大学MOOC 半导体物理C(武汉理工大学)1451721181 最新慕课完整章节测试答案

测试1

1、多选题：
关于半导体、导体、绝缘体的描述正确的是？‏
选项：
A: 绝缘体具有最小的电导率
B: 导体的能带中有大量的电子，为半满带，故其具有较小的电阻率
C: 绝缘体具有较大的禁带宽度，在室温条件下，电子很难被激发至导带
D: 半导体中存在两种载流子
答案: 【 绝缘体具有最小的电导率;
导体的能带中有大量的电子，为半满带，故其具有较小的电阻率;
绝缘体具有较大的禁带宽度，在室温条件下，电子很难被激发至导带;
半导体中存在两种载流子】

2、多选题：
关于导带电子和价带空穴，以下描述正确的是？‍
选项：
A: 由于能量最低性原理，导带的电子主要填充于导带的底部
B: 导带电子和价带空穴的有效质量均为正值
C: 电子有效质量的大小与其所处能带的曲率有关
D: 空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动
答案: 【 由于能量最低性原理，导带的电子主要填充于导带的底部;
导带电子和价带空穴的有效质量均为正值;
电子有效质量的大小与其所处能带的曲率有关;
空穴运动的本质是受共价键束缚的电子在共价键的等价位置间的运动】

3、判断题：
1. 半导体中所有的电子可以做近自由运动。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、判断题：
半导体材料在绝对0K的温度下不导电。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
硅和锗原子的最外层电子为4个，它们以共价键的形式构成具有金刚石结构的半导体。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‌硅是一种间接带隙半导体，而锗是一种直接带隙半导体。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
半导体在满带状态下对电流无贡献。在本征激发的作用下，价带电子会被激发至导带，因此，只有导带电子在电场作用下会对电流有贡献。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
本征半导体是一种没有杂质、没有缺陷的半导体。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

测试2

1、单选题：
​在完全相同的条件下，以下哪种情况最容易发生？‍
选项：
A: 本征激发
B: 杂质的补偿
C: 浅能级杂质的电离
D: 深能级杂质的电离
答案: 【 杂质的补偿】

2、单选题：
‍如果在本征半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主杂质浓度大于受主杂质浓度，会造成什么结果？​
选项：
A: 通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体。
B: 施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体。
C: 通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体。
D: 施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差。
答案: 【 通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体。】

3、多选题：
‌以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是‏
选项：
A: 受主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
B: 本征半导体中载流子由本征激发产生。
C: n型半导体主要依靠导带电子导电。
D: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
答案: 【 本征半导体中载流子由本征激发产生。;
n型半导体主要依靠导带电子导电。;
纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。】

4、多选题：
‍以下情况属于杂质电离的是？‍
选项：
A: 施主态上的电子跃迁到导带。
B: 受主态上的空穴跃迁到价带。
C: 价带的电子跃迁到导带。
D: 导带的电子跃迁到价带。
答案: 【 施主态上的电子跃迁到导带。;
受主态上的空穴跃迁到价带。】