: 【 饱和模型或截止模型】

37、单选题：

‏现已测得某电路中，一只NPN型三极管的三个电极的直流电位分别为：，，。试判别三极管工作在什么状态？（    ）

‎选项：
A: 放大状态
B: 截止状态
C: 无法判别
D: 饱和状态
答案: 【 放大状态】

38、单选题：

放大电路中的三极管三根端线的直流电位值如下图所示，分别是11.8V，12V，15V，则此三极管的（     ）。

‍

‍

‌

‍选项：
A: ，为PNP型锗三极管。
B: ，为NPN型锗三极管。
C: ，为NPN型锗三极管。
D: ，为PNP型锗三极管。
答案: 【 ，为NPN型锗三极管。】

39、单选题：
‍在低频信号范围内，三极管是一种_______的双极型器件，场效应管则是一种________的单极型器件。（       ）‎
选项：
A: 电流控制电流      电流控制电流
B: 电压控制电流      电流控制电流
C: 电压控制电流      电压控制电流
D: 电流控制电流      电压控制电流
答案: 【 电流控制电流      电压控制电流】

40、单选题：
下面哪一个符号代表着P沟通结型场效应管（     ）。‍‍‍
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

41、单选题：

下面两个图形为UGS一定的情况下，UDS对结型场效应管导电沟道的影响情况。下面描述不正确的是（     ）。

‎

和

‎

‏

‎选项：
A: 左图表明，UDS为零时，结型场效应管d、s两端的耗尽层以及导电沟道，上下对称.
B: 右图表明，UDS不为零时，UDS沿着结型场效应管内部的导电沟道电阻，自上而下分压，即导电沟道中，越靠近d端的点的电压越高，越靠近s端的点的电压越低，也即UGD的绝对值要大于UGS的绝对值。
C: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的耗尽层越窄，越靠近s端的耗尽层越宽。
D: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的导电沟道越窄，越靠近s端的导电沟道越宽，整个导电沟道形成楔形。
答案: 【 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的耗尽层越窄，越靠近s端的耗尽层越宽。】

42、单选题：
‎下面哪一个符号代表着N沟通耗尽型绝缘栅型场效应管（     ）。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

43、单选题：
​下面哪一个符号代表着N沟通增强型绝缘栅型场效应管（     ）。‍
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

44、单选题：

如下两图为UGS在大于UGS（TH）的范围内变化，且UDS已使得导电沟道预夹断了，且为某一定值时，UGS控制ID的情况。下列文字描述不正确的是（      ）。

‏

‏

和

‏

‏

‏选项：
A: 左图中，UGS大于开启电压，但还是比较小，因此，预夹断区比较短
B: 右图中，UGS大于开启电压，但已比左图大，因此，预夹断区明显增长了
C: 右图比左图的导电沟道电阻大，ID电流也大一些。
D: 两图说明，UGS的变化能控制ID的变化，从而能实现ID对UGS的放大作用。
答案: 【 右图比左图的导电沟道电阻大，ID电流也大一些。】

45、多选题：
​《模电》中，半导体器件的基础知识包含以下哪几个部分:（    ）‌
选项：
A: 模拟放大电路
B: 集成运算放大器
C: 半导体材料
D: 半导体PN结
答案: 【 半导体材料;
半导体PN结】

46、多选题：
‎下面关于本征半导体导电性的说法，正确的是：（   ）‍
选项：
A: 本征半导体在绝对温度为0K时，几乎不产生电子-空穴对，因此，不导电。
B: 温度升高，本征半导体本征激发，产生电子-空穴对，能导电。
C: 光照增强，本征半导体本征激发，产生电子-空穴对，能导电。
D: 一定温度下，本征激发和复合，同时进行，动态平衡时，电子-空穴对为零，不导电。
答案: 【 本征半导体在绝对温度为0K时，几乎不产生电子-空穴对，因此，不导电。;
温度升高，本征半导体本征激发，产生电子-空穴对，能导电。;
光照增强，本征半导体本征激发，产生电子-空穴对，能导电。】

47、多选题：
‏下列关于杂质半导体，说法正确的是：（   ）‍
选项：
A: P型半导体的多子是空穴，N型半导体的少子也是空穴。
B: P型半导体带正电荷，N型半导体带负电荷。
C: P型半导体的受主负离子和N型半导体的施主正离子均为载流子。
D: N型半导体的多子是自由电子，P型半导体的少子也是自由电子。
答案: 【 P型半导体的多子是空穴，N型半导体的少子也是空穴。;
N型半导体的多子是自由电子，P型半导体的少子也是自由电子。】

