大学MOOC 电力电子技术(浙江工业大学)1205807831 最新慕课完整章节测试答案
第1章电力电子器件
第1次测试绪论与第1章
1、单选题：
电力变换通常包括哪几类？
选项：
A: AC/DC和DC/AC两大类。
B: AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
C: AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
D: DC/AC、DC/DC、AC/AC三大类。
答案: 【 AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。】
2、单选题：
对电力电子器件描述正确的是：
选项：
A: 电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
B: 电力电子器件是电子器件的总称。
C: 电力电子器件可用于电子系统中，实现电能的变换或控制的器件。
D: 电力电子器件不能直接用于主电路中，只是实现电能的变换或控制的电子器件。
答案: 【 电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。】
3、单选题：
电力电子器件同处理信息的电子器件相比，下面描述正确的是：
选项：
A: 电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
B: 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。
C: 电力电子器件一般都工作在开通状态。
D: 电力电子器件一般都工作在关断状态。
答案: 【 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。】
4、单选题：
如下所述，晶闸管是如何导通的：
选项：
A: 在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压，只要门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
B: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
C: 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
D: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
答案: 【 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。】
5、单选题：
如下所述，晶闸管门极的控制作用，表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
B: 晶闸管导通后，门极一旦无电流，则晶闸管就立即关断。
C: 晶闸管导通后，门极一旦加反向电压，则晶闸管就立即关断。
D: 晶闸管导通后，门极与阴极短路，则晶闸管就立即关断。
答案: 【 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。】
6、单选题：
已经导通的晶闸管是如何关断的？
选项：
A: 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到1A以下。
B: 要使晶闸管关断，只能在晶闸管两端加反向电压。
C: 要使晶闸管关断，只能要求晶闸管门极电流等于0。
D: 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。
答案: 【 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。】
7、单选题：
如下所述，晶闸管正向特性表述正确的是：
选项：
A: 随着门极电流幅值的不断增大，正向转折电压随之增大。
B: 只要门极电流幅值大于1mA，晶闸管承受正向电压时就导通。
C: 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。
D: 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压基本保持不变。
答案: 【 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。】
8、单选题：
如下所述，关于晶闸管开通与关断，表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管开通与关断过程都是即时完成的。
B: 晶闸管关断是即时完成的，开通需要一定时间的。
C: 晶闸管开通是即时完成的，关断需要一定时间的。
D: 晶闸管开通与关断都需要一定时间。
答案: 【 晶闸管开通与关断都需要一定时间。】
9、单选题：
对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个？
选项：
A: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
B: 允许流过最大方波电流的平均值。
C: 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
D: 允许流过最大电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。】
10、单选题：
如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：
选项：
A: 门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B: 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C: 门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D: 门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。
答案: 【 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。】
11、单选题：
有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：
选项：
A: 虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B: GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C: GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
D: GTR的安全工作区是矩形的。
答案: 【 GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。】
12、单选题：
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？
选项：
A: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。
D: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
答案: 【 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。】
13、单选题：
关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
选项：
A: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。
B: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快。
C: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。
D: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。
答案: 【 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。】
14、单选题：
如下所述，有关新型半导体器件，表述正确的是：
选项：
A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。
B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。
C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
答案: 【 集成门极换流晶闸管简称IGCT。】
15、单选题：
有关功率集成电路，下面哪个表述是正确的？
选项：
A: 功率半控器件的驱动集成电路称为功率集成电路。
B: 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路封装在一起，称为功率集成电路。
C: 功率自关断器件称为功率集成电路。
D: 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。
答案: 【 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。】
16、判断题：
信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
17、判断题：
按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
18、判断题：
二极管的基本工作原理就在于PN结的单向导电性。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
19、判断题：
电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
20、判断题：
晶闸管反向阻断状态时，如果有触发电流IG，则晶闸管反向导通。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
21、判断题：
晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
22、判断题：
GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引出3个极。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
23、判断题：
电力晶体管也称为GTR，与普通的双极结型晶体管相比，耐压低但电流大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
24、判断题：
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
25、判断题：
电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流不利。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
26、判断题：
绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
27、判断题：
晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第2章电力电子器件的使用问题
第2次测试第2章
1、单选题：
关于驱动电路的电气隔离，表述正确的是下面哪个？
选项：
A: 电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用光隔离。
B: 电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用绝缘材料隔离。
C: 电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。
D: 电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用磁隔离。
答案: 【 电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。】
2、单选题：
关于晶闸管触发电路的输出脉冲，表述正确的是下面哪个？
选项：
A: 触发脉冲宽度应使晶闸管可靠导通，触发脉冲应有足够的宽度与幅度。
B: 触发脉冲瞬时功率不得大于平均功率定额。
C: 触发脉冲宽度无要求，触发脉冲应有足够的幅度。
D: 触发脉冲应有足够的幅度，触发脉冲宽度无要求。
答案: 【 触发脉冲宽度应使晶闸管可靠导通，触发脉冲应有足够的宽度与幅度。】
3、单选题：
关于相控驱动电路（晶闸管驱动电路），表述正确的是：
选项：
A: 相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同，两者相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
B: 相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
C: 相控驱动电路不需要同步环节，外加控制电压大小可以确定控制相位。
D: 相控驱动电路不需要同步环节，外加控制电压大小基本可以确定控制相位。
答案: 【 相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。】
4、单选题：
关于电力电子器件驱动，表述正确的是下面哪个？
选项：
A: IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流，对输出电压的驱动大小无特别规定。
B: MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大，对输出的驱动电压大小有规定。
C: MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大，对输出的驱动电压大小无特别规定。
D: GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
答案: 【 GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。】
5、单选题：
GTR驱动电路中的贝克钳位二极管是为了：
选项：
A: 使GTR截止。
B: 防止GTR导通时处于过饱和状态。
C: 防止GTR导通。
D: 防止GTR导通时处于欠饱和状态。
答案: 【 防止GTR导通时处于过饱和状态。】
6、单选题：
如下所述，关于电力电子装置过电压，表述正确的是：
选项：
A: 需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。
B: 雷击过电压是由电力电子装置外部产生的，不需要采取措施进行保护。
C: 电力电子装置过电压分为外因过电压、操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压5类。
D: 电力电子装置过电压分为操作过电压、雷击过电压、换相过电压、静态过电压4类。
答案: 【 需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。】
7、单选题：
关于电力电子装置过电流保护，表述正确的是下面哪一个？
选项：
A: 如果电力电子装置中已经安装了快速熔断器，则不需要其它过电流保护措施。
B: 对重要的、且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护，响应最快。
C: 快速熔断器仅用于部分区段的过载保护。
D: 快速熔断器仅用于短路时保护。
答案: 【 对重要的、且易发生短