大学MOOC 半导体制造技术(四川现代职业学院)1455469164 最新慕课完整章节测试答案

第一单元 单元测验

1、单选题：
‎双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是                ，其次制备的是                ，最后制备的是                ，依次为：‎
选项：
A: 集电区、基区、发射区
B: 基区、发射区、集电区
C: 栅区、源区、漏区
D: 发射区、基区、集电区
答案: 【 集电区、基区、发射区】

2、单选题：
集成电路的绝缘介质隔离技术中，最常用的介质是          。‏
选项：
A: 二氧化硅
B: 氮化硅
C: 多晶硅
D: 单晶硅
答案: 【 二氧化硅】

3、单选题：
‌常用的电阻率的测试方法是            ‎
选项：
A: 四探针法
B: 热探针法
C: 三探针法
D: 范德堡法
答案: 【 四探针法】

4、单选题：
​少数载流子寿命测试方法是            ‎
选项：
A: 光电导衰减法
B: 四探针法
C: 热探针法
D: 范德堡法
答案: 【 光电导衰减法】

5、单选题：
‏确定单晶硅导电类型的方法是            ‎‏‎
选项：
A: 热探针法
B: 四探针法
C: 三探针法
D: 范德堡法
答案: 【 热探针法】

6、单选题：
‍为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是            ‎
选项：
A: CMP
B: 研磨
C: 倒角
D: 化学腐蚀
答案: 【 CMP】

7、单选题：
‏当前半导体材料 应用最广泛的是            ‌
选项：
A: 硅
B: 锗
C: 砷化镓
D: 锗硅材料
答案: 【 硅】

8、单选题：
​硅片制备过程中 常常采用的定向方法是            ‎
选项：
A: 光点定向
B: 金刚砂
C: CMP
D: 研磨
答案: 【 光点定向】

9、单选题：
‌半导体行业用到的多晶硅纯度一般为            ‌
选项：
A: 电子级纯
B: 分子级纯
C: 原子级纯
D: 纳米级纯
答案: 【 电子级纯】

10、单选题：
​每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000，那么该环境的洁净等级为            ‍
选项：
A: 1000级
B: 10000级
C: 10级
D: 100级
答案: 【 1000级】

11、多选题：
集成电路，按照功能可以为             。‍‏‍
选项：
A: 双极型集成电路、MOS集成电路
B: 数模混合集成电路
C: 数字集成电路
D: 模拟集成电路
答案: 【 数模混合集成电路;
数字集成电路;
模拟集成电路】

12、多选题：
集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有         。‌‎‌
选项：
A: 外延隔离
B: 埋层隔离
C: PN结隔离
D: 介质隔离
答案: 【 PN结隔离;
介质隔离】

13、多选题：
‏制备单晶硅的方法有            ‎
选项：
A: 直拉法
B: 悬浮区熔法
C: 四探针法
D: 范德堡法
答案: 【 直拉法;
悬浮区熔法】

14、多选题：
‌单晶硅生长需要满足的条件            ‏
选项：
A: 加热，原子重新排列
B: 籽晶
C: 过冷温度
D: 浓度梯度
答案: 【 加热，原子重新排列;
籽晶;
过冷温度】

15、多选题：
‌直拉法制备单晶时，单晶炉中的电气控制系统主要控制的工艺参数有          ‎
选项：
A: 温度
B: 气压
C: 提拉速度
D: 转速
答案: 【 温度;
气压;
提拉速度;
转速】

16、多选题：
‌多晶硅的制备方法有            ‏
选项：
A:  三氯氢硅的氢还原法
B: 二氯氢硅的氢还原法
C: 硅烷的热分解法
D: 直拉法
答案: 【  三氯氢硅的氢还原法;
二氯氢硅的氢还原法;
硅烷的热分解法】

17、多选题：
‎直拉法制备硅单晶时，常常含有的杂质包括            ​
选项：
A: 碳
B: 氧
C: 金属
D: 颗粒
答案: 【 碳;
氧;
金属】

18、多选题：
‌半导体材料的特性主要包括            ‍
选项：
A: 电阻率的负温度系数比较大
B: 电阻率与随杂质或缺陷变关系很大
C: 霍尔效应和光点效应明显
D: 与金属接触容易出现整流效应
答案: 【 电阻率的负温度系数比较大;
电阻率与随杂质或缺陷变关系很大;
霍尔效应和光点效应明显;
与金属接触容易出现整流效应】

19、多选题：
​过滤器根据过滤效率一般可分为            ‏
选项：
A: 粗过滤器
B: 中效过滤器
C: 亚高效过滤器
D: 高效过滤器
答案: 【&