48、多选题：
‎下列关于PN结的形成，说法正确的是：（   ）‌
选项：
A: PN结是由于P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面处所形成的。
B: 多子的扩散运动和少子的漂移运动，达到动态平衡，形成了PN结。
C: 动态平衡后，空间电荷区中，包含有静止的自由电子-空穴对，以及静止的正、负杂质离子。
D: 空间电荷区中存在内电场，也称为势垒区。
答案: 【 PN结是由于P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面处所形成的。;
多子的扩散运动和少子的漂移运动，达到动态平衡，形成了PN结。;
空间电荷区中存在内电场，也称为势垒区。】

49、多选题：
‎下列关于PN结的单向导电性，正确的是：（  ）‏
选项：
A: PN结的P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为PN结接正向电压或正偏。
B: PN结的P区接电源的负极，N区接电源的正式极，称为PN结接反向电压或反偏。
C: PN结正偏时，正向电流大，直流等效电阻小，交流等效电阻也小。
D: PN结反偏时，反向电流小，直流等效电阻大，交流等效电阻也大。
答案: 【 PN结的P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为PN结接正向电压或正偏。;
PN结的P区接电源的负极，N区接电源的正式极，称为PN结接反向电压或反偏。;
PN结正偏时，正向电流大，直流等效电阻小，交流等效电阻也小。;
PN结反偏时，反向电流小，直流等效电阻大，交流等效电阻也大。】

50、多选题：
​下面关于PN结外加正向电压时的特性，描述正确的是：（   ）‎
选项：
A: PN结外加正向电压时，外电场只要稍微大于内电场，扩散电流就会形成比较大的正向电流。
B: PN结外加正向电压时，电源需要通过限流电阻串联加至PN结。这样，正向电流大时，限流电阻的电压也大，从而限制了PN结的正向电压，也就限制了正向电流。
C: 由于PN结的内部势垒电场往往比较小，因此，通过限流电阻加正向电压时，PN结的正向导通电压降也比较小，正向电流也不会过大。
D: PN结通过限流电阻加正向电压时，限流电阻不起任何作用，可省略。
答案: 【 PN结外加正向电压时，外电场只要稍微大于内电场，扩散电流就会形成比较大的正向电流。;
PN结外加正向电压时，电源需要通过限流电阻串联加至PN结。这样，正向电流大时，限流电阻的电压也大，从而限制了PN结的正向电压，也就限制了正向电流。;
由于PN结的内部势垒电场往往比较小，因此，通过限流电阻加正向电压时，PN结的正向导通电压降也比较小，正向电流也不会过大。】

51、多选题：
‍下面关于PN结的反向击穿特性，描述正确的是：（   ）‍
选项：
A: PN结有齐纳击穿和雪崩击穿两种电击穿。电击穿后会产生大量的电子-空穴对，使反向击穿电流激增。
B: 高浓度的掺入杂质且耗尽层很窄的PN结反向电击穿时，一般为齐纳击穿。
C: 低浓度的掺入杂质且耗尽层比较宽的PN结反向电击穿时，一般为雪崩击穿。
D: 电击穿和热击穿均为可逆的击穿，不会损坏PN结。
答案: 【 PN结有齐纳击穿和雪崩击穿两种电击穿。电击穿后会产生大量的电子-空穴对，使反向击穿电流激增。;
高浓度的掺入杂质且耗尽层很窄的PN结反向电击穿时，一般为齐纳击穿。;
低浓度的掺入杂质且耗尽层比较宽的PN结反向电击穿时，一般为雪崩击穿。】

52、多选题：
​关于PN结的电容效应，下面描述正确的是：（   ）‌
选项：
A: PN结的电容效包含有势垒电容效应和扩散电容效应
B: 利用PN结加反向电压时，势垒电容Cb随反向电压u变化的特性，可制成各种变容二极管
C: PN结电容效应很小，只有在高频交流信号作用下，才会表现出来
D: 非平衡少子的电荷量随两端电压的变化而变化，相当于电容的充放电过程，就形成扩散电容
答案: 【 PN结的电容效包含有势垒电容效应和扩散电容效应;
利用PN结加反向电压时，势垒电容Cb随反向电压u变化的特性，可制成各种变容二极管;
PN结电容效应很小，只有在高频交流信号作用下，才会表现出来;
非平衡少子的电荷量随两端电压的变化而变化，相当于电容的充放电过程，就形成扩散电容】

