大学MOOC 集成电路制造工艺(江苏信息职业技术学院)1001755051 最新慕课完整章节测试答案

第一单元单元测验

1、单选题：
‏双极型晶体管的制作工艺流程中，一般首先制备的是                ，其次制备的是                ，最后制备的是               。‍
选项：
A: 集电区、基区、发射区
B: 基区、发射区、集电区
C: 栅区、源区、漏区
D: 发射区、基区、集电区
答案: 【 集电区、基区、发射区】

2、单选题：
集成电路的绝缘介质隔离技术中，最常用的介质是             。​
选项：
A: 二氧化硅
B: 氮化硅
C: 多晶硅
D: 单晶硅
答案: 【 二氧化硅】

3、单选题：
​常用的电阻率的测试方法是             。​
选项：
A: 四探针法
B: 热探针法
C: 三探针法
D: 范德堡法
答案: 【 四探针法】

4、单选题：
‌少数载流子寿命测试方法是             。‌
选项：
A: 光电导衰减法
B: 四探针法
C: 热探针法
D: 范德堡法
答案: 【 光电导衰减法】

5、单选题：
​确定单晶硅导电类型的方法是             。​
选项：
A: 热探针法
B: 四探针法
C: 三探针法
D: 范德堡法
答案: 【 热探针法】

6、单选题：
‏为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是             。‍
选项：
A: CMP
B: 研磨
C: 倒角
D: 化学腐蚀
答案: 【 CMP】

7、单选题：
‏当前半导体材料 应用最广泛的是             。‎
选项：
A: 硅
B: 锗
C: 砷化镓
D: 锗硅材料
答案: 【 硅】

8、单选题：
‎硅片制备过程中 常常采用的定向方法是             。‏
选项：
A: 光点定向
B: 金刚砂
C: CMP
D: 研磨
答案: 【 光点定向】

9、单选题：
‎半导体行业用到的多晶硅纯度一般为             。‏
选项：
A: 电子级纯
B: 分子级纯
C: 原子级纯
D: 纳米级纯
答案: 【 电子级纯】

10、单选题：
‍每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000，那么该环境的洁净等级为             。​
选项：
A: 1000级
B: 10000级
C: 10级
D: 100级
答案: 【 1000级】

11、多选题：
集成电路，按照功能可以分为             。‏‌‏
选项：
A: 双极型集成电路、MOS集成电路
B: 数模混合集成电路
C: 数字集成电路
D: 模拟集成电路
答案: 【 数模混合集成电路;
数字集成电路;
模拟集成电路】

12、多选题：
集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有             。‍‍
选项：
A: 外延隔离
B: 埋层隔离
C: PN结隔离
D: 介质隔离
答案: 【 PN结隔离;
介质隔离】

13、多选题：
‌制备单晶硅的方法有             。‏
选项：
A: 直拉法
B: 悬浮区熔法
C: 四探针法
D: 范德堡法
答案: 【 直拉法;
悬浮区熔法】

14、多选题：
​单晶硅生长需要满足的条件             。​
选项：
A: 加热，原子重新排列
B: 籽晶
C: 过冷温度
D: 浓度梯度
答案: 【 加热，原子重新排列;
籽晶;
过冷温度】

15、多选题：
‏直拉法制备单晶时，单晶炉中的电气控制系统主要控制的工艺参数有             。‍
选项：
A: 温度
B: 气压
C: 提拉速度
D: 转速
答案: 【 温度;
气压;
提拉速度;
转速】

16、多选题：
​多晶硅的制备方法有             。‍
选项：
A:  三氯氢硅的氢还原法
B: 二氯氢硅的氢还原法
C: 硅烷的热分解法
D: 直拉法
答案: 【  三氯氢硅的氢还原法;
二氯氢硅的氢还原法;
硅烷的热分解法】

17、多选题：
‍直拉法制备硅单晶时，常常含有的杂质包括             。‌
选项：
A: 碳
B: 氧
C: 金属
D: 颗粒
答案: 【 碳;
氧;
金属】

18、多选题：
​半导体材料的特性主要包括             。‏
选项：
A: 电阻率的负温度系数比较大
B: 电阻率与随杂质或缺陷变关系很大
C: 霍尔效应和光点效应明显
D: 与金属接触容易出现整流效应
答案: 【 电阻率的负温度系数比较大;
电阻率与随杂质或缺陷变关系很大;
霍尔效应和光点效应明显;
与金属接触容易出现整流效应】

19、多选题：
‌过滤器根据过滤效率一般可分为             。‌
选项：
A: 粗过滤器
B: 中效过滤器
C: 亚高效过滤器
D: 高效过滤器
答案: 【 粗过滤器;
中效过滤器;
亚高效过滤器;
高效过滤器】

