大学MOOC 模拟电子技术基础(武汉理工大学)1003795003 最新慕课完整章节测试答案

第1章绪论

文章目录

第1章绪论
第2章半导体基础知识及二极管
第3章场效应三极管及其放大电路
第4章双极结型三极管BJT及其放大电路
第5章放大电路的频率响应
第6章模拟集成电路
第7章反馈放大电路
第8章功率放大电路
第9章信号的运算电路
第10章信号的处理与信号的产生电路
第11章直流稳压电源

绪论单元测试

1、单选题：
‌放大电路的互阻放大基本模型中，受控源的类型是（）。‏
选项：
A: 受电压控制电流源，VCCS
B: 受电流控制电压源，CCVS
C: 受电压控制电压源， VCVS
D: 受电流控制电流源，CCCS
答案: 【受电流控制电压源，CCVS】

2、单选题：
我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时，宜选用（）模型对电路进行等效变换后进行分析。‍
选项：
A: 电压放大
B: 电流放大
C: 互阻放大
D: 互导放大
答案: 【互导放大】

3、单选题：
‍以下关于电流放大电路性能的说法中，正确的是（）。‌
选项：
A: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
答案: 【放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。】

4、多选题：
‌以下各项指标参数中，（）是放大电路本身的性能指标。‌
选项：
A: 放大电路的增益
B: 放大电路的负载电阻
C: 放大电路的通频带宽度
D: 放大电路的非线性失真
答案: 【放大电路的增益;
放大电路的通频带宽度;
放大电路的非线性失真】

5、多选题：
放大电路的基本模型包括的基本要素有（）。
选项：
A: 放大电路的输入与输出电阻
B: 放大电路的负载
C: 放大电路的输入信号
D: 放大电路的增益
答案: 【放大电路的输入与输出电阻;
放大电路的增益】

6、判断题：
‎互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为稳定输出的电压信号。‍‎‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

7、判断题：
‍电压放大电路也可以有电流放大能力。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

8、判断题：
‎放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

9、填空题：
‍互阻放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电压与输入电流的比。（在”开“或“短”或“旁”或“环”中选择合适的填入）‎
答案: 【开】

10、填空题：
‍放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（），输出端口则等效为带有内阻的受控源。
答案: 【电阻##%_YZPRLFH_%##输入电阻##%_YZPRLFH_%##负载电阻】

随堂小测验_放大电路性能指标

1、单选题：
‏研究放大电路的电压放大能力时，宜采用（）模型。
选项：
A: 电压放大
B: 电流放大
C: 互阻放大
D: 互导放大
答案: 【电压放大】

2、单选题：
‎以下关于电流放大电路性能正确的说法是（）。‌
选项：
A: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与输出电阻。
B: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与输出电阻。
C: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能大的输入电阻与尽可能小的输出电阻。
D: 放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。
答案: 【放大电路要有好的电流放大性能，不仅对短路电流增益有要求，还要有尽可能小的输入电阻与尽可能大的输出电阻。】

3、多选题：
‍以下各项指标参数中，（）是放大电路本身的性能指标。‎
选项：
A: 放大电路的增益
B: 放大电路的负载电阻
C: 放大电路的频带宽度
D: 放大电路的非线性失真
答案: 【放大电路的增益;
放大电路的频带宽度;
放大电路的非线性失真】

4、判断题：
‎互阻放大电路只要有足够大的开路互阻增益，就能够将输入电流信号有效转变较为电压信号稳定输出。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

5、填空题：
‏互导放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电流与输入电压的比。‍
答案: 【短】

6、填空题：
‌互阻放大模型中的增益代表放大电路的（）路输出电压与输入电流的比。‌
答案: 【开##%_YZPRLFH_%##断】

随堂测验_放大电路的基本模型

1、单选题：
放大电路的互阻放大基本模型中受控源的类型是（）。‍
选项：
A: 受电压控制电流源
B: 受电压控制电压源
C: 受电流控制电压源
D: 受电流控制电流源
答案: 【受电流控制电压源】