53、多选题：
‍关于二极管的结构，下面描述正确的是：（   ）‌
选项：
A: 一个PN结加上封装和两根引线，就可以构成二极管。
B: 二极管有两个电极，正极或称为阳极与二极管中的PN结的P区相连。负极或称为阴极与二极管中的PN结的N区相连。
C: 二极管的三种常见实际结构类型，为点接触型，面接触型，和平面型二极管。
D: 面接触型二极管的PN结结面积大，能够通过较大的电流，但其结电容大，因而只能在较低频率下工作，仅作为整流管使用。
答案: 【 一个PN结加上封装和两根引线，就可以构成二极管。;
二极管有两个电极，正极或称为阳极与二极管中的PN结的P区相连。负极或称为阴极与二极管中的PN结的N区相连。;
二极管的三种常见实际结构类型，为点接触型，面接触型，和平面型二极管。;
面接触型二极管的PN结结面积大，能够通过较大的电流，但其结电容大，因而只能在较低频率下工作，仅作为整流管使用。】

54、多选题：

如图为二极管的伏安特性曲线，下面关于它的描述，正确的是：（   ）

‍

‍

‍

‍选项：
A: 二极管的伏安特性曲线和PN结的伏安特性曲线很相似。
B: 二极管的正向特性中，外加正向电压必须要大于PN结的势垒电压，才能形成较大的扩散电流，即形成正向电流，因此，二极管正向特性中有一个开启电压。开启电压的值近似等于PN结的势垒电压。
C: 二极管正向导通后，两端很小的电压变化，能引起两端较大的电流变化。因此，二极管正向导通电压降可近似为一个恒定值，这个值一般比较小，略大于PN结的势垒电压，也即略大于开启电压。
D: 普通二极管只工作在二极管的正向导通和反向截止的特性上，特殊的稳压二极管才工作在二极管的反向击穿的恒压特性上。
答案: 【 二极管的伏安特性曲线和PN结的伏安特性曲线很相似。;
二极管的正向特性中，外加正向电压必须要大于PN结的势垒电压，才能形成较大的扩散电流，即形成正向电流，因此，二极管正向特性中有一个开启电压。开启电压的值近似等于PN结的势垒电压。;
二极管正向导通后，两端很小的电压变化，能引起两端较大的电流变化。因此，二极管正向导通电压降可近似为一个恒定值，这个值一般比较小，略大于PN结的势垒电压，也即略大于开启电压。;
普通二极管只工作在二极管的正向导通和反向截止的特性上，特殊的稳压二极管才工作在二极管的反向击穿的恒压特性上。】

55、多选题：
‏下面关于硅、锗二极管伏安特性的比较，描述错误的是：（   ）‍
选项：
A: 硅二极管的导通压降比锗二极管的大，但硅二极管的开启电压比锗二极管的小。
B: 硅二极管的导通压降和开启电压均比锗二极管的大。
C: 硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的小。
D: 一般情况下，硅二极管的反向击穿电压一般比锗二极管的小一些。
答案: 【 硅二极管的导通压降比锗二极管的大，但硅二极管的开启电压比锗二极管的小。;
一般情况下，硅二极管的反向击穿电压一般比锗二极管的小一些。】

56、多选题：
​关于二极管的模型，下面描述正确的是：（   ）‍
选项：
A: 二极管是非线性元件，需要建立其线性模型，才能方便用线性电路理论进行分析。
B: 二极管的模型，可分直流模型和交流模型。
C: 二极管在不同的工作状态下，又有不同的直流模型。
D: 近似线性化的程度不同，二极管的直流线性模型也不同。
答案: 【 二极管是非线性元件，需要建立其线性模型，才能方便用线性电路理论进行分析。;
二极管的模型，可分直流模型和交流模型。;
二极管在不同的工作状态下，又有不同的直流模型。;
近似线性化的程度不同，二极管的直流线性模型也不同。】

