大学MOOC 半导体物理学(西安邮电大学)1450161231 最新慕课完整章节测试答案
第二讲半导体中杂质和缺陷能级
第一、二讲单元测试
1、单选题：
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（ ）。
选项：
A: 比半导体的大
B: 比半导体的小
C: 与半导体的相等
D: 无法比较
答案: 【 比半导体的大 】
2、单选题：
半导体中，能带越窄，有效质量（ ）。
选项：
A: 越大
B: 不变
C: 越小
D: 呈指数增加
答案: 【 越大】
3、单选题：
波矢k描述了晶体中（ ）的量子状态。
选项：
A: 能级
B: 电子共有化运动
C: 能带
D: 能量
答案: 【 电子共有化运动】
4、单选题：
具有金刚石结构的半导体材料为（ ）。
选项：
A: Si
B: GaAs
C: ZnO
D: ZnS
答案: 【 Si】
5、单选题：
具有闪锌矿结构的半导体材料为（ ）。
选项：
A: Si
B: Ge
C: GaAs
D: CdTe
答案: 【 GaAs】
6、单选题：
电子在晶体中的共有化运动指的是（ ）。
选项：
A: 电子在晶体中各处出现的几率相同
B: 电子在晶胞中各点出现的几率相同
C: 电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同
D: 电子在晶体各元胞对应点有相同的相位
答案: 【 电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同】
7、单选题：
砷化镓的导带极值位于在布里渊区（ ）。
选项：
A: 中心
B: <111>方向近边界处
C: <100>方向近边界处
D: <110>方向近边界处
答案: 【 中心】
8、单选题：
硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。
选项：
A: <110>
B: <100>
C: <111>
D: [110]
答案: 【 <100>】
9、单选题：
重空穴指的是（ ）。
选项：
A: 质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B: 价带顶附近曲率半径较大的等能面上的空穴
C: 价带顶附近曲率半径较小的等能面上的空穴
D: 自旋-轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
答案: 【 价带顶附近曲率半径较大的等能面上的空穴】
10、单选题：
等能面是指（ ）。
选项：
A: k空间中能量相同各点构成的曲面壁
B: k空间中一定k值处的能量面
C: k空间极值点附近k值一定的能量
D: k空间极值点处k值一定的能量
答案: 【 k空间中能量相同各点构成的曲面壁】
11、单选题：
空穴的正确概念是（ ）。
选项：
A: 半导体中带一个正电荷，质量为正的粒子
B: 半导体中晶格空位的抽象描述
C: 价带中未被电子占据的空穴的等价描述
D: 半导体中具有正有效质量的带电粒子
答案: 【 价带中未被电子占据的空穴的等价描述】
12、单选题：
半导体、金属和绝缘体的禁带宽度不同，其导电特性不一样，金属的禁带宽度（ ）半导体禁带宽度。
选项：
A: 大于
B: 等于
C: 小于
D: 没有可比性
答案: 【 小于】
13、单选题：
下列（ ）元素在Si中是形成施主杂质。
选项：
A: B
B: Al
C: P
D: Ge
答案: 【 P】
14、单选题：
（ ）的半导体是双极半导体。
选项：
A: III-V族化合物中III族和V族原子荷电状态不同
B: 存在电子和空穴两个子系统
C: 一种可实现n型和p型掺杂
D: 能形成等电子陷阱
答案: 【 一种可实现n型和p型掺杂】
15、单选题：
下列半导体材料中，属于p型半导体的是（ ）。
选项：
A: 硅中掺入硼
B: 锗掺入磷
C: 硅中掺入碳
D: 锗掺入碳
答案: 【 硅中掺入硼】
16、单选题：
下列半导体材料中，属于n型半导体的是（ ）。
选项：
A: 硅中掺入硼
B: 硅中掺入碳
C: 锗中掺入磷
D: 锗中掺入碳
答案: 【 锗中掺入磷】
17、单选题：
下列半导体材料中，表现为双极性行为的是（ ）。
选项：
A: 磷化镓中的锗
B: 磷化镓中的硅
C: 磷化镓中的锗
D: 磷化铟中的硅
答案: 【 磷化镓中的硅】
18、单选题：
下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（ ）。
选项：
A: 硅
B: 锗
C: 砷化镓
D: 碳
答案: 【 砷化镓】
19、单选题：
本征锗中掺入III价元素杂质，为（ ）型半导体。
选项：
A: 空穴
B: 施主
C: 电子
D: n型
答案: 【 空穴】
20、单选题：
本征硅中掺入Ⅴ价元素杂质，为（ ）型半导体。
选项：
A: 空穴
B: 电子
C: 受主
D: p型
答案: 【 电子】
21、单选题：
间隙原子和空位成对出现的缺陷是（ ）。
选项：
A: 肖特基缺陷
B: 弗仑克耳缺陷
C: 反结构缺陷
D: 替位原子
答案: 【 弗仑克耳缺陷】
22、单选题：
本征激发后向半导体提供（ ）。
选项：
A: 空穴
B: 电子
C: 电子和空穴
D: 带电粒子
答案: 【 电子和空穴】
23、单选题：
只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为（ ）。
选项：
A: 肖特基缺陷
B: 弗仑克耳缺陷
C: 反结构缺陷
D: 空位缺陷
答案: 【 肖特基缺陷】
24、单选题：
硫化铅在硫分压大的气氛中处理后获得（ ）硫化铅。
选项：
A: n型
B: p型
C: 含有杂质
D: 纯净
答案: 【 p型】
25、单选题：
对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（ ）。
选项：
A: 禁带宽度增大
B: 禁带宽度变小
C: 最低导带极值从布里渊区中心移向边界
D: 最低的导带极值从布里渊区中心不变
答案: 【 禁带宽度变小】
26、单选题：
