大学MOOC 蔡元博-模拟电子技术(天津职业大学)1452228194 最新慕课完整章节测试答案

小练习

1、单选题：
​二极管具有（   ）特性。‌
选项：
A: 单向导电性
B: 双向导电性
C: 电流放大作用
D: 电压放大作用
答案: 【 单向导电性】

2、单选题：
‏二极管的整流作用可以将交流电转换成（    ）。‎
选项：
A: 稳定的直流电
B: 单向脉动的直流电
C: 方波
D: 锯齿波
答案: 【 单向脉动的直流电】

3、单选题：
​关于二极管的限幅作用，下列说法不正确的是（   ）。‌
选项：
A: 降低信号幅度，保护某些器件不受大的信号电压作用而损坏。
B: 利用二极管可以实现双向限幅
C: 利用二极管导通后压降很小且基本不变的特性，使输出电压幅度限制在某一电压值内。
D: 以上都不对
答案: 【 以上都不对】

4、单选题：
‌关于二极管的开关作用，下列说法正确的是（  ）。‎
选项：
A: 二极管正向导通时，流过的电流很小；反向截止时，流过的电流很大
B: 任何情况下，二极管的正向导通电压都可以忽略。
C: 理想二极管正向导通时，相当于开关断开；反向截止时，相当于开关闭合。
D: 理想二极管正向导通时，相当于开关闭合；反向截止时，相当于开关断开。
答案: 【 理想二极管正向导通时，相当于开关闭合；反向截止时，相当于开关断开。】

5、单选题：
‌下面电路中的二极管，在电路中起到（    ）作用。‎
选项：
A: 整流
B: 保护
C: 限幅
D: 开关
答案: 【 保护】

项目一任务1小测试

1、单选题：
‏流过二极管的正向电流增大，则其直流电阻将(    )。‌
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 减小】

2、单选题：
温度升高时，三极管的电流放大系数β将(    )。‏‎‏
选项：
A: 变大
B: 变小
C: 不变
D: 无法判断
答案: 【 变大】

3、单选题：
‎硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(    )。‏
选项：
A: 减小
B: 增大 
C: 基本不变
D: 无法判断
答案: 【 基本不变】

4、单选题：
‎在放大电路中测得某三极管各极电位如下：①脚为3V，②脚为3.7V，③脚为6V，则该管为( )。‌
选项：
A: NPN型硅管
B: NPN型锗管
C: PNP型硅管
D: PNP型锗管
答案: 【 NPN型硅管】

5、单选题：
‏当晶体管的两个PN结都反偏时，则其处于(   )。‏
选项：
A: 截止状态
B: 饱和状态
C: 放大状态
D: 无法判断
答案: 【 截止状态】

6、判断题：
二极管只要加正向电压，就能导通。(     )‌‏‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
只要稳压二极管两端加反向电压，稳压管就能起稳压作用。(    )‎‌‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（   ）‏‏‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、判断题：
晶体三极管是电流控制型器件。 (    )‎‏‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‌用万用表测试晶体管时，应该选择欧姆档R×10K档位。(    )‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

项目一任务1练习

1、单选题：
​硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(    )。‏
选项：
A: 基本不变
B: 减小
C: 增大
D: 先减小，再增大
答案: 【 基本不变】

2、单选题：
‎稳压二极管是利用PN结的（    ）实现稳压的。‌
选项：
A: 单向导电性
B: 反向截止特性
C: 反向击穿特性
D: 电容特性
答案: 【 反向击穿特性】

3、单选题：
​P型半导体是在本征半导体中加入微量的（    ）元素构成的。‌
选项：
A: 三价
B: 四价
C: 五价
D: 六价
答案: 【 三价】

4、单选题：
‎杂质半导体中多子浓度主要取决于(   )。‌
选项：
A: 掺入的杂质数量
B: 环境温度
C: 掺杂工艺
D: 晶体结构
答案: 【 掺入的杂质数量】

5、单选题：
‌杂质半导体中少子浓度主要取决于(   )。‏
选项：
A: 掺入的杂质数量
B: 环境温度
C: 掺杂工艺
D: 晶体结构
答案: 【 环境温度】