2、单选题：
‏我们在考察一个电压/电流变换电路的工作性能时，宜选用（）模型进行等效分析。‎
选项：
A: 电压放大
B: 电流放大模型
C: 互阻放大
D: 互导放大
答案: 【互导放大】

3、多选题：
‍放大电路的基本模型包括以下要素：‏
选项：
A: 放大电路的输入与输出电阻
B: 放大电路的负载
C: 放大电路的输入信号
D: 放大电路的增益
答案: 【放大电路的输入与输出电阻;
放大电路的增益】

4、判断题：
‎电压放大电路也可以有电流放大能力。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

5、判断题：
‍放大电路只能选取四种基本模型中的一种来等效。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

6、填空题：
‎放大电路是个二端口网络，其输入端口等效为一个（），输出端口则等效为带有信号源内阻的信号源。‌
答案: 【电阻】

第2章半导体基础知识及二极管

第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验

1、单选题：
‎为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。‌
选项：
A: 提高环境温度
B: 掺入特定杂质元素
C: 加强光照
D: 增加半导体材料横截面积
E: 加强外电场
F: 以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素
答案: 【掺入特定杂质元素;
以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素】

2、单选题：
‌在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。‍
选项：
A: 使空间电荷区变厚
B: 抑制漂移，促进扩散
C: 使反向饱和电流增大
D: 使反向饱和电流减小
E: 使势垒变高
F: 只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G: 抑制扩散，促进漂移
答案: 【使空间电荷区变厚;
使势垒变高;
只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变;
抑制扩散，促进漂移】

3、单选题：
‌二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（）。‌
选项：
A: 多数载流子扩散形成
B: 多数载流子漂移形成
C: 少数载流子漂移形成
D: 少数载流子扩散形成
答案: 【多数载流子扩散形成】

4、单选题：
‍二极管整流电路利用的是二极管的（）特性。‎
选项：
A: 反向击穿特性
B: 电容效应
C: 单向导电性
D: 本征激发特性
E: 掺杂特性
F: 正向导通、反向截止的特性
G: 正向导通、反向击穿的特性
H: 开关特性
答案: 【单向导电性;
正向导通、反向截止的特性;
开关特性】

5、单选题：
‍以下说法错误的是（）。‌‍‌
选项：
A: 电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B: 稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C: 齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D: 雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
答案: 【稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。】

6、单选题：
‍二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。
选项：
A: 20
B: 30
C: 40
D: 50
答案: 【 40】

7、单选题：
‌反映稳压二极管反向击穿特性的折线模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与（）的比。‍
选项：
A: 反向电压在一定范围内变化量
B: 反向电压
C: 正向电流在一定范围内变化量
D: 正向导通电压
答案: 【反向电压在一定范围内变化量】

8、多选题：
向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。‎
选项：
A: 内部多数载流子类型为自由电子
B: 外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向相反
C: 内部多数载流子类型为空穴
D: 外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致
E: 若失去产生的多子自由电子，杂质元素生成带正电的施主离子
F: 若失去产生的多子空穴，杂质元素生成带负电的受主离子
答案: 【内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致;
若失去产生的多子自由电子，杂质元素生成带正电的施主离子】

9、多选题：
PN结的特性主要有（）。‎
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿特性
C: 电容特性
D: 低电压稳压特性
E: 本征激发特性
F: 掺杂特性
答案: 【单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性】

10、多选题：
以下关于半导体二极管说法正确的有（）。‎
选项：
A: 半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄
B: 半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
答案: 【半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄;
半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致;
常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V;
常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V】

11、多选题：
‌以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。‎
选项：
A: 小信号模型
B: 理想模型
C: 折线模型
D: 恒压降模型
E: 电压放大模型
F: 电流放大模型
G: 互阻放大模型
H: 互导放大模型
答案: 【理想模型;
折线模型;
恒压降模型】

