大学MOOC 半导体器件物理与工艺B(盐城工学院)1454585162 最新慕课完整章节测试答案
第一章半导体的特性
半导体中的电子状态课堂练习
1、单选题：
1、以下关于本征半导体的说法，哪个是不正确的
选项：
A: 本征半导体就是不掺杂的半导体
B: 本征半导体中的载流子是由于本征激发产生的
C: 本征激发产生的载流子多少只和温度有关
D: 本征激发产生的电子和空穴总是一样多
答案: 【 本征激发产生的载流子多少只和温度有关 】
2、判断题：
2、导带和价带间应该是不会被电子占据的
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
3、只有导带才可以有电子填充，从而实现导电
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
半导体特性测验
1、单选题：
半导体接受光照，会使材料导电性能 ，电阻率
选项：
A: 上升，；上升
B: 下降，上升
C: 上升，下降
D: 下降，下降
答案: 【 上升，下降】
2、单选题：
以下说法正确的是
选项：
A: 价带肯定是满带
B: 导带肯定是空带
C: 禁带宽度的单位是长度单位
D: Ev是指价带顶
E: Ec是指导带底
答案: 【 Ev是指价带顶;
Ec是指导带底】
3、单选题：
以下说法正确的是
选项：
A: 迁移率随着杂质浓度的增加而增加
B: 电阻率与杂质浓度成反比
C: 漂移运动是指浓度差作用下的载流子运动
D: 载流子的漂移速度只和温度及杂质浓度有关
答案: 【 电阻率与杂质浓度成反比】
4、单选题：
以下说法不正确的是
选项：
A: 温度越高，扩散越容易
B: 影响漂移和扩散的因素基本类似
C: 载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在
D: 同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样
答案: 【 载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在】
5、单选题：
磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是
选项：
A: 是深能级杂质
B: 是间隙杂质
C: 是施主杂质
D: 电离后带负电
答案: 【 是施主杂质】
6、单选题：
关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是
选项：
A: N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B: N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C: N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，
D: N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
答案: 【 N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度】
7、单选题：
已知硅半导体中每立方厘米掺有1
个硼原子，则：
选项：
A: 这是N-Si
B: 电子浓度为
C: 该半导体中空穴为少数载流子
D: 该半导体的费米能级在禁带中心下方
答案: 【 该半导体的费米能级在禁带中心下方】
8、单选题：
关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有
选项：
A: 电子会顺着浓度差方向扩散
B: 空穴会顺着浓度差方向扩散
C: 电子会顺着电场方向漂移
D: 空穴会顺着电场方向漂移
答案: 【 电子会顺着电场方向漂移】
9、单选题：
关于硅的晶体结构，以下说法正确的是
选项：
A: 硅是闪锌矿结构
B: 单晶硅中原子排列整齐有序，所以单晶硅不同晶面的性质也是一样的
C: 多晶硅长程无序，芯片制造中是不会使用多晶硅的
D: 单晶硅中最常见的晶向是[100]，[110]，[111]
答案: 【 单晶硅中最常见的晶向是[100]，[110]，[111]】
10、单选题：
若半导体中硼的浓度为
，磷的浓度为
则
选项：
A: 该半导体为N型半导体，多子是电子
B: 该半导体为N型半导体，多子是空穴
C: 该半导体为P型半导体，多子是电子
D: 该半导体为P型半导体，多子是空穴
答案: 【 该半导体为P型半导体，多子是空穴】
11、判断题：
热平衡是指当复合和产生都不再进行时的状态
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
12、判断题：
半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
13、判断题：
轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
14、判断题：
半导体中复合作用越强，其非平衡少子扩散长度越大
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
15、判断题：
允带和允带间的能量间隔就是禁带
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
16、判断题：
半导体的导电性会随着温度升高而增强，是因为本征激发的存在
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
17、判断题：
位错，层错等缺陷越多，半导体的少子寿命越短
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
18、判断题：
P型半导体不能转变成N型半导体
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
19、判断题：
小注入条件是指注入的非平衡少数载流子浓度远小于半导体中的多子浓度
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
20、判断题：
浅能级杂质如磷，硼，一般是会影响半导体的复合作用深能级杂质如金，一般是会影响半导体的导电性
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
课堂练习半导体的基本特性
1、单选题：
1、以下哪个不是半导体的基本特性
选项：
A: 光敏
B: 热敏
C: 掺杂
D: 压敏
答案: 【 压敏】
2、单选题：
2、单晶硅的晶体结构是哪一种
选项：
A: 体心立方
B: 面心立方
C: 金刚石
D: 闪锌矿
答案: 【 金刚石】
3、单选题：
3、单晶硅中最重要的晶面有几个
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】
4、单选题：
4、常用半导休的元素是元素周期表中的哪一族元素
选项：
A: VI
B: III
C: IV
D: V
答案: 【 IV】
5、单选题：
5、图中所示晶面的密勒指数是（ ）
选项：
A: （2，1，3）
B: （3，6，2）
C: （6，3，2）
D: （1，2，3）
答案: 【 （2，1，3）】
随堂测验杂质半导体
1、单选题：
1、硼原子在硅中属于哪种杂质
选项：
A: 替位式杂质
B: 间隙式杂质
C: 层错
D: 位错
答案: 【 替位式杂质】
2、单选题：
2、以下半于杂质半导体，说法不正确的是
选项：
A: N型半导体中多子是电子，少子是空穴
B: P型半导体可以掺磷（P）得到
C: P型半导体主要靠空穴导电
D: 向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体
答案: 【 P型半导体可以掺磷（P）得到】
3、判断题：
3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】