第三部分集成电路制造工艺及版图

第三部分第一次测验

1、单选题:
‌题3-1-1 以下不是半导体材料的是:     。​
选项:
A: Si     
B: Ge    
C: GaAs     
D: C
答案: 【 C

2、单选题:
‍题3-1-2 以下不是集成电路制造工艺特点的是:     ​
选项:
A: 超净     
B: 高精度    
C: 低精度     
D: 超纯
答案: 【 低精度     

3、单选题:
‍题3-1-3 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是:    。‏‍‏
选项:
A: A、特征尺寸
B: 器件数量 
C: 互连线长度 
D: 互连线层数
答案: 【 A、特征尺寸

4、单选题:
‌题3-1-4 以下不是光刻系统的主要指标的是:     。‌
选项:
A: 分辨率     
B: 晶圆直径    
C: 焦深    
D: 对比度
答案: 【 晶圆直径    

5、单选题:
‍题3-1-5 在光学曝光中,由于掩膜版的位置不同,又分为接触式曝光,接近式曝光和:       ‏
选项:
A: 投影式曝光     
B: X射线曝光    
C: 电子束曝光     
D: 离子束曝光
答案: 【 投影式曝光     

6、单选题:
‌题3-1-6 下列有关集成电路发展趋势的描述中,不正确的是      。‍‌‍
选项:
A: 特征尺寸越来越小
B: 晶圆尺寸越来越小
C: 电源电压越来越低 
D: 时钟频率越来越高

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