57、多选题：
​依据二极管的不同工作状态，也就是对应着伏安特性曲线上的不同线段。同时，还依据每一个线段的线性化近似程度的不同。可把二极管等效成下列那些电路模型（    ）。‌
选项：
A: 理想化近似，反向截止时，开路元件
B: 理想化近似，正向导通时，短路元件
C: 导通时，电压源和电阻元件的串联
D: 截止时，高阻值电阻元件
答案: 【 理想化近似，反向截止时，开路元件;
理想化近似，正向导通时，短路元件;
导通时，电压源和电阻元件的串联;
截止时，高阻值电阻元件】

58、多选题：
‍包含二极管的直流电阻性电路的近似分析计算，一般需要包含以下哪些步骤（   ）。‍
选项：
A: 首先，有选择、有序地断开电路中的一个二极管。
B: 计算断开二极管后的电路断开端的电压值。
C: 判定断开端的电压值是使二极管导通还是截止。从而能依据所需近似的程度，选择相应的二极管分段直流线性模型，进行等效替换。
D: 重新选择下一个二极管，进行判定二极管的工作状态，选择相应的模型替代。如此下去，直到所有二极管都替代完成，就可用电路理论进行分析计算了。
答案: 【 首先，有选择、有序地断开电路中的一个二极管。;
计算断开二极管后的电路断开端的电压值。;
判定断开端的电压值是使二极管导通还是截止。从而能依据所需近似的程度，选择相应的二极管分段直流线性模型，进行等效替换。;
重新选择下一个二极管，进行判定二极管的工作状态，选择相应的模型替代。如此下去，直到所有二极管都替代完成，就可用电路理论进行分析计算了。】

59、多选题：
​下面关于二极管的交流等效模型，描述正确的是：（   ）。​
选项：
A: 实际应用中，二极管有时需要在给定的直流静态工作点的基础上，建立它的交流模型的。
B: 二极管的交流模型定义为一个交流等效电阻，其值定义为
C: 依据二极管的交流模型的定义，二极管处在反向截止区时，二端电压的变化值△u为有限值，而二端电流的变化值△i近似为无穷小，于是反向截止区的交流等效电阻近似为无穷大。
D: 二极管导通后的交流等效电阻始终为一个常数值。
答案: 【 实际应用中，二极管有时需要在给定的直流静态工作点的基础上，建立它的交流模型的。;
二极管的交流模型定义为一个交流等效电阻，其值定义为;
依据二极管的交流模型的定义，二极管处在反向截止区时，二端电压的变化值△u为有限值，而二端电流的变化值△i近似为无穷小，于是反向截止区的交流等效电阻近似为无穷大。】

60、多选题：

‍稳压二极管的最大稳定电流，主要由下列哪些技术参数所决定。

‌选项：
A: 稳定电压
B: 稳定电流
C: 额定功耗
D: 动态电阻
答案: 【 稳定电压;
额定功耗】

61、多选题：
​下面关于光电二极管，描述正确的是（   ）。‎
选项：
A: 光电二极管工作在伏安特性曲线的第四象限时，呈现出光电池的特性。
B: 光电二极管工作在伏安特性曲线的第三象限时，可等效成一个受光照度控制的线性恒流源。
C: 光照度增大，由于本征激发加强，光电二极管的伏安特性曲线是随光照度增大而下移的一组近似于互相平行的曲线。
D: 无光照的光电二极管与普通二极管一样，具有单向导电性。
答案: 【 光电二极管工作在伏安特性曲线的第四象限时，呈现出光电池的特性。;
光电二极管工作在伏安特性曲线的第三象限时，可等效成一个受光照度控制的线性恒流源。;
光照度增大，由于本征激发加强，光电二极管的伏安特性曲线是随光照度增大而下移的一组近似于互相平行的曲线。;
无光照的光电二极管与普通二极管一样，具有单向导电性。】

62、多选题：
‌下列关于三极管的结构，描述正确的是（   ）。‌
选项：
A: NPN型三极管的半导体晶片上的三个杂质区，分别是N区，P区，N区，相对应地，分别称之为集电区，基区，发射区。
B: 按掺杂区域的类型，三极管可分为NPN型和PNP型两大类。
C: 三极管有三个电极，分别为基极B、集电极C、反射极E。
D: 三极管有二个PN结，分别为集电结、反射结。
答案: 【 NPN型三极管的半导体晶片上的三个杂质区，分别是N区，P区，N区，相对应地，分别称之为集电区，基区，发射区。;
按掺杂区域的类型，三极管可分为NPN型和PNP型两大类。;
三极管有三个电极，分别为基极B、集电极C、反射极E。;
三极管有二个PN结，分别为集电结、反射结。】