20、判断题：
‏直拉法制备的单晶直径比较大，杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

21、判断题：
‌剩余不多的多晶硅时，要提高温度和提拉速度，进行收尾拉光，否则容易引起坩埚的破裂。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
‎利用三氯氢硅的氢还原法可以制备单晶硅。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

23、判断题：
‎位错是一种点缺陷，由晶胞错位引起的。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

24、判断题：
‌单晶硅棒形成之后，我们首先需要对其进行掐头去尾和径向研磨。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

25、判断题：
‏切片之前必须采用光点定向法对单晶硅进行定晶向。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

26、判断题：
‌一般8in以上的硅片采用内圆切割，8in以下的硅片采用线锯切割。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

27、判断题：
‎如果一个晶格原子进入间隙并产生空位，即间隙原子和空穴同时产生，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

28、判断题：
‍所有的物品进入生产之前都必须进行清洁处理才能带入操作间。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

29、判断题：
​集成电路的集成度越高，特征尺寸越小，对洁净度的要求越高。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

30、判断题：
‍净化设备中最核心的是过滤器。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

31、判断题：
‍对于洁净度高的要求利用高效过滤器，对于洁净度低的采用粗过滤器。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

32、判断题：
​硅的禁带宽度比锗大，所制作的器件比锗耐高温。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

33、判断题：
‏碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

34、判断题：
‍砷化镓属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，易碎，需轻拿轻放。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

35、判断题：
‍电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

36、填空题：
‍特征尺寸是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，它主要是指集成电路的关键尺寸，常用单位是微米和             。‏
答案: 【 纳米##%_YZPRLFH_%##nm】

37、填空题：
‍利用一定的刃部轮廓的砂轮磨掉硅片边缘的棱角，使之变得光滑的工艺为             。‍
答案: 【 倒角】

38、填空题：
​目前常见的半导体材料包括元素半导体和             。​
答案: 【 化合物半导体】

39、填空题：
​单晶硅形成时，必须要有一个排列标准，这个标准称为             。‏
答案: 【 籽晶】

40、填空题：
‌利用高频感应线圈对多晶硅逐段熔化，在多晶硅锭下方装置籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭界面开始，熔区推进，单晶拉制成功，该方法是             。‏
答案: 【 FZ法##%_YZPRLFH_%##悬浮区熔法】

随堂测验常见的衬底材料

1、多选题：
‎半导体材料主要有两大类，包括            ​
选项：
A: 元素半导体
B: 化合物半导体
C: 硅
D: 锗
答案: 【 元素半导体;
化合物半导体】

2、判断题：
‌碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
​砷化镓属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，易碎，需轻拿轻放。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‍电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‌锗的禁带宽度比硅大，所制作的器件比硅耐高温。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

随堂测验洁净技术等级

1、单选题：
‌每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000，那么该环境的洁净等级为            ‏
选项：
A: 10级
B: 100级
C: 1000级
D: 10000级
答案: 【 1000级】

2、判断题：
‌所有的物品进入生产之前都必须进行清洁处理才能带入操作间。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‎集成电路的集成度越高，特征尺寸越小，对洁净度的要求越高。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

随堂测验洁净设备

1、多选题：
‏洁净室内常见的洁净设备包括            ‎
选项：
A: 风淋
B: 静电自净器
C: 真空除尘器
D: 洁净台
答案: 【 风淋;
静电自净器;
真空除尘器】

2、判断题：
‌净化设备中最核心的是过滤器。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‏对于洁净度高的要求利用高效过滤器，对于洁净度低的采用粗过滤器。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

随堂测验硅单晶的制备

1、多选题：
​单晶硅生长需要满足的条件包括            ‌
选项：
A: 加热多晶硅，使原子重新排列
B: 籽晶作为标准
C: 过冷温度使原子稳定
D: 退火
答案: 【 加热多晶硅，使原子重新排列;
籽晶作为标准;
过冷温度使原子稳定】

2、多选题：
‍常见的制备单晶硅的方法有            ‎
选项：
A: 直拉法（CZ）
B: 悬浮区熔法（FZ）
C: 蒸发
D: 溅射
答案: 【 直拉法（CZ）;
悬浮区熔法（FZ）】

3、判断题：
‌三氯氢硅的氢还原法可以制备单晶硅。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、判断题：
‎直拉法制备的单晶直径比较大，杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‍剩下不多的多晶硅时，要提高温度和提拉速度，进行收尾拉光，否则容易引起坩埚的破裂。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

随堂测验硅单晶的质量检验

1、单选题：
‎确定单晶硅导电类型的方法是            ​
选项：
A: 四探针法
B:  热探针法
C: 范德堡法
D: 磨角法
答案: 【  热探针法】

2、单选题：
少数载流子寿命测试方法是            ​
选项：
A: 探针法
B: 磨角法
C: 光电导衰减法
D: 滚槽法
答案: 【 光电导衰减法】