12、多选题：
‏以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。‏
选项：
A: 正向管压降
B: 最大反向工作电流
C: 额定功耗或最大耗散功率
D: 标称稳定电压
E: 最小反向工作电流
F: 反向击穿时的动态电阻
G: 正向开启电压
答案: 【最大反向工作电流;
额定功耗或最大耗散功率;
标称稳定电压;
最小反向工作电流;
反向击穿时的动态电阻】

13、多选题：
‍平衡的PN结又称（）。
选项：
A: 阻挡层
B: 耗尽层
C: 空间电荷区
D: 二极管
E: 势垒
F: 导电沟道
答案: 【阻挡层;
耗尽层;
空间电荷区;
势垒】

14、判断题：
‎本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

15、判断题：
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。‏‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

16、判断题：
‏根据普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正偏方向接到二极管两端，就可以让管子正常工作。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

17、判断题：
二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

18、判断题：
‎稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。‌‎‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

19、判断题：
外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子的逆电场漂移运动。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

20、判断题：
在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，扩散电容起主要作用。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

21、判断题：
‍对二极管电路的静态分析与动态分析遵循先“静”后“动”原则。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

随堂测验_PN结的形成与特性

1、单选题：
‍在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。‏
选项：
A: 使空间电荷区变厚
B: 抑制漂移，促进扩散
C: 使反向饱和电流增大
D: 使反向饱和电流减小
答案: 【使空间电荷区变厚】

2、多选题：
‍平衡的PN结又称为（）。‎
选项：
A: 空间电荷区
B: 势垒区
C: 耗尽层
D: 扩散漂移区
答案: 【空间电荷区;
势垒区;
耗尽层】

3、多选题：
‍PN结的特性主要有（）。‏
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿特性
C: 电容特性
D: 低电压稳压特性
答案: 【单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性】

4、判断题：
温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

5、判断题：
‏平衡的PN结在无外加电场时，结电流为0。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

6、判断题：
‎扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

7、判断题：
‍PN结外加正向电压时，空间电荷区将变宽。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

8、填空题：
在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加正偏电压时，（）电容起主要作用。‍
答案: 【扩散】

9、填空题：
在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，（）电容起主要作用。
答案: 【势垒】

随堂测验_二极管基本电路及其分析方法

1、单选题：
二极管整流电路利用的是二极管的（）特性。‍
选项：
A: 反向击穿特性
B: 电容效应
C: 单向导电性
D: 本征激发特性
答案: 【单向导电性】

2、多选题：
‎以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（）。‌
选项：
A: 小信号模型
B: 理想模型
C: 折线模型
D: 恒压降模型
答案: 【理想模型;
折线模型;
恒压降模型】

3、多选题：
‌普通二极管可用于（）。‏
选项：
A: 整流
B: 限幅
C: 低电压稳压
D: 继电器续流
答案: 【整流;
限幅;
低电压稳压;
继电器续流】

4、判断题：
‌正向导通的二极管交流电阻大于直流电阻。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

5、判断题：
二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

6、填空题：
‌对二极管电路的静态分析与动态分析遵循（）原则。
答案: 【先静后动##%_YZPRLFH_%##先“静”后“动”】

7、填空题：
‏在已知电路静态工作点的前提下，二极管的小信号模型可用于对二极管电路做（）分析，‎
答案: 【动态##%_YZPRLFH_%##交流】

随堂测验_半导体二极管

1、单选题：
‌PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（）。
选项：
A: 其反向电流增大
B: 其反向电流减小
C: 其反向电流基本不变
D: 其正向电流相应增大
答案: 【其反向电流基本不变】

2、单选题：
‍二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。‎
选项：
A: 多数载流子扩散形成
B: 多数载流子漂移形成
C: 少数载流子漂移形成
D: 少数载流子扩散形成
答案: 【多数载流子扩散形成】