63、多选题：
‏三极管具有下列哪一些作用（    ）。‌
选项：
A: 电流放大作用
B: 电压放大作用
C: 开关作用
D: 恒流作用
答案: 【 电流放大作用;
开关作用;
恒流作用】

64、多选题：
‏三极管在外加发射结正偏、集电结反偏的偏置电压的情况下，内部载流子传输分配情况描述如下，正确的是（    ）。​
选项：
A: 掺杂浓度高的发射区，在正偏电压的作用下，扩散运动形成了比较大的发射极电流Ie的主体。
B: 掺杂浓度低且薄的基区，在正偏电压的作用下，扩散运动形成了比较小的基极电流Ib的主体。
C: 基区堆枳的大量的少数载流子，被结面积宽的集电结反偏电压所收集，漂移运动形成了比较大的集电极电流Ic的主体。
D: 集电结区本身的少子形成漂移电流ICBO，此电流越小越好。
答案: 【 掺杂浓度高的发射区，在正偏电压的作用下，扩散运动形成了比较大的发射极电流Ie的主体。;
掺杂浓度低且薄的基区，在正偏电压的作用下，扩散运动形成了比较小的基极电流Ib的主体。;
基区堆枳的大量的少数载流子，被结面积宽的集电结反偏电压所收集，漂移运动形成了比较大的集电极电流Ic的主体。;
集电结区本身的少子形成漂移电流ICBO，此电流越小越好。】

65、多选题：
‎在三极管发射结正偏、集电结反偏的情况下，下面关于三极管三极的电流，描述正确的是（    ）。‌
选项：
A: 三极管的发射极电流Ie = 集电极电流Ic + 基极电流Ib
B: 工程应用中，可忽略基极电流Ib，近似认为发射极电流Ie = 集电极电流Ic
C: 直流集电极电流Ic远大于直流基极电流Ib，且 Ic = β ̅Ib，说明，三极管具有直流电流放大能力。
D: 交流集电极电流ic远大于交流基极电流ib，且 ic = βib，说明，三极管具有交流电流放大能力。
答案: 【 三极管的发射极电流Ie = 集电极电流Ic + 基极电流Ib;
工程应用中，可忽略基极电流Ib，近似认为发射极电流Ie = 集电极电流Ic;
直流集电极电流Ic远大于直流基极电流Ib，且 Ic = β ̅Ib，说明，三极管具有直流电流放大能力。;
交流集电极电流ic远大于交流基极电流ib，且 ic = βib，说明，三极管具有交流电流放大能力。】

66、多选题：
‌关于三极管的输入伏安特性曲线，下面说法正确的是（    ）。‏
选项：
A: 三极管的输入特性曲线，定义为：保持  两端电压为某常数， 随  变化的曲线。
B:  两端电压变化时， 随  变化的曲线也变化。可见，三极管的输入特性曲线是一簇曲线。
C: 增大且为常数时，则其对应的输入特性曲线，仍旧是按指数规律变化，只是整个曲线向右平移。
D: 大于1V以后，三极管的输入特性曲线近似是多根曲线重叠的一根曲线。
答案: 【 三极管的输入特性曲线，定义为：保持  两端电压为某常数， 随  变化的曲线。;
 两端电压变化时， 随  变化的曲线也变化。可见，三极管的输入特性曲线是一簇曲线。;
增大且为常数时，则其对应的输入特性曲线，仍旧是按指数规律变化，只是整个曲线向右平移。;
大于1V以后，三极管的输入特性曲线近似是多根曲线重叠的一根曲线。】

67、多选题：
‏关于三极管输入特性曲线的特点，下面描述正确的是（    ）。‍
选项：
A: 硅三极管导通压降约为0.3V，锗约为0.7V。
B: 三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个开启电压。
C: 三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个导通电压。
D: 三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有二种状态，即截止状态和导通状态。
答案: 【 三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个开启电压。;
三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有一个导通电压。;
三极管输入特性曲线表明：三极管的输入端有二种状态，即截止状态和导通状态。】

