大学MOOC 功率半导体器件工艺(西南交通大学)1462980164 最新慕课完整章节测试答案

第二讲作业

1、单选题：
‎VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：‎
选项：
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故。
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】

2、多选题：
‏在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？‏
选项：
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】

3、判断题：
‌如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
‌外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长      薄膜。‎
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】

5、填空题：
‌VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在        完成的分解。‎‌可从下面选择：‎‌气相‎‌硅片表面‎‌n-/n+Si界面‎
答案: 【 硅片表面】

第三讲作业

1、单选题：
‌通常掩膜氧化采用的工艺方法为：‌
选项：
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】

2、多选题：
‌关于氧化速率下面哪种描述是正确的：​
选项：
A: 生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【 温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】

3、判断题：
‏制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
‍热氧化速率快慢排序：        氧化最快、        氧化次之、        氧化最慢。‎‍（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）‎
答案: 【 水汽、湿氧、干氧】

5、填空题：
‍热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质        引起的。（两个字）‌
答案: 【 分凝】

期中测验

1、单选题：
‍在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？​
选项：
A: 51.2min
B: 31.2min
C: 117min
D: 104min
答案: 【