大学MOOC IC制造工艺(苏州工业园区服务外包职业学院)1207540801 最新慕课完整章节测试答案

单元1《集成电路制造工艺》单元测验

1、判断题：
‎微电子学的核心是集成电路。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‏纳米是长度的单位，1纳米为1微米的1000倍。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‍甚大规模集成电路ULSI出现于上世纪80年代。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、判断题：
‍SOC的出现说明集成电路的规模越来越大，SOC是指芯片级的系统。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‍CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、填空题：
‏摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每（）个月翻一番。‎
答案: 【 18】

7、填空题：
‏芯片的特征尺寸越小，芯片的集成度越（），速度越（），性能越（）。‏
答案: 【 高 快 好】

8、填空题：
‎随着集成电路的发展，芯片尺寸和硅片直径越来越（）。‏
答案: 【 大】

9、填空题：
‎双极型集成电路是以（）工艺为基础制造而成的。‍
答案: 【 双极型】

10、填空题：
‍NMOS与TTL晶体管的制作工艺（）。（相同/不同）‍
答案: 【 不同】

练一练

1、判断题：
​CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‏微电子学的核心是集成电路。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‎12英寸硅片的直径大约200mm。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、判断题：
‏微电子学中的空间尺度通常是以微米和纳米为单位的，其中，1nm=1000um。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‍微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律及其应用的学科。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

单元测试

1、单选题：
​半导体行业最常用的半导体材料是（）。‍
选项：
A: Si
B: Ge
C: 氮化镓
D: 砷化镓
答案: 【 Si】

2、单选题：
‎工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。‌
选项：
A: 直拉法
B: 区熔法
C: 三氯氢硅的氢还原法
D: 沉积法
答案: 【 三氯氢硅的氢还原法】

3、单选题：
​当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。‌
选项：
A: 还原法
B: 氧化法
C: 悬浮区熔法
D: 直拉法
答案: 【 直拉法】

4、单选题：
‌电子级纯的多晶硅的纯度为（）。​
选项：
A: 99.9999999%
B: 99.9999%
C: 99%
D: 99.9%
答案: 【 99.9999999%】

5、单选题：
‎硅的晶体结构是（）形状。‌
选项：
A: 无定形结构
B: 六面体结构
C: 平面结构
D: 四面体结构
答案: 【 四面体结构】

6、多选题：
‎多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。​
选项：
A: 原子具有一定的动能，以便重新排列
B: 要有排列标准
C: 低温环境
D: 排列好的原子能稳定下来
答案: 【 原子具有一定的动能，以便重新排列;
要有排列标准;
排列好的原子能稳定下来】

7、多选题：
‍在硅材料制备中产生的缺陷主要有（）、（）、（）和（）。‎
选项：
A: 点缺陷
B: 线缺陷
C: 面缺陷
D: 微缺陷
答案: 【 点缺陷;
线缺陷;
面缺陷;
微缺陷】

8、多选题：
‏硅圆片（即晶圆）的制备中需要进行切片，切片这一工序决定了硅片的（）（）（）（）参数？‎
选项：
A: 晶向
B: 厚度
C: 平行度
D: 翘度
答案: 【 晶向;
厚度;
平行度;
翘度】

9、多选题：
‏最常用的形成N型半导体的杂质有（）(  )和（）。‌
选项：
A: B
B: P
C: As
D: Sb
答案: 【 P;
As;
Sb】

10、多选题：
​以下（）、（）、（）、（）选项属于硅材料的优点。‍
选项：
A: 易于进行腐蚀加工
B: 带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2
C: 易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料
D: 易于进行n型和p型掺杂
答案: 【 易于进行腐蚀加工;
带隙大小适中、硅表面上很容易制备高质量的介电层SiO2;
易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料;
易于进行n型和p型掺杂】

11、判断题：
‍制备半导体级硅的过程：制备工业硅 、生长硅单晶、提纯。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

12、判断题：
‎目前使用的半导体材料主要有元素半导体、化合物半导体和杂质半导体三大类。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

13、判断题：
​单晶生长过程中使用到的籽晶的作用是作为排列的标准。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

