大学MOOC 模拟电子技术基础(江西师范大学)1460907182 最新慕课完整章节测试答案
第二章集成运算放大器的基本应用
文章目录
同相比例放大器及反相比例放大器
1、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
微分器
1、判断题：
微分器可实现信号的90度移相 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
电压——电流变换器及电流——电压变换器A
1、判断题：
电压---电流变换器的负载电流IL与负载电阻RL成正比 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
相减器A
1、单选题：
选项：
A: 反相比例放大器
B: 反相相加器
C: 相减器
D: 同相比例放大器
答案: 【 相减器】
2、判断题：
要实现信号相减, 被减信号应加到运放反相端, 减信号应加到同相端 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
相减器B
1、判断题：
相减器也可实现信号直流电平的移位
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
相加器
1、判断题：
在反相相加器中，运放反相端可视为”虚地”。 （ ）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
欲将正弦信号叠加一个直流电压, 可选用相加器 （ ）
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
积分器
1、判断题：
积分器可将方波变换为三角波, 余弦波变换为正弦波 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
积分器可实现信号的-90度移相 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
集成运算放大器应用基础符号、模型、传输特性
1、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
集成运算放大器的基本应用
1、单选题：
欲将正弦信号叠加一个直流电压, 应选用：
选项：
A: 比例放大器
B: 相加器
C: 微分器
D: 积分器
答案: 【 相加器】
2、单选题：
欲要消除共模干扰，应选用：
选项：
A: 比例放大器
B: 相加器
C: 相减器
D: 积分器
答案: 【 相减器】
3、单选题：
要实现运放基本运算电路，可：
选项：
A: 开环工作
B: 必引入负反馈
C: 必引入正反馈
D: 只能加电阻反馈
答案: 【 必引入负反馈】
4、单选题：
选项：
A: -4
B: +2
C: -1
D: -2
答案: 【 -2】
5、单选题：
电路如图1所示，则该电路的输入电阻Rif等于 ( )
选项：
A: 5k
B: 10k
C: 20k
D: 10k+10k//20k
答案: 【 10k】
6、单选题：
选项：
A: 3
B: 5
C: 4
D: 2
答案: 【 5】
7、单选题：
电路如图2所示，则该电路的输入电阻Rif等于 ( )
选项：
A: 10k
B: 无穷大
C: 10k+10k//10k
D: 10k+10k//10k//20k
答案: 【 无穷大】
8、单选题：
电路如图4所示，则该电路的输出电压为 ( )
选项：
A: +4V
B: -5V
C: +1V
D: -1V
答案: 【 -1V】
9、单选题：
电路如图5所示，则该电路的输出电压为 ( )
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
10、单选题：
电路如图6所示，则该电路的输出电压为 ( )
选项：
A: -9V
B: -6V
C: +3V
D: +10V
答案: 【 +3V】
11、单选题：
选项：
A: 反相比例放大器
B: 微分器
C: 相减器
D: 反相积分器
答案: 【 反相积分器】
12、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
13、判断题：
理想运放”虚短路”的概念在任何条件下都成立 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
14、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、判断题：
反相比例放大器放大倍数绝对值可大于1, 也可等于1, 也可小于1。 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
16、判断题：
同相比例放大器中, 运放输入端存在共模电压 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
17、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
18、判断题：
积分器的高频增益小, 有滤除高频的功能 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
19、判断题：
积分器可将方波变换为三角波, 积分时常数越大，输出三角波幅度越小 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
20、判断题：
将一个直流电压积分, 其输出最终必为电源电压 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
21、判断题：
微分器可将三角波变换为方波, 余弦波变换为正弦波 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
22、判断题：
微分器的高频增益大, 不利于滤除高频噪声 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
23、判断题：
电压---电流变换器的负载电流IL与输入电压成正比, 与负载电阻RL大小无关 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
24、判断题：
图1和图2的输出电阻Ro均为零 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
25、判断题：
电路如图3所示，则该电路的输出电压为-12V ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第三章有源RC滤波器
有源RC滤波器实现1.A——一阶有源滤波器
1、单选题：
电路如图1所示，该电路的通带增益为 ( )
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
有源RC滤波器实现1.B——二阶Sallen-Key滤波器
1、单选题：
要从方波中滤出基波分量应采用 ( )
选项：
A: 低通滤波器
B: 高通滤波器
C: 带通滤波器
D: 带阻滤波器
答案: 【 低通滤波器】
2、单选题：
电路如图2所示，该电路是 ( )
选项：
A: 二阶Sallen-- key高通滤波器
