大学MOOC 模拟电子技术(郑州科技学院)1450300453 最新慕课完整章节测试答案
第1章常用半导体器件
1.常用半导体器件单元基础测试
1、单选题:
在放大电路中,测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、9V,则这三个管脚分别是( )。
选项:
A: C、B、E
B: E、B、C
C: B、C、E
D: C、E、B
答案: 【 E、B、C】
2、单选题:
得晶体管三个电极的静态电流分别为0.04mA、2mA和2.04mA。则该管的β为( )。
选项:
A: 100
B: 51
C: 50
D: 1.02
答案: 【 50】
3、单选题:
在本征半导体中掺入( )构成P型半导体。
选项:
A: 3价元素
B: 4价元素
C: 5价元素
D: 6价元素
答案: 【 3价元素 】
4、单选题:
当PN结加正向电压时,空间电荷区将()
选项:
A: 变窄
B: 变宽
C: 基本不变
D: 不确定
答案: 【 变窄】
5、单选题:
半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()
选项:
A: 反向偏置击穿状态
B: 反向偏置未击穿状态
C: 正向偏置导通状态
D: 正向偏置未导通状态
答案: 【 反向偏置击穿状态】
6、单选题:
用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为()
选项:
A: 正、反向电阻相等
B: 正向电阻大,反向电阻小
C: 反向电阻比正向电阻大很多倍
D: 正、反向电阻都等于无穷大
答案: 【 反向电阻比正向电阻大很多倍】
7、多选题:
![]()
选项:
A: a
B: b
C: c
D: d
答案: 【 b;
d】
8、多选题:
![]()
选项:
A: a
B: b
C: c
D: d
答案: 【 a;
d】
9、多选题:
![]()
选项:
A: a
B: b
C: c
D: d
答案: 【 a;
c】
10、多选题:
下列关于普通二极管正确的说法有( )。
选项:
A: 具有单向导电性
B: 导通后压降几乎恒定,且与材料有关
C: 导通后压降几乎恒定,且与材料无关
D: 反向击穿后可以稳压
答案: 【 具有单向导电性;
导通后压降几乎恒定,且与材料有关】
11、判断题:
只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
12、判断题:
在FET内部,多子与少子都参与导电。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
13、判断题:
PN结正偏时,P接电源正极,N接电源负极。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
14、判断题:
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、判断题:
发射结正偏的三极管一定工作在放大状态。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
16、填空题:
晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区,在模拟电子电路中,要实现放大,晶体管应工作在( )区。
答案: 【 放大】
17、填空题:
常温下,硅二极管的门槛电压约为()V。
答案: 【 0.5】
18、填空题:
晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是( )区、()区、()区。
答案: 【 放大 饱和 截止】
19、填空题:
场效应管从结构上可分为两大类:()管、()管;根据导电沟道的不同又可分为()沟道、()沟道两类
答案: 【 MOS;结型;N;P】
20、填空题:
三极管实现放大作用的外部条件是()。
答案: 【 发射结正偏,集电结反偏】
BJT的低频小信号模型
1、判断题:
BJT的低频小信号模型是直流模型。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
BJT的分析举例
1、单选题:
在放大电路中,测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、9V,则6.7V对应的管脚是( )
选项:
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 不确定
答案: 【 基极】
BJT的工作原理
1、单选题:
晶体管能够放大的外部条件是( )。
选项:
A: 发射结正偏,集电结正偏
B: 发射结正偏,集电结反偏
C: 发射结反偏,集电结正偏
D: 发射结反偏,集电结反偏
答案: 【 发射结正偏,集电结反偏】
BJT的输入输出特性
1、填空题:
晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区,在模拟电子电路中,要实现放大,晶体管应工作在( )区。
答案: 【 放大】
JFET的工作原理与特性曲线
1、单选题:
工作中JFET源极电流等于漏极电流,这一电流( )。
选项:
A: 穿过一个PN结
B: 穿过一对背向PN结
C: 不穿过任何PN结,但穿过导电沟道
D: 穿过一对反偏的 PN结
答案: 【 穿过一对反偏的 PN结 】
MOS管的结构与工作原理
1、多选题:
UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 ( ) 。
选项:
A: 增强型NMOS
B: 增强型PMOS
C: 耗尽型NMOS
D: 耗尽型PMOS
答案: 【 耗尽型NMOS;
耗尽型PMOS】
PN结的形成及其单向导电性
1、单选题:
当PN结加正向电压时,空间电荷区将( )。
选项:
A: 变窄
B: 变宽
C: 基本不变
D: 不确定
答案: 【 变窄】
二极管典型应用电路举例
1、单选题:
在下图中,二极管D1、D2的工作状态是( )。
选项:
A: D1、D2均导通
B: D1、D2均截止
C: D1导通,D2截止
D: D1、截止、D2导通
答案: 【 D1导通,D2截止】