3、多选题：
‏以下关于半导体二极管说法正确的有（）。‎
选项：
A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
答案: 【半导体二极管正偏时，势垒区变窄;
半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致】

4、多选题：
在电路中使用时，PN结反向应用的特殊二极管有（）。‌
选项：
A: 发光二极管
B: 光电二极管
C: 稳压二极管
D: 变容二极管
答案: 【光电二极管;
稳压二极管;
变容二极管】

5、判断题：
因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

6、判断题：
‍有A、B两个二极管，它们的反向饱和电流分别为5毫安和0.2微安，在外加相同正向电压时的电流分别为20毫安和8毫安。可见B管的性能较好。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

7、填空题：
‏温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，主要时因为（）浓度受温度影响较大。‍
答案: 【少子##%_YZPRLFH_%##少数载流子】

8、填空题：
‎二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（）微安。‍
答案: 【 40】

随堂测验_半导体基础知识

1、单选题：
具有纯净的无缺陷的晶体结构的半导体称为（）。‌
选项：
A: 杂质半导体
B: 空穴型半导体
C: 本征半导体
D: N型半导体
答案: 【本征半导体】

2、单选题：
‍为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（）。‎
选项：
A: 提高环境温度
B: 掺入特定杂质元素
C: 加强光照
D: 增加半导体材料横截面积
答案: 【掺入特定杂质元素】

3、多选题：
‍向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（）。‎
选项：
A: 内部多数载流子类型为空穴
B: 因为多子为空穴，整体带正电
C: 整体呈电中性
D: 内部多数载流子类型为自由电子
答案: 【内部多数载流子类型为空穴;
整体呈电中性】

4、多选题：
‎向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。
选项：
A: 内部多数载流子类型为自由电子
B: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向相反
C: 内部多数载流子类型为空穴
D: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致
答案: 【内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致】

5、多选题：
‌在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（）有很大关系。
选项：
A: 光照
B: 温度
C: 掺杂类型与浓度
D: 热辐射
答案: 【光照;
温度;
热辐射】

6、判断题：
‏杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

7、判断题：
‌本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

8、判断题：
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

9、判断题：
‏本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

10、填空题：
‎外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的（）逆电场漂移运动。‍
答案: 【束缚电子##%_YZPRLFH_%##价电子】

11、填空题：
‏在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。‌
答案: 【掺杂浓度##%_YZPRLFH_%##掺杂度##%_YZPRLFH_%##掺入杂质的数量】

随堂测验_稳压二极管

1、单选题：
‌稳压二极管是利用PN结的（）。‌
选项：
A: 反向截止特性
B: 单向导电特性
C: 反向击穿特性
D: 电容特性
答案: 【反向击穿特性】

2、单选题：
以下说法错误的是（）。
选项：
A: 电击穿包括齐纳击穿和雪崩击穿两种，只要反向电流控制在一定范围内，是可以逆转的。
B: 稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。
C: 齐纳击穿的本质是场致电离，对电场强度的要求很高
D: 雪崩击穿的本质是碰撞电离，要求少子在电场中漂移过程中能够获得足够大的动能
答案: 【稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，所以无需串联限流电阻。】

3、多选题：
‏以下（）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。‌
选项：
A: 正向管压降
B: 最大反向工作电流
C: 额定功耗或最大耗散功率
D: 标称稳定电压
答案: 【最大反向工作电流;
额定功耗或最大耗散功率;
标称稳定电压】

4、多选题：
‌有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V.若将它们串联相接，稳压值（）得不到。‎
选项：
A: 13V、1.4V
B: 4.3V、7.3V
C: 8.7V、5.7V
D: 5.3V、8.7V
答案: 【 4.3V、7.3V;
5.3V、8.7V】