68、多选题：
‎下面关于三极管的输出特性曲线，描述正确的是（    ）。‌
选项：
A: 三极管的输出特性曲线是指：保持  为某些固定值， 随  的变化而变化的曲线。
B: 三极管的输出特性曲线是不同的  下， 随  变化的一簇曲线。
C: 不同的 ，对应着不同的临界饱和点和不同的临界饱和电压值。通常，临界饱和电压值都比较大。
D: 不同的 ， 随  的变化规律很相似。
答案: 【 三极管的输出特性曲线是指：保持  为某些固定值， 随  的变化而变化的曲线。;
三极管的输出特性曲线是不同的  下， 随  变化的一簇曲线。;
不同的 ， 随  的变化规律很相似。】

69、多选题：
‏下面关于三极管的输出特性曲线的特点，描述正确的是（      ）。‏
选项：
A: 依据输出特性曲线上的临界饱和线和截止线，可划分三极管的三个工作区，即饱和区、放大区和截止区。工作在上述三个区域的三极管均具有电流放大作用。
B: 临界饱和线左上的区域，称为饱和区。处于饱和区的三极管，C和E之间，具有低阻短路特性和作用。
C: 临界饱和线和截止线之间的区域，称为放大区。处于放大区的三极管，具有集电极电流放大基极电流的电流放大作用，且具有恒流作用。
D: 截止线以下的区域，称为截止区。处于截止区的三极管，C和E之间，具有高阻开路特性和作用。
答案: 【 临界饱和线左上的区域，称为饱和区。处于饱和区的三极管，C和E之间，具有低阻短路特性和作用。;
临界饱和线和截止线之间的区域，称为放大区。处于放大区的三极管，具有集电极电流放大基极电流的电流放大作用，且具有恒流作用。;
截止线以下的区域，称为截止区。处于截止区的三极管，C和E之间，具有高阻开路特性和作用。】

70、多选题：
‌下列关于三极管工作状态及作用的描述，正确的是（      ）。‎
选项：
A: 三极管工作在饱和状态，起开关作用时，发射结正偏，集电结也正偏。
B: 三极管工作在放大状态，起放大作用时，发射结正偏，集电结反偏。
C: 三极管工作在截止状态，起开关作用时，发射结反偏，集电结也反偏。
D: 三极管工作在放大状态，起恒流作用时，发射结正偏，集电结反偏。
答案: 【 三极管工作在饱和状态，起开关作用时，发射结正偏，集电结也正偏。;
三极管工作在放大状态，起放大作用时，发射结正偏，集电结反偏。;
三极管工作在截止状态，起开关作用时，发射结反偏，集电结也反偏。;
三极管工作在放大状态，起恒流作用时，发射结正偏，集电结反偏。】

71、多选题：
​PNP型三极管的反射结正偏，集电结反偏的数学表达式是（    ）。‏
选项：
A: UCB>0，UBE>0
B: UBE<0,UCB<0
C: UC>UB>UE
D: UC<UB<UE
答案: 【 UBE<0,UCB<0;
UC<UB<UE】

72、多选题：
‍P沟道结型场效应管的结构，包含了以下哪些主要部分（      ）。‏
选项：
A: 三个半导体杂质区，其中两个N区，一个P区。
B: 三个电极，分别为栅极g、源极s、漏极d。
C: 两个PN结，分别是发射结和集电结。
D: 两个PN结耗尽层。
答案: 【 三个半导体杂质区，其中两个N区，一个P区。;
三个电极，分别为栅极g、源极s、漏极d。;
两个PN结耗尽层。】

73、多选题：
‍结型场效应管与三极管一样，起放大作用时，也需要加上合适的直流偏置电压。下面关于直流偏置电压的描述，正确的是（    ）。‎
选项：
A: 在栅极与源极之间加一个能使两个PN结反偏的直流偏压 。
B: 对于N沟道， 要小于0，才能保证PN结反偏；对于P沟道， 要大于0，才能保证PN结反偏。
C: 在漏极和源极之间也要加上能使两个PN结反偏的直流偏压 。
D: 对于N沟道， 要大于0，才能保证PN结反偏；对于P沟道， 要小于0，才能保证PN结反偏。
答案: 【 在栅极与源极之间加一个能使两个PN结反偏的直流偏压 。;
对于N沟道， 要小于0，才能保证PN结反偏；对于P沟道， 要大于0，才能保证PN结反偏。;
在漏极和源极之间也要加上能使两个PN结反偏的直流偏压 。;
对于N沟道， 要大于0，才能保证PN结反偏；对于P沟道， 要小于0，才能保证PN结反偏。】