B: 二阶Sallen-- key低通滤波器
C: 二阶Sallen-- key带通滤波器
D: 二阶Sallen-- key全通滤波器
答案: 【 二阶Sallen-- key低通滤波器】
3、单选题：
电路如图2所示，该电路的通带增益为 ( )
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
4、单选题：
电路如图5所示，该电路是 ( )
选项：
A: 二阶MFB(多路反馈)高通滤波器
B: 二阶MFB(多路反馈)低通滤波器
C: 二阶Sallen-- key带通滤波器
D: 二阶Sallen-- key低通滤波器
答案: 【 二阶Sallen-- key低通滤波器】
5、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题：
对有源滤波器来说, 品质因素Q值越大越好 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
有源RC滤波器实现——二阶MFB滤波器
1、单选题：
有源滤波器电路如图10所示，则该电路是何种功能的滤波器？( )
选项：
A: 二阶Sallen--key高通滤波器
B: 二阶Sallen--key带通滤波器
C: 二阶MFB带通滤波器
D: 二阶MFB带阻滤波器
答案: 【 二阶MFB带通滤波器】
有源RC滤波器实现——带阻、全通、多功能状态变量滤波器
1、单选题：
有源滤波器电路如图8所示，则该电路属于何种功能的滤波器？( )
选项：
A: 二阶高通滤波器
B: 二阶低通滤波器
C: 二阶带通滤波器
D: 二阶带阻滤波器
答案: 【 二阶带阻滤波器】
有源RC滤波器概念
1、判断题：
滤波器阶数越大, 过渡带越窄, 幅频特性越接近矩形 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
有同学说,滤波器频率越高, 阶数就越高 , 对吗? ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
具有通带内最平坦响应的滤波器是巴特沃斯滤波器 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
过渡带最长, 但具有线性相移的是贝塞尔滤波器 ( )
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第四章常用半导体器件原理、特性及参数
MOS场效应管的工作原理和特性参数
1、单选题：
有关场效应管，以下说法错误的是（ ）
选项：
A: 场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电
B: 在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制
C: 在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系
D: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
答案: 【 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小】
P--N结
1、判断题：
P--N结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
P--N结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
半导体物理基础
1、判断题：
N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2、判断题：
载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
双极型三极管和场效应管的低频小信号模型
1、判断题：
降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
双极型晶体管工作原理
1、判断题：
晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例
1、判断题：
测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管,
且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c,
U3对应的是基极b。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
双极型晶体管特性曲线
1、判断题：
晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
各类场效应管对比双极型三极管与场效应管对比
1、单选题：
选项：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOSFET
D: P沟道耗尽型MOSFET
答案: 【 N沟道增强型MOSFET】
常用半导体器件原理、特性及参数
1、单选题：
N 型半导体是在本征半导体内掺入
选项：
A: 三价元素, 如硼等
B: 四价元素, 如锗等
C: 五价元素, 如磷等
D: 二价元素
答案: 【 五价元素, 如磷等 】
2、单选题：
双极型晶体三极管工作在放大区的条件是
选项：
A: e结正偏, c结正偏
B: e结反偏, c结正偏
C: e结正偏, c结反偏
D: e结反偏, c结反偏
答案: 【 e结正偏, c结反偏】
3、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以
及各管脚为
选项：
A: 锗管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
B: 锗管, U3对应为基极b, U2对应为发射极e, U1对应为集电极c
C: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
D: 硅管, U1对应为基极b, U2对应为发射极e, U3对应为集电极c
答案: 【 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c】
4、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为
选项：
A:
NPN管
B: PNP管
C: PNP管
D: NPN管
答案: 【
NPN管
】
5、单选题：
某管特性曲线如下图所示, 则该为
选项：
A: P沟道增强型MOS场效应管
B: N沟道结型场效应管
C: N沟道耗尽型MOS场效应管
D: N沟道增强型MOS场效应管
答案: 【 N沟道增强型MOS场效应管】
6、判断题：
N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
7、判断题：
漂移电流与电场强度成正比
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题：
扩散电流与载流子浓度梯度成正比
选项：
A: 正确
B: 错误
答