棱位错导致晶格发生畸变，在晶格伸张区禁带宽度（ ）。
选项：
A: 变大
B: 减小
C: 不变
D: 以上都不是
答案: 【 减小】
27、单选题：
Ⅱ-Ⅵ族化合物中的正离子空位Vm是（ ）。
选项：
A: 施主
B: 受主
C: 中性
D: 以上都不是
答案: 【 受主】
28、单选题：
对于元素半导体，控制导电类型的主要方法为（ ）。
选项：
A: 引入杂质
B: 增大浓度
C: 减小浓度
D: 改变温度
答案: 【 引入杂质】
29、单选题：
在半导体中起复合中心的作用杂质是（ ）。
选项：
A: 浅能级杂质
B: 深能级杂质
C: 施主杂质
D: 受主杂质
答案: 【 深能级杂质】
30、单选题：
当Ⅲ-Ⅴ族砷化镓中掺入硅，如果硅替位砷，则硅为（ ）。
选项：
A: 施主杂质
B: 受主杂质
C: 两性杂质
D: 等电子杂质
答案: 【 受主杂质】
31、判断题：
主要依靠价带空穴导电的称为n型半导体。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
32、判断题：
能级和能带是同一个概念。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
33、判断题：
电子有效质量等于空穴有效质量。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
34、判断题：
引进有效质量的意义在于它概括了半导体外部和内部势场的作用。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
35、判断题：
N度简并的能级分裂成N个能级和能带（不计原子本身简并）。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
36、判断题：
固体能够导电，是由于固体中电子在外电场作用下做定向运动的结果，即电子与外电场间发生能量交换。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
37、判断题：
简约布里渊区就是晶体倒格子点阵的魏格纳-塞兹原胞。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
38、判断题：
在共价性化合物半导体中，结合的性质具有不同程度的离子性，常称这类半导体为极性半导体。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
39、判断题：
空穴是为简便描述价带（未填满）的电流而引进的一个假想粒子，具有正的有效质量。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
40、判断题：
金刚石结构和闪锌矿结构一样，是由同种元素构成，化学键为共价键。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
41、判断题：
绝缘体和半导体类似，在热力学零度时，在外电场的作用下并不导电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
42、判断题：
能带越窄，有效质量越小，能带越宽，有效质量越大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
43、判断题：
少量空状态可以用带有正电荷和具有一定质量的空穴来描述。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
44、判断题：
硅半导体中的空穴一般指的是轻空穴。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
45、判断题：
硅、锗和砷化镓的价带结构基本上相同，价带顶都位于布里渊区中心。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
46、判断题：
施主能级接近导带、受主能级接近价带，相应的杂质称为深能级杂质。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
47、判断题：
深能级杂质能向导带提供电子或价带提供空穴，改变半导体的导电性能。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
48、判断题：
高纯度半导体是杂质高度补偿的结果。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
49、判断题：
两性杂质是指在半导体中既可作施主又可作受主的杂质。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
50、判断题：
金在锗中通常产生一个施主能级和两个受主能级。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第四讲半导体的导电性
第三、四讲单元测试
1、单选题：
在空穴的费米分布函数中，当满足（ ）条件时，其费米分布函数就转化为玻耳兹曼分布函数。
选项：
A: E－EF˃˃k0T
B: EF－E˃˃k0T
C: E－EF=k0T
D: 以上都不对
答案: 【 EF－E˃˃k0T】
2、单选题：
对于给定的半导体，随着温度的升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率（ ）。
选项：
A: 上升
B: 下降
C: 不变
D: 先上升再下降
答案: 【 下降】
3、单选题：
轻掺杂时，当温度一定，半导体掺杂浓度减少，其导电性（ ）。
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 先增大后减小
答案: 【 减小】
4、单选题：
n型半导体，费米能级越靠近导带底，其掺杂浓度（ ）。
选项：
A: 越高
B: 越低
C: 不变
D: 以上都不对
答案: 【 越高】
5、单选题：
对于非简并n型半导体，如果杂质浓度一定，则随着温度的升高，EF将逐渐远离（ &nbs