14、判断题：
‎硅晶体中出现些缺陷是无关紧要的，不会有什么大的影响。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

15、判断题：
‌硅圆片制备中有一道工序是基准面研磨，主要是为了确定晶片的导电类型和晶向。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

16、填空题：
‏硅在自然界中主要以（）和（）的形式存在。‍
答案: 【 二氧化硅 硅酸盐##%_YZPRLFH_%##硅酸盐 二氧化硅】

17、填空题：
‍本征半导体在一定温度下，就会在热激发下产生（）和（）对，从而形成本征载流子浓度。‎
答案: 【 自由电子 空穴##%_YZPRLFH_%##空穴 自由电子】

18、填空题：
‎从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（  ）、（ ）和（ ）。‍
答案: 【 111 100 110##%_YZPRLFH_%##100 110 111##%_YZPRLFH_%##110 100 111】

19、填空题：
‏多晶是由若干个（）小单晶构成的。‌
答案: 【 取向不同】

20、填空题：
‍拉单晶的工艺过程可分为熔硅、下种、（）、放肩、（）、（）和收尾。‏
答案: 【 收颈 转肩 等径生长】

练一练

1、单选题：
‍下面选项中不属于晶圆制备中的整型处理的是（）。​
选项：
A: 倒角
B: 去掉两端 
C:  径向研磨 
D: 硅片定位边和定位槽  
答案: 【 倒角】

2、多选题：
‌从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（  ）、（）和（ ）‎
选项：
A: 100
B: 110 
C: 101
D: 111 
答案: 【 100;
110 ;
111 】

3、判断题：
‎成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‌晶圆的英文是 wafer 。  ‌‌‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、填空题：
‌晶圆制备的九个工艺步骤分别是（    ）、整型、（    ）、磨片倒角、刻蚀、（     ）、清洗、检查和包装。‏
答案: 【 单晶生长 切片 抛光】

单元测验

1、单选题：
‌RCA清洗属于（）清洗方法。‎
选项：
A: 干法清洗
B: 湿法清洗
C: 超声清洗
D: 等离子体清洗
答案: 【 湿法清洗】

2、单选题：
‏下面选项中（）不属于硅片加工厂常用的工艺用液态化学品。‏
选项：
A: HF和HNO3
B: NH4OH和KOH
C: 异丙醇和三氯乙烯
D: 氮气和氦气
答案: 【 氮气和氦气】

3、单选题：
‌物质的第四种形态是（）。‌
选项：
A: 固体
B: 液体
C: 气体
D: 等离子体
答案: 【 等离子体】

4、单选题：
‎一下关于去离子水的说法中正确的是（）。‍‎‍
选项：
A: 其中含有大量的导电的离子
B: PH值大于7
C: PH值等于7，为中性
D: 不能够溶解其他物质
答案: 【 PH值等于7，为中性】

5、单选题：
‏下面进入超净间或者洁净室的做法正确的是（）。‎
选项：
A: 可以戴隐形眼镜
B: 在超净间吃东西和喝水
C: 没有把超净服上衣扎在裤子里
D: 不让皮肤直接接触超净间的任何物体
答案: 【 不让皮肤直接接触超净间的任何物体】

6、多选题：
‌RCA标准清洗需要使用的清洗液有（）。​
选项：
A: SC-1
B: SC-2
C: SC-3
D: DHF
答案: 【 SC-1;
SC-2;
SC-3;
DHF】

7、多选题：
‍化学品在半导体制造中的状态有（）。‌‍‌
选项：
A: 固态
B: 气态
C: 等离子体
D: 液态
答案: 【 固态;
气态;
等离子体;
液态】

8、多选题：
‎在半导体制造中通常使用的碱性物质有（）。‍
选项：
A:  KOH    
B: NH4OH
C: NaOH 
D: TMAH
答案: 【  KOH    ;
NH4OH;
NaOH ;
TMAH】

9、多选题：
‍超净间（即洁净室）内的除尘设备有（）。​
选项：
A: 干燥器
B: 风淋室
C: 静电自净器
D: 真空除尘器
答案: 【 风淋室;
静电自净器;
真空除尘器】

