大学MOOC 模拟电子电路与技术基础(景德镇陶瓷大学)1450318491 最新慕课完整章节测试答案

同相比例放大器及反相比例放大器

1、判断题：

‎

‌选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：

‌

​选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

微分器

1、判断题：
‎微分器可实现信号的90度移相 (  )‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

电压——电流变换器及电流——电压变换器A

1、判断题：
‎电压---电流变换器的负载电流IL与负载电阻RL成正比    (  ) ‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

相减器A

1、单选题：

‌

‍选项：
A: 反相比例放大器
B: 反相相加器
C: 相减器
D: 同相比例放大器
答案: 【 相减器】

2、判断题：
‌要实现信号相减, 被减信号应加到运放反相端, 减信号应加到同相端  (  )‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

相减器B

1、判断题：
‍相减器也可实现信号直流电平的移位‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

相加器

1、判断题：
在反相相加器中，运放反相端可视为”虚地”。  （ ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‏欲将正弦信号叠加一个直流电压, 可选用相加器   （ ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

积分器

1、判断题：
‌积分器可将方波变换为三角波, 余弦波变换为正弦波   (  ) ‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‏积分器可实现信号的-90度移相 (  )​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

集成运算放大器应用基础符号、模型、传输特性

1、判断题：

‎

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：

​

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

MOS场效应管的工作原理和特性参数

1、单选题：
‏有关场效应管，以下说法错误的是（　）‍‏‍
选项：
A: 场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电
B: 在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制
C: 在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系
D: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
答案: 【 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小】

P--N结

1、判断题：
‌P--N结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。‍‌‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‎P--N结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。​‎​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

半导体物理基础

1、判断题：
‍N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。​‍​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
​载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。‎​‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

双极型三极管和场效应管的低频小信号模型

1、判断题：
‍降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。‌‍‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
​rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为  厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。‌​‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管工作原理

1、判断题：
‎晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。​‎​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：

‌

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例

1、判断题：

测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管,

‍

且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c,

‍

‍U3对应的是基极b。

‍

‍

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

双极型晶体管特性曲线

1、判断题：
​晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。‏​‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的​​控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。​​​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

各类场效应管对比双极型三极管与场效应管对比

1、单选题：

‍

‍选项：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOSFET
D:   P沟道耗尽型MOSFET
答案: 【 N沟道增强型MOSFET】

晶体二极管特性及参数

1、判断题：
​理想二极管等效于一个理想开关, 正偏导通时相当于短路，反偏截止时相当于开路。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

稳压二极管及其他二极管

1、判断题：
‍稳压二极管的工作区在反向击穿区, 而不是在正向导通区。​‍​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2、判断题：
‎某稳压二极管的允许功耗为300mW, 稳定电压为6V, 则稳压管最大允许的反向电流为50mA。‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【