大学MOOC 模拟电子技术基础(内蒙古交通职业技术学院)1452060177 最新慕课完整章节测试答案

1.1.1随堂测验

1、单选题：
在电子器件中，用的最多的半导体材料是硅，其原子序号为      。‏
选项：
A: 4
B: 14
C: 24
D: 32
答案: 【 14】

2、单选题：
在室温下，本征半导体中的载流子数目      。‍
选项：
A: 很多
B: 较多
C: 较少
D: 极少
答案: 【 极少】

3、单选题：
在本征半导体中，本征激发产生的载流子是       。‏
选项：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 正负离子
D: 自由电子和空穴
答案: 【 自由电子和空穴】

4、单选题：
在热力学零度时，本征半导体相当于       。‌
选项：
A: 导体
B: 超导体
C: 绝缘体
D: 半导体
答案: 【 绝缘体】

5、单选题：
本征激发体现了半导体的      特性。‍
选项：
A: 光敏性
B: 热敏性
C: 掺杂性
D: 光敏性和热敏性
答案: 【 光敏性和热敏性】

1.1.2随堂测验

1、单选题：
在      中掺入适量的杂质元素称为杂质半导体。‌
选项：
A: P型半导体
B: N型半导体
C: I型半导体
D: 半导体
答案: 【 I型半导体】

2、单选题：
杂质半导体体现了半导体的      性。​
选项：
A: 光敏
B: 热敏
C: 掺杂
D: 导电
答案: 【 掺杂】

3、单选题：
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与      有关。‏
选项：
A: 电子
B: 空穴
C: 掺杂浓度
D: 温度
答案: 【 温度】

4、单选题：
P型半导体的多子是空穴，该半导体     。‌
选项：
A: 带正电
B: 带负电
C: 不带电
D: 无法确定带电情况
答案: 【 不带电】

5、单选题：
在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其转型为     。 ‌
选项：
A: P型半导体
B: N型半导体
C: I型半导体
D: 导体
答案: 【 P型半导体】

1.2.1随堂测验

1、单选题：
​漂移电流是      在内电场作用下形成的。‌
选项：
A: 少数载流子
B: 多数载流子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【 少数载流子】

2、单选题：
‌关于PN结正偏说法正确的是      。‍
选项：
A: P端电位高，N端电位低
B: N端电位高，P端电位低
C: P端与N端电位相同
D: P、N两端电位高低不确定
答案: 【 P端电位高，N端电位低】

3、单选题：
当PN结外加反向电压时，耗尽层_____。‎
选项：
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 无法确定
答案: 【 变宽】

4、单选题：
‏PN结外加正向电压时，扩散电流      漂移电流。​
选项：
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无法确定
答案: 【 大于】

5、判断题：
‎PN结具有双向导电性。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

1.3.1随堂测验

1、单选题：
下列有关面接触型二极管的说法，正确的是      。‎
选项：
A: PN结面积小，适用于高频情况
B: PN结面积大，适用于高频情况
C: PN结面积小，适用于低频情况
D: PN结面积大，适用于低频情况
答案: 【 PN结面积大，适用于低频情况】

2、多选题：
‍点接触型二极管主要用于     。‏
选项：
A: 整流
B: 稳压
C: 检波
D: 开关
答案: 【 检波;
开关】

3、多选题：
‎由P区引出的电极称为     。‌
选项：
A: 阳极
B: 阴极
C: 正极
D: 负极
答案: 【 阳极;
正极】

1.3.2随堂测验

1、单选题：
‌下列有关硅二极管的说法，正确的是      。‍
选项：
A: 死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 V
B: 死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 V
C: 死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V
D: 死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V
答案: 【 死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V】

2、单选题：
‍当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分      。‌
选项：
A: 左移
B: 右移
C: 上移
D: 下移
答案: 【 左移】

3、单选题：
‍二极管的最大反向工作电压是100V，它的反向击穿电压约为      。‎
选项：
A: 50V
B: 100V
C: 150V
D: 200V
答案: 【 200V】

4、判断题：
​二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相同。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‎当温度升高时，二极管的反向特性曲线将下移。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

1.4随堂测验

1、单选题：
‌理想二极管模型相当于     。‎
选项：
A: 一个理想开关
B: 一个恒压源
C: 一个动态电阻
D: 一条斜线
答案: 【 一个理想开关】

2、单选题：
‎在常温下测得流过某二极管的电流为10mA，此时二极管的动态电阻为      。‎
选项：
A: 2.6kΩ
B: 1.3kΩ
C: 2.6Ω
D: 条件不足，无法计算
答案: 【 2.6Ω】

3、单选题：
‏理想二极管的正向电阻为      。‌
选项：
A: 零
B: 无穷大
C: 约几十千欧
D: 约几十欧
答案: 【 零】

4、多选题：
‍用恒压源模型等效硅二极管时，下列参数中正确的是      。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】

5、多选题：
​用万用表测量二极管的正反向电阻，通常采用     。​
选项：
A: R×1Ω挡
B: R×10Ω挡
C: R×100Ω挡
D: R×1kΩ挡
答案: 【 R×100Ω挡;
R×1kΩ挡】

1.5随堂测验

1、单选题：
​稳压管正常工作时应处于     状态。‍
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 反向击穿】

2、单选题：
‏用一只稳压二极管与一只普通二极管串联，可得到的稳压值有     种。‍
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2】

3、单选题：
‏变容二极管主要利用二极管的      。‍
选项：
A: 单向导电性
B: 频率特性
C: 非线性
D: 结电容随反偏电压大小可变的特性
答案: 【 结电容随反偏电压大小可变的特性】

4、单选题：
‍发光二极管正常工作时处于     状态。​
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 正偏】

5、单选题：
‍光电二极管正常工作时应处于     状态。‎
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 反偏】

第1周单元测验

1、单选题：
1．在本征半导体中加入适量的     元素可以形成N型半导体。‍
选项：
A: 二价
B: 三价
C: 四价
D: 五价
答案: 【 五价】

2、单选题：
‍在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于     。​
选项：
A: I型半导体
B: 杂质浓度
C: 杂质类型
D: 温度
答案: 【 杂质浓度】

3、单选题：
‏在常温下，硅二极管的开启电压约为     V。‍
选项：
A: 0.7
B: 0.1
C: 0.5
D: 0.2
答案: 【 0.5】

4、单选题：
温度升高，二极管的反向特性曲线     。​​                                                                  ​
选项：
A: 左移
B: 上移
C: 右移
D: 下移
答案: 【 下移】

5、单选题：
用万用表的R×100Ω和R×1kΩ挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果是     。                                                                             ​
选项：
A: R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值小
B: 相同
C: R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值大
D: 无法判断
答案: 【 R×100Ω挡测量的比R×1kΩ挡测量的阻值小】

6、单选题：

‍由理想二极管构成的电路如图所示，电压     。

‍

‍
                                                                  

‍选项：
A: -3V
B: 0V
C: -12V
D: - 15V
答案: 【 -12V】

7、单选题：

‌如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压