大学MOOC 电工电子技术2(武昌首义学院)1450304412 最新慕课完整章节测试答案

N型半导体和P型半导体随堂测验

1、单选题：
P型半导体是在本征半导体中加入微量的（    ）元素构成的。‌         ‌
选项：
A: A．三价 
B:    B．四价
C:   C．五价
D: D．六价
答案: 【 A．三价 】

2、判断题：
‍在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
​N型半导体和P型半导体都不带电。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、填空题：
​在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成                   。‏
答案: 【 杂质半导体】

5、填空题：
‍半导体按导电类型分为                  型半导体与                   型半导体。‍
答案: 【 N、p】

6、填空题：
‌在 P 型半导体中                    是多数载流子，                  是少数载流子。​
答案: 【 空穴 自由电子##%_YZPRLFH_%##空穴，自由电子】

7、填空题：
‌在N 型半导体中                是多数载流子，                是少数载流子。​
答案: 【 自由电子 空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子，空穴】

8、填空题：
‍Ｎ型半导体主要靠                      导电，Ｐ型半导体主要靠                     导电。‎
答案: 【 自由电子 空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子，空穴】

9、填空题：
‏半导体的导电能力随着温度的升高而    。‌
答案: 【 增加】

PN结及其单向导电性随堂测验

1、单选题：
PN结加正向电压时，其正向电流是（    ）。‌      ‌        ‌‏‌
选项：
A: A．多子扩散而成
B:   B．少子扩散而成
C: C．少子漂移而成 
D:  D．多子漂移而成
答案: 【 A．多子扩散而成】

2、填空题：
‏PN结具有                       性能，即加正向电压时，PN结                   ，加反向电压时，PN结                    。‌
答案: 【 单向导电 导通 截止##%_YZPRLFH_%##单向导电，导通，截止】

3、填空题：
‎PN结的正向接法是P型区接电源的               极，N型区接电源的               极。​
答案: 【 正、负】

4、填空题：
​PN 结加正向电压时，其正向电阻               ，正向电流                 ，PN结处于               状态。‍
答案: 【 较小 较大 导通##%_YZPRLFH_%##较小，较大，导通】

5、填空题：
‍ PN 结加反向电压时，其反向电阻               ，反向电流                 ，PN结处于               状态。​
答案: 【 较大 较小 截止##%_YZPRLFH_%##很大 很小 截止##%_YZPRLFH_%##较大，较小，截止##%_YZPRLFH_%##很大，很小，截止】

6、填空题：
‍给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的__ __区，电源的负极通过电阻接半导体的    区。‍
答案: 【 P、N】

7、填空题：
PN结加反向电压时，其空间电荷区将___ ，使____运动占优势。‌‎‌
答案: 【 变宽、漂移】

8、填空题：
PN结的单向导电性指的是 PN结    偏置时导通，      偏置时截止的特性 。‎‏‎
答案: 【 正向、反向】

半导体二极管随堂测验

1、单选题：

二极管接在电路中，若测得a、b 两端电位如图所示，则二极管工作状态为（           ）。

‎

 

‎选项：
A: 截止
B: 导通
C:  击穿
D: 不确定
答案: 【 导通】

2、单选题：

‏

电路如图所示，二极管D为理想元件，US = 5V，则电压uO =（     ）。

‏

‏选项：
A: 5V
B: US/2
C: 0V
D: 不确定
答案: 【 5V】

3、单选题：

电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4kW，电位uA=1V，uB=3V，则电位UF等于（           ）。

​

​选项：
A: 1V
B: 3V
C: 12V
D: -3V
答案: 【 1V】

4、单选题：

电路如图所示，输入信号ui = 6sint V时，二极管D承受的最高反向电压为（           ）。

‌

‌选项：
A: 6V
B: 3V 
C: 9V
D: 0V
答案: 【 3V 】

5、判断题：
‏二极管两端加上正向电压就一定会导通。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
​二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、填空题：
​二极管的伏安特性可简单理解为              导通，             截止的特性。‏
答案: 【 正向 反向##%_YZPRLFH_%##正向， 反向】

8、填空题：
半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压      。‍‍‍
答案: 【 高（或大）】

9、填空题：
‎二极管最重要的特性是       。‏
答案: 【 单向导电性】

10、填空题：
加在二极管上的正向电压大于死区电压时，二极管      ；加反向电压时，二极管     。​‍​
答案: 【 导通、截止】

11、填空题：
‌按照基本结构半导体二极管课分为             、                、          ‏
答案: 【 点接触型、面接触型、平面型】