半导体二极管的参数及模型
1、判断题:
当二极管外加正向电压增大时,其动态电阻增大。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
半导体二极管的结构类型与伏安特性
1、填空题:
二极管具有( )导电特性。
答案: 【 单向】
场效应管概述与场效应管的结构
1、判断题:
在FET内部,多子与少子都参与导电。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
本征半导体与杂质半导体
1、单选题:
在本征半导体中加入三价元素可形成 型半导体。
选项:
A: N
B: P
C: 不确定
D: PN结
答案: 【 P】
稳压二极管的工作原理
1、单选题:
要使稳压管的稳压,其工作区为( )。
选项:
A: 死区
B: 正向导通区
C: 反向截止区
D: 反向击穿区
答案: 【 反向击穿区】
第2章基本放大电路
2基本放大电路单元练习测试
1、单选题:
在NPN管组成的基本共射放大电路中,如果静态工作点设置过低,容易出现( )失真。
选项:
A: 饱和
B: 截止
C: 线性
D: 以上都是
答案: 【 截止】
2、单选题:
在低频小信号放大电路中,合适地设置静态工作点的目的是( )。
选项:
A: 增大交流输出电压幅值
B: 提高交流输入电阻
C: 不失真地放大低频小信号
D: 增强带负载能力
答案: 【 不失真地放大低频小信号】
3、单选题:
在多级放大电路的阻容耦合、直接耦合与变压器三种耦合方式中,( )耦合便于集成。
选项:
A: 直接
B: 阻容
C: 变压器
D: 直接耦合与阻容耦合
答案: 【 直接】
4、单选题:
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ( )
选项:
A: 电阻阻值有误差
B: 晶体管参数的分散
C: 晶体管参数受温度影响
D: 受输入信号变化的影响
答案: 【 晶体管参数受温度影响】
5、单选题:
以下属于电压跟随器的电路有()
选项:
A: 共射极电路
B: 共集电极电路
C: 共基极电路
D: 共栅极电路
答案: 【 共集电极电路】
6、单选题:
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kQ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( )
选项:
A: 10
B: 2
C: 4
D: 3
答案: 【 4】
7、单选题:
画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源Vcc应当( )
选项:
A: 短路
B: 开路
C: 保留不变
D: 电流源
答案: 【 短路】
8、单选题:
测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2. 7V、2V,则此三极管为( )
选项:
A: PNP 型锗三极管
B: NPN 型锗三极管
C: PNP型硅三极管
D: NPN型硅三极管
答案: 【 NPN型硅三极管】
9、多选题:
表征放大器静态工作点的参数主要指()
选项:
A: Ib
B: Ic
C: Uce
D: U0
答案: 【 Ib;
Ic;
Uce】
10、多选题:
关于多级放大电路,下列说法正确的是( )。
选项:
A: 多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻
B: 多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻
C: 多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之和
D: 多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积
答案: 【 多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻;
多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻;
多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积】
11、判断题:
阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。( )
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
12、判断题:
放大器的静态工作点确定后,就不会受外界因素的影响。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
13、判断题:
共集电极电路没有电压和电流的放大作用。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
14、判断题:
在基本共射放大电路中,若晶体管的β增大一倍,则电压放大倍数相应增大一倍。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
15、填空题:
某放大电路不带负载时,测得其输出端开路电压数值为1.5V,带上3KΩ负载时输出电压数值为1V。则未加负载时放大电路的输出电阻为( )KΩ。
答案: 【 1.5】
16、填空题:
在下图电路中,若测得ui和uo的有效值分别为10mV和1000mV,b =100,rbe=1kΩ,则负载电阻RL=( )kΩ。
![]()
答案: 【 1.5】
17、填空题:
![]()
答案: 【 565】
18、填空题:
在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察Vo和Vi的波形,则Vo和Vi的相位差为()度。
答案: 【 180】
19、填空题:
在共射、共集和共基三种放大电路组态中, 希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用()组态。
答案: 【 共集】
20、填空题:
两级放大电路,第一级电压增益为以40dB,第二级电压放大倍数为10倍.则两级总电压