74、多选题：
‎要使结型场效应管具有放大作用，所外加的直流偏置电压的数学表达式，下面正确的表达式是（    ）。‌
选项：
A: 对于N沟道，UGS<0,UDS>0。
B: 对于N沟道，UD>US>UG。
C: 对于P沟道，UGS>0,UDS<0。
D: 对于P沟道，UD<US<UG。
答案: 【 对于N沟道，UGS<0,UDS>0。;
对于N沟道，UD>US>UG。;
对于P沟道，UGS>0,UDS<0。;
对于P沟道，UD<US<UG。】

75、多选题：

下面两图描述了漏源电压UDS比较小时，栅源电压UGS对漏源电流ID的控制作用。关于两图的描述，正确的是（    ）。

‏

和

‏

‏

‏选项：
A: 右图中的UGS的绝对值比左图中的大一些。
B: 右图中的耗尽层比左图中的窄一些。
C: 右图中的沟导电阻比左图中的小一些。
D: 假设两图的UDS相等，则右图中的漏极电流ID比左图中的小一些。
答案: 【 右图中的UGS的绝对值比左图中的大一些。;
右图中的沟导电阻比左图中的小一些。】

76、多选题：

下面三个图形，描述了结型场效应管UDS=0V时，UGS对导电沟道的控制作用，下列文字描述正确的是（     ）。

‎

‎

‏

‎选项：
A: 左图表明，UGS等于0时，结型场效应管的耗尽层最窄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。
B: 中图表明，随着UGS绝对值的增加，结型场效应管的耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻变大。
C: 右图表明，UGS的绝对值增加到某一值时，结型场效应管的耗尽层最宽，导电沟道变为零，沟道电阻变为最大。
D: 右图的状况，称为结型效应管的全夹断，UGS对应的某一值，称为夹断电压，表明，结型场效应管具有可控的开路特性。
答案: 【 左图表明，UGS等于0时，结型场效应管的耗尽层最窄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。;
中图表明，随着UGS绝对值的增加，结型场效应管的耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻变大。;
右图表明，UGS的绝对值增加到某一值时，结型场效应管的耗尽层最宽，导电沟道变为零，沟道电阻变为最大。;
右图的状况，称为结型效应管的全夹断，UGS对应的某一值，称为夹断电压，表明，结型场效应管具有可控的开路特性。】

77、多选题：

下面三个图形为结型场效应管栅源电压UGS取值为夹断电压UGS（off）—0之间的某一固定值时，漏极电流ID随漏源电压UDS的变化的情况。下列文字描述正确的是（    ）。

‎

‎

​

‎选项：
A: 左图表明，UGS并没有使导电沟道全夹断，同时，所加的UDS电压也比较小，整个导电沟道是畅通的。漏极电流ID随漏源电压UDS的变化而显著变化。
B: 左图的状态，UDS比较小，导电沟道畅通，沟道电阻小，表明结型场效应管漏极d与源极s之间具有短路特性。
C: 中图表明，UDS增大到一定的时候，导电沟道靠近漏极端的地方会出现一个夹断，称为预夹断。预夹断后的导道沟道成楔形，此时的漏极电流ID被阻断为零。
D: 右图表明，随着UDS的增加，预夹断会向下稍微拉长，导电沟道几乎不变，沟道电阻也不变；UDS增加的电压，会降落在预夹断区，导电沟道两端的电压也不变，因此，漏极电流ID几乎不变，结型场效应管的ID体现了恒流特性。
答案: 【 左图表明，UGS并没有使导电沟道全夹断，同时，所加的UDS电压也比较小，整个导电沟道是畅通的。漏极电流ID随漏源电压UDS的变化而显著变化。;
左图的状态，UDS比较小，导电沟道畅通，沟道电阻小，表明结型场效应管漏极d与源极s之间具有短路特性。;
右图表明，随着UDS的增加，预夹断会向下稍微拉长，导电沟道几乎不变，沟道电阻也不变；UDS增加的电压，会降落在预夹断区，导电沟道两端的电压也不变，因此，漏极电流ID几乎不变，结型场效应管的ID体现了恒流特性。】

78、多选题：

下面二图描述的为：当漏源电压UDS取值为预夹断后的某些值时，漏极电流ID对栅源电压UGS的放大作用。图中，左图中的UGS