大学MOOC 集成电路工艺基础(齐齐哈尔工程学院)1451572172 最新慕课完整章节测试答案

绪论测验题

1、单选题：
‌以下哪个工艺完成场所不属于超净室？​
选项：
A: 超净工作台
B: 超净工作线
C: 超净工作室
D: 超静音室
答案: 【 超静音室】

2、判断题：
‎硅平面工艺使制造性能稳定的平面晶体管成为可能。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‍硅平面工艺的发明使集成电路的制造成为可能。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、填空题：
‍集成电路和分立器件芯片制造及封装测试的（    ）、方法和技术。‌
答案: 【 工作】

5、填空题：
‏具体产品制造工艺分解的单项工艺的（    ）称为该产品的工艺流程。‎
答案: 【 排列顺序】

6、填空题：
‌集成电路具有（    ）复制和广泛的用途。‏
答案: 【 批量】

第二讲 作业

1、单选题：
‎VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：‌
选项：
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故。
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】

2、多选题：
‌在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？‌
选项：
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】

3、判断题：
‎如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
‌外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长      薄膜。‏
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】

5、填空题：
‏VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在        完成的分解。‎‏可从下面选择：‎‏气相‎‏硅片表面‎‏n-/n+Si界面‎
答案: 【 硅片表面】

第三讲 作业

1、单选题：
‌通常掩膜氧化采用的工艺方法为：‌
选项：
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】

2、多选题：
‏关于氧化速率下面哪种描述是正确的：‍
选项：
A: 生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【 温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】

3、判断题：
‌制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
‎热氧化速率快慢排序：        氧化最快、        氧化次之、        氧化最慢。​‎（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）​
答案: 【 水汽、湿氧、干氧】

5、填空题：
‌热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质        引起的。（两个字）‍
答案: 【 分凝】