12、填空题：
​二极管的工作状态有           和            ‏
答案: 【 导通、截止】

半导体器件单元测验

1、单选题：

电路如图所示， 二极管D为理想元件，当输入信号 ui=12sinwtV时，输出电压的最大值为（             ）。

​

​选项：
A: 12 V
B: - 6 V
C: 0 V
D:  6 V
答案: 【  6 V】

2、单选题：

​

电路如图所示，二极管D1、D2为理想元件，则在电路中（            ）。

​

​选项：
A: D1起箝位作用，D2起隔离作用
B: D1起隔离作用，D2起箝位作用
C: D1、D2均起箝位作用
D: D1、D2均起隔离作用
答案: 【 D1起隔离作用，D2起箝位作用】

3、单选题：

电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uO的最大值为（           ）。

‌

‌选项：
A:  5V
B: 10V
C: 2V 
D: 7V
答案: 【 7V】

4、单选题：
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（            ）。‎
选项：
A: 发射结正偏，集电结反偏
B: 发射结反偏，集电结正偏
C: 发射结、集电结均反偏 
D: 发射结、集电结均正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】

5、单选题：
某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为3.7V、9V 和 3V，则3.7V 所对应的电极为（           ）。​
选项：
A: 发射极
B: 集电极 
C: 基极
D: 不确定
答案: 【 基极】

6、单选题：

​ 电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ = 6 V，电源US = 4 V，则负载RL两端电压UO为（         ）。（稳压管承受正向电压时其管压降可视为0V）

‏

​

‏选项：
A: 10V
B: 6V
C: -4V  
D: 0V
答案: 【 -4V  】

7、单选题：

电路如图所示，二极管D1，D2 均为理想元件，则电压 UO =（            ）。

‌

‌选项：
A: 6V
B: 0V
C: －12V
D: 12V
答案: 【 0V】

8、单选题：

电路如图所示，UCC=12V，晶体管T的电流放大系数 β=50，RB = 300 kΩ，RC= 3 kΩ，晶体管T处于（        ）。

‎

‎选项：
A: 放大状态
B: 截止状态
C: 饱和状态
D: 开关状态
答案: 【 放大状态】

9、判断题：
‎二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、判断题：
‌在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

11、判断题：
‌二极管两端加上正向电压就一定会导通。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
​N型半导体和P型半导体都带电‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、判断题：
‎晶体管可以把小电流放大成大电流。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

14、填空题：
‏晶体三极管有两个PN结，分别是       和         ，晶体管的三种工作状态是         、          和            。‏
答案: 【 发射结，集电结，放大，饱和，截止】

15、填空题：
‏二极管最重要的特性是    。‎
答案: 【 单向导电性】

16、填空题：
‌半导体的导电能力随着温度的升高而           ‍
答案: 【 增大（或增强）】

17、填空题：
根据三极管结构的不同，有NPN和__ __两种。‌‏‌
答案: 【 PNP】

18、填空题：
​锗 （硅）二极管的正向电压降大小的范围是       ‎
答案: 【 0.2～0.3（0.6－0.7）V】

双极型晶体管随堂测验

1、单选题：
‏PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（           ）。‎
选项：
A: 可以调换使用
B: 不可以调换使用
C: PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
D: 不确定
答案: 【 不可以调换使用】

2、单选题：
‎工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（           ）。‏
选项：
A: 发射结正偏，集电结反偏
B: 发射结反偏，集电结正偏
C: 发射结、集电结均反偏 
D: 发射结、集电结均正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】

3、单选题：
​晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（     ）。‍
选项：
A: 发射结反偏，集电结正偏
B: 发射结、集电结均反偏
C: 发射结、集电结均正偏
D: 发射结正偏，集电结反偏
答案: 【 发射结、集电结均正偏】

4、单选题：

电路如图所示，晶体管处于（           ）。

‍

‍选项：
A: 饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 不确定
答案: 【 饱和状态】

5、单选题：
​已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 2V、2.7V 和 6V，则2.7V 所对应的电极为（    ）。‏
选项：
A: 发射极
B: 基极
C: 集电极
D: 不确定
答案: 【 基极】

6、单选题：
半导体三极管是具有(    )PN结的器件。‏                                       ‏                              ‏​‏
选项：
A: A、1个  
B:  B、2个
C: C、3个      
D: D、4个
答案: 【  B、2个】

7、单选题：
晶体管的主要特性是具有（    ）。‌        ‌‎‌
选项：
A: A、单向导电性 
B:  B、滤波作用 
C:  C、稳压作用
D:  D、电流放大作用
答案: 【  D、电流放大作用】

8、单选题：
半导体三极管是一种（　　）‍                    ‍                     ‍‍‍
选项：
A: A.电压控制电压的器件
B:   B.电压控制电流的器件
C: C.电流控制电流的器件 
D: D.电流控制电压的器件
答案: 【 C.电流控制电流的器件 】