5、多选题：
有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V。若将它们并联相接，可得到（）几种稳压值。
选项：
A: 5V
B: 0.7V
C: 8V
D: 8.7V
答案: 【 5V;
0.7V】

6、判断题：
稳压二极管只有在反向偏置时才能起到稳压作用。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【错误】

7、判断题：
‏在正常工作范围内，稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【正确】

8、填空题：
反映稳压二极管反向击穿特性的折现模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与反向电压（）的比。‌
答案: 【变化量##%_YZPRLFH_%##变化##%_YZPRLFH_%##变化值】

第3章场效应三极管及其放大电路

3_单元测试_共源放大电路的小信号模型分析法

1、单选题：

‌

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

2、单选题：

‌

‎选项：
A: 电路采用自偏压
B: 电路采用固定偏压方式
C: 电路采用分压式偏压方式
D: 电路采用分压式自偏压方式
答案: 【电路采用自偏压】

3、单选题：

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

4、单选题：

‍

‍选项：
A:
B:
C:
D:
E:
答案: 【】

5、单选题：

‏

‌选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

6、单选题：

‎

‎选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

7、单选题：

‎

‍选项：
A:
B:
C:
D:
E:
F:
G:
H:
I:
J:
K:
答案: 【 ;
;
】

8、单选题：

‌

选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

9、单选题：

‏

‎选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】

10、单选题：

‍选项：
A:
B:
C:
D:
E:
F:
G:
答案: 【 ;
】

11、多选题：

‏已知电路如图，Rg1=3MΩ，Rg2=1MΩ，连接在源极的电阻Rs =1kΩ, 负载电阻RL=1kΩ, VDD＝20V，场效应管的开启电压VT等于2V，IDO=4mA。以下说法正确的有：

‏

‏选项：
A: 该场效应管为增强型NMOS管。
B: 该场效应管为增强型PMOS管。
C: 电路组态是共源放大电路。
D: 电路组态是共漏放大电路。
E: 电路组态是共栅放大电路
答案: 【该场效应管为增强型NMOS管。;
电路组态是共漏放大电路。】

12、多选题：

‎

‍选项：
A:
B:
C:
D:
E:
F:
G:
H:
I:
J:
K:
L:
答案: 【 ;
;
】

13、多选题：

‏

‏选项：
A:
B:
C:
D:
E:
F:
G:
H:
I:
J:
答案: 【 ;
】

3_单元测试_共源电路的图解分析法

1、单选题：
‏场效应管的静态工作点由哪些参数决定
选项：
A: IB IC VCE
B: VGS VDS ID
C: VGS VDS IC
D: IB ID VDS
答案: 【 VGS VDS ID】

2、单选题：

图解法求解静态工作点时，将电路分为两个部分如图所示。

‎

‎选项：
A: 电路部分A是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是输出特性曲线。
B: 电路部分A是线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是非线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程。
C: 电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程。
D: 电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是直流负载线方程；电路部分B是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线。
答案: 【电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程。】

3、单选题：

‏运用图解法，求解左图电路的Q点，该场效应管的输出特性曲线如右图所示

‌

‏

‌选项：
A: 在输出特性曲线中，直线EF是交流负载线，Q点为：VGSQ = 1.0V，VDSQ = 11V，IDQ = 0.1mA。
B: 在输出特性曲线中，直线EF是直流负载线，Q点为：VGSQ = 1.0V，VDSQ = 11V，IDQ = 0.1mA。
C: 在输出特性曲线中，直线EF是交流负载线，Q点为：VGSQ = 2.0V，VDSQ = 7.2V，IDQ = 0.5mA。
D: 在输出特性曲线中，直线EF是直流负载线，Q点为：VGSQ = 2.0V，VDSQ = 7.2V，IDQ = 0.5mA。
答案: 【在输出特性曲线中，直线EF是直流负载线，Q点为：VGSQ = 2.0V，VDSQ = 7.2V，IDQ = 0.5mA。】