10、多选题：
‌下面（）清洗方法属于干法清洗？​
选项：
A: 等离子体清洗
B: 无机清洗
C: 气相清洗
D: UV/O3清洗
答案: 【 等离子体清洗;
气相清洗;
UV/O3清洗】

11、判断题：
‌集成电路生产过程中需要的环境的洁净度的等级都是一样的。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

12、判断题：
‎不同行业都有自己的洁净技术的标准。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
‍在风淋室需要转动并拍打超净服，待指示灯点亮后方可离开风淋室。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

14、判断题：
‌集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源主要是去离子水，即超纯水。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、判断题：
‎氮气的作用是气化后可作为吹扫气体，也可作为降温用。‎‎‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

16、判断题：
​超声清洗常用的超声波为800-1200kHz。​​​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

17、判断题：
​在硅片厂一些特种气体是通过气体配送（BGD）系统以安全、清洁和精确的方式输送到不同的工艺站点。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

18、判断题：
​去离子水里面没有任何导电的离子，PH值为7，是中性的，能够溶解很多离子化合物和共价化合物。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19、判断题：
‎丙酮和硫酸都属于半导体制造中常用的溶剂。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

20、判断题：
‍HF可以刻蚀二氧化硅及清洗石英器皿使用。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

21、填空题：
‌洁净度为100级的概念是指每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（）个。‌‌‌
答案: 【 100】

22、填空题：
‎无机清洗主要可以利用（）去除有机物，或者利用（）去除表面沾污的金属离子。‏‎‏
答案: 【 强氧化性 腐蚀性】

23、填空题：
‍超纯水又称为（）水，是指既将水中的导电介质几乎完全去除，又将水中不离解的胶体物质、气体及有机物均去除至很低程度的水。‌
答案: 【 去离子水】

24、填空题：
​在常压下，液氮温度为（）度，1立方米的液氮可以膨胀至（）立方米 21°C的纯气态氮。‏
答案: 【 -196 696】

25、填空题：
‏硅片最常见的沾污类型有（）、（）、（）、（）和（）。‌
答案: 【 颗粒 有机物 金属 自然氧化层 静电释放】

练一练

1、单选题：
​下面气体中不属于特种气体的是（）。‎​  ‎​‎
选项：
A: AsH3  掺杂的砷源
B: BF3、BCl3 掺杂的硼源
C:  NH3工艺气体
D: N2，Ar，He
答案: 【 N2，Ar，He】

2、单选题：
​以下（）不是一些在硅片加工中常用的酸。‌
选项：
A: HF
B: HCL、H3PO4
C: H2SO4、 HNO3 
D: TMAH
答案: 【 TMAH】

3、多选题：
‎半导体制造中常用的溶剂有（）、（）、（）和（）。‏
选项：
A: 去离子水和异丙醇   
B: 三氯乙烯      
C: 丙酮          
D: 二甲苯 
答案: 【 去离子水和异丙醇   ;
三氯乙烯      ;
丙酮          ;
二甲苯 】

4、判断题：
​等离子体为物质的第四种形态，当有高能电离的原子或分子的聚集体存在时就会出现等离子体。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‎氦气和氩气是广泛应用于半导体制造业肿的活性气体。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

单元测试

1、单选题：
​下列选项中不属于二氧化硅层厚度检测方法的是(   )。​
选项：
A: 比色法   
B: 光学干涉法 
C: 椭圆偏振法
D: 三探针法
答案: 【 三探针法】

2、单选题：
‍二氧化硅最常用的腐蚀液是(   )‎‍‎
选项：
A: HNO3 
B: HF  
C: H3PO4       
D: KOH
答案: 【 HF  】

3、单选题：
‏二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（）  ‏‏⑴ 对杂质的掩蔽作用  ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料  ⑸ 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料‏‏‏‏‏
选项：
A: A．⑴⑵ 
B: B. ⑴⑵⑶  
C: C. ⑴⑵⑷⑸ 
D: D. ⑴⑵⑶⑷⑸ 
答案: 【 D. ⑴⑵⑶⑷⑸ 】

4、单选题：
​LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：