第一章 气体的绝缘特性与介质的电气强度

气体的绝缘特性与介质的电气强度

1、单选题:
‍由于光辐射而产生电离的形式称为()​
选项:
A: 碰撞电离
B: 光电离
C: 热电离
D: 表面电离
答案: 【 光电离

2、单选题:
​电子崩中由于电子的物质轻,运动速度快,绝大多数都集中在电子崩的()‏
选项:
A: 尾部
B: 中部
C: 头部
D: 头部或尾部
答案: 【 头部

3、单选题:
​()表示带点粒子在单位场强下沿场强方向的漂移速度。​
选项:
A: 平均自由行程
B: 迁移率
C: 扩散
D: 附着
答案: 【 迁移率

4、单选题:
‌解释低气压、小间隙中的气体放电过程可用(  )。‍‌‍
选项:
A: 汤逊理论
B: 流注理论
C: 巴申定律
D: 小桥理论
答案: 【 汤逊理论

5、单选题:
​解释气压较高、距离较长的间隙中的气体放电过程可用()‌
选项:
A: 流注理论
B: 汤逊理论
C: 巴申定律
D: 小桥理论
答案: 【 流注理论

6、单选题:
‌在二次电子崩的头部有大量的电子进入初始电子崩的正空间电荷区内,与之混合成为充满正、负带电质点的混合等到离子通道,即形成()。‏‌‏
选项:
A: 流注
B: 离子崩
C: 中子崩
D: 导电道
答案: 【 导电道

7、单选题:
‏解释气压较高、距离较长的间隙中的气体放电过程可用()。‌
选项:
A: 流注理论
B: 汤逊理论
C: 巴申定律
D: 小桥理论
答案: 【 流注理论

8、单选题:
‍极不均匀电场中的极性效应表明()。‎
选项:
A: 负极性的击穿电压和起晕电压都高 
B: 正极性的击穿电压和起晕电压都高
C: 负极性的击穿电压低和起晕电压高
D: 正极性的击穿电压低和起晕电压高
答案: 【 正极性的击穿电压低和起晕电压高

9、单选题:
‍间隙距离相同时,在直流电压作用下,()的电晕起始电压最高。​
选项:
A: 正棒-负板
B: 负棒-正板
C: 棒-棒
D: 均匀电场
答案: 【 正棒-负板

10、单选题:
​污层等值盐密法是把绝缘子表面单位面积上污秽物导电性转化为()含量的一种方法。‌​‌
选项:
A: MgCl2
B: 导电离子
C: NaCl 等值盐
D: 颗粒
答案: 【 NaCl 等值盐

11、单选题:
​污秽等级II的污湿特征:大气中等污染地区,轻盐碱和炉烟污秽地区,离海岸盐场3km~10km地区,在污闪季节中潮湿多雾但雨量较少,其线路盐密为(  )mg/cm2。​
选项:
A: ≤0.03
B: >0.03~0.06
C: >0.06~0.10
D: >0.10~0.25
答案: 【 >0.06~0.10

12、判断题:
‌可见光能引起光电离。‏
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误

13、判断题:
‍自由电子的碰撞电离能力比负离子强。‎
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

14、判断题:
​在气体放电过程中,电子崩中的电荷分布以正离子为主。‏
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

15、判断题:
​在均匀电场中,如气体的压力过于稀薄,密度太小,碰撞次数太小击穿电压会升高。‍​‍
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

16、判断题:
‍在均匀电场中,当压力在某一特定值时,气体间隙的击穿电压达到最低。‌
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

17、判断题:
​流注理论适用于高气压、长气隙中的放电情况。‏
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确

18、填空题:
‌在气体放电过程中,电子崩中的电荷分布以      为主。‍
答案: 【 正离子

19、填空题:
‍异号带电质点复合时以___形式释放能量。​
答案: 【 光子

20、填空题:
​负离子的形成对气体放电发展起___作用。&r

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