6、单选题：
‎PN结反向偏置时，其耗尽层会(    )。‏
选项：
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 变宽】

7、单选题：
‍当温度升高时，二极管的正向压降(    )​
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 减小】

8、单选题：
​当温度升高时，二极管的反向击穿电压(    )‏
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 减小】

9、单选题：
‏当温度升高时，二极管的反向饱和电流(    )‎
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 增大】

10、单选题：
‌变容二极管在电路中主要用作(  )‏
选项：
A: 整流
B: 稳压
C: 发光
D: 可变电容
答案: 【 可变电容】

11、单选题：
‎二极管两端加上正向电压时(    ) ‌
选项：
A: 一定导通
B: 超过死区电压才能导
C:  超过0.7V才导通
D: 不导通
答案: 【 超过死区电压才能导】

12、单选题：
用指针式万用表测同一只二极管的正向电阻，不同欧姆档测得的阻值不同，其原因是(    )。‍‍‍
选项：
A: 二极管的质量差
B: 万用表不同欧姆档有不同的内阻
C:  二极管有非线性的伏安特性
D: 万用表接触不良
答案: 【  二极管有非线性的伏安特性】

13、单选题：
‌常见的1N4001型号的二极管，其外壳上带有白圈的一端是二极管的（    ）极‎
选项：
A: 正极(阳极)
B: 负极(阴极)
C: 基极
D: 发射极
答案: 【 负极(阴极)】

14、单选题：
‎在常温下，硅二极管的死区电压约为（）V‏
选项：
A: 0.1
B: 0.3
C: 0.5
D: 0.7
答案: 【 0.5】

15、单选题：
‎在常温下，锗二极管的死区电压约为（）V‌
选项：
A: 0.1
B: 0.3
C: 0.5
D: 0.7
答案: 【 0.1】

16、单选题：
‍在常温下，锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。​
选项：
A: 0.1-0.2
B: 0.2-0.3
C: 0.5-0.6
D: 0.6-0.7
答案: 【 0.2-0.3】

17、单选题：
‏在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。‎
选项：
A: 0.1-0.2
B: 0.2-0.3
C: 0.5-0.6
D: 0.6-0.7
答案: 【 0.6-0.7】

18、判断题：
‎由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

19、判断题：
​二极管只要加正向电压，就能导通。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

20、判断题：
​无论何种二极管，只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

21、判断题：
​只要稳压二极管两端加反向电压，稳压管就能起稳压作用。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

22、判断题：
‍用万用表测试晶体管时，应该选择欧姆档R×10K档位。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

23、填空题：
‌PN结正向偏置是将       极接电路的高电位点。‍
答案: 【 阳##%_YZPRLFH_%##正】

24、填空题：
‍PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为              。‎
答案: 【 单向导电性】

25、填空题：
‌当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被             ‎
答案: 【 击穿损坏】

26、填空题：

‎二极管正偏时的正向压降为0.7V，估算UA值                                              

‍答案: 【 6.2】

27、填空题：

‎二极管正偏时的正向压降为0.7V，估算UB值

‏答案: 【 6.9】

项目一任务2小测试

1、单选题：
‎用指针式万用表对晶体管进行简易测试时，应选用欧姆挡R(   )或R×1k档进行测量。​
选项：
A: ×0.1 
B: ×10 
C: ×100
D: ×10k
答案: 【 ×100】

2、单选题：
‌用指针式万用表测同一只二极管的正向电阻，不同欧姆档测得的阻值不同，其原因是(   )。‍
选项：
A: 二极管的质量差
B: 万用表不同欧姆档有不同的内阻
C: 二极管有非线性的伏安特性
D: 不确定
答案: 【 二极管有非线性的伏安特性】

3、单选题：
‌用指针式万用表 R×1kΩ的电阻档测量一只能正常放大的三极管，若用黑表棒接触一只管脚，红表棒分别接触另两只管脚时测得的电阻值都较小，则该三极管是(    )。​
选项：
A: PNP型
B: NPN型
C: 无法确定
D: 都有可能
答案: 【 NPN型】

4、单选题：
测量(    )时通用示波器的VOLTS/DIV旋钮的“微调”旋钮应置于“校准”位置。