9、单选题：
测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE＝3V，VB＝3.7V，VC＝3.3V，则该管工作在（    ）。‏        ‏‎‏
选项：
A: A．放大区  
B:  B．饱和区
C:  C．截止区
D: D．击穿区
答案: 【  B．饱和区】

10、单选题：
用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（   ）。‏        ‏​‏
选项：
A: A．PNP管，CBE 
B: B．NPN管，ECB 
C: C．NPN管，CBE 
D:  D．PNP管，EBC
答案: 【 B．NPN管，ECB 】

11、单选题：
晶体管三极管放大条件是（  ）。‍      ‍   ‍‎‍
选项：
A: A．发射结要正向偏置 
B:  B．发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 
C: C．集电结要反向偏置   
D:   D．发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
答案: 【  B．发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 】

12、判断题：
‏晶体管可以把小电压放大成大电压‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、判断题：
‍晶体管可以把小电流放大成大电流‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

14、填空题：
‏半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结        向偏置，集电结         向偏置。‎
答案: 【 正、反】

15、填空题：
​若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管可靠的          ‏
答案: 【 截止】

16、填空题：
‌根据三极管结构的不同，有NPN和__ __两种。​
答案: 【 PNP】

17、填空题：
‍三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现_         失真‍
答案: 【 截止】

18、填空题：
三极管输出特性曲线指的是基极电流为一定时，讨论    和       之间的关系。‏‏‏
答案: 【 IC、UCE】

19、填空题：
一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于        状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于        状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为         状态。‏‎‏
答案: 【 饱和、截止、放大】

20、填空题：
‏三极管输入特性曲线指的是UCE为一定时，讨论        和        之间的关系‌
答案: 【 IB、UBE】

本征半导体随堂测验

1、填空题：
‌半导体的导电能力介乎于                    和                   之间。‌
答案: 【 导体绝缘体##%_YZPRLFH_%##绝缘体导体##%_YZPRLFH_%##导体， 绝缘体##%_YZPRLFH_%##绝缘体，导体】

2、填空题：
​共价键中的两个电子，被称为                          。​
答案: 【 价电子】

3、填空题：
‎当半导体两端外加电压时，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动所形成的       电流；一是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的        电流。‍
答案: 【 电子空穴##%_YZPRLFH_%##电子，空穴】

4、填空题：
物质按导电能力强弱可分为     、     和      。‏‌‏
答案: 【 导体、绝缘体、半导体】

5、填空题：
‍半导体的特征有         、           、          ‏
答案: 【 热敏性、光敏性、掺杂性】

特殊二极管随堂测验

1、单选题：
‏衡量稳压二极管稳压性能好坏最主要的是一个参数是（     ）。‏
选项：
A: 动态电阻rZ
B: 电压温度系数αu
C: 稳定电压UZ
D: 稳定电流IZ
答案: 【 动态电阻rZ】

2、单选题：
​稳压管反向击穿后，其结果为（           ）。​
选项：
A: 永久性损坏
B: 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损
C: 由于击穿而导致性能下降
D: 由于击穿而导致短路
答案: 【 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损】

3、单选题：
‏温度稳定性最好的稳压管是（        ）。‎
选项：
A: 具有正温度系数的管子
B: 具有负温度系数的管子
C: 温度稳定系数大的管子
D: 温度稳定系数小的管子
答案: 【 温度稳定系数小的管子】

4、单选题：

电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ = 6V，电源US = 4V，则负载RL两端电压UO为（       ）。（稳压管正向压降视为0V）

‏

‏选项：
A: 10V
B: 6V
C: 0V
D: -4V
答案: 【 -4V】

5、单选题：
稳压二极管的正常工作状态是（    ）。‌                ‌‌‌
选项：
A: A．导通状态
B: B．截止状态 
C: C．反向击穿状态 
D: D．任意状态
答案: 【 C．反向击穿状态 】

6、填空题：
稳压管工作在特性曲线的            区。​​​
答案: 【 反向击穿】

7、填空题：
‏稳压管是一种特殊物质制造的        接触型      二极管‍
答案: 【 面、硅】

8、填空题：
稳压二极管一般要串          进行工作的。‌‍‌
答案: 【 限流电阻】

9、填空题：
‏动态电阻越小，曲线越         ，稳定性越          ‍
答案: 【 陡、好】

减法运算电路随堂测验

1、单选题：

电路如图所示，该电路为 (            )。

‎

‎选项：
A: 加法运算电路
B: 减法运算电路 
C: 比例运算电路
D: 比例运算电路
答案: 【 减法运算电路 】

2、单选题：

减法运算电路如图所示，其输出电压的表达式为(              )。

‏

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、单选题：

电路如图所示，欲满足 uO  = ui2 - ui1的运算关系，则 R 1，R 2，R3，R4的阻值必须满足