3、单选题：
常用的电阻率的测试方法是            ‌‏‌
选项：
A: 热探针法
B: 四探针法
C: 磨角法
D: 滚槽法
答案: 【 四探针法】

4、判断题：
‍位错是一种点缺陷，由晶胞错位引起的。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

随堂测验硅圆片抛光片的制备

1、单选题：
为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是            ​​​
选项：
A: 倒角
B: 磨片
C: 化学腐蚀
D: CMP
答案: 【 CMP】

2、判断题：
‍单晶硅棒形成之后，我们首先需要对其进行掐头去尾和径向研磨。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‍切片之前必须采用光点定向法对单晶硅进行定晶向。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‏一般8in以上的硅片采用内圆切割，8in以下的硅片采用线锯切割。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、填空题：
‍利用一定的刃部轮廓的砂轮磨掉硅片边缘的棱角，使之变得光滑的工艺为         ‌
答案: 【 倒角】

随堂测验集成电路发展历史的随堂小测验

1、单选题：
‌世界上第一只晶体管是        材料的晶体管。‏
选项：
A: 硅
B: 锗
C: 砷化镓
D: 氮化镓
答案: 【 锗】

2、单选题：
2000年度的诺贝尔物理学奖授予发明了世界上第一个集成电路的美国科学家‍         ‍，以表彰他为现代信息技术所做出的基础性贡献。‍
选项：
A: 威廉·肖克莱
B: 沃尔特·布拉顿
C: 杰克·基尔比
D: 戈登·摩尔
答案: 【 杰克·基尔比】

3、单选题：
‍在现代集成电路制造工艺中，先进的制造工艺技术常常采用8英寸的硅片或12英寸的晶圆。其中，晶圆尺寸主要指的是硅片的        。‌
选项：
A: 面积
B: 半径
C: 圆周周长
D: 直径
答案: 【 直径】

第二章单元测验

1、单选题：
​几种热氧化方法中，             方法生长的薄膜结构最致密，纯度最高。‌
选项：
A: 干氧氧化
B: 水汽氧化
C: 湿氧氧化
D: 掺氯氧化
答案: 【 干氧氧化】

2、单选题：
‌在半导体生产中，常常采用的二氧化方式是干-湿-干氧化，湿氧氧化的作用是：             。‏
选项：
A: 得到较好的表面特性
B: 较短的时间得到较厚的薄膜
C: 较好的硅/二氧化硅界面特性
D: 提高氧化膜的质量
答案: 【 较短的时间得到较厚的薄膜】

3、单选题：
​集成电路中具有比较好的身宽比填充能力，可以作为插塞的金属是：             。‎
选项：
A: 钨
B: 铜
C: 铝
D: 钛
答案: 【 钨】

4、单选题：
‌集成电路电极引出的地方，通常采用重掺杂，目的是：             。‎
选项：
A: 形成肖特基接触
B: 形成欧姆接触
C: 解决铝尖刺
D: 解决电迁移
答案: 【 形成欧姆接触】

5、单选题：
‏以下各种方法中，不是制备金属的常用方法的是：             。‍
选项：
A: 电阻丝加热蒸发
B: 电子束蒸发
C: 溅射
D: 氧化
答案: 【 氧化】

6、单选题：
​外延生长硅常用的方法是：             。‌
选项：
A: MOCVD
B: MBE
C: VPE
D: PVD
答案: 【 VPE】

7、单选题：
​要产生2000埃厚度的二氧化硅，需要消耗             厚度的硅。‌
选项：
A: 8800埃
B: 88埃
C: 8.8埃
D: 880埃
答案: 【 880埃】

8、单选题：
‏电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备，多出的部件为：             。‎
选项：
A: 偏转电子枪
B: 灯丝
C: 硅片
D: 磁场
答案: 【 偏转电子枪】

9、单选题：
‍气相外延生长硅需要进行抛光，常用的抛光物质是：             。​
选项：
A: HF
B: HCl
C: Cl2
D: CF4
答案: 【 HCl】

10、单选题：
‌PECVD相对LPCVD方法来说，显著的优点是：             。‎
选项：
A: 温度比较低
B: 薄膜制备的纯度比较高
C: 淀积速度比较快
D: 淀积的薄膜结构比较致密
答案: 【 温度比较低】

11、单选题：
‍以下方法中不是常见的溅射方法的是：             。‍
选项：
A: 磁控溅射
B: 直流溅射
C: 射频溅射
D: 刻蚀溅射
答案: 【 刻蚀溅射】

12、单选题：
‍外延层薄膜厚度测试方法是：             。​
选项：
A: 层错法
B: 四探针法
C: 磨角法
D: 滚槽法
答案: 【 层错法】

13、单选题：
‌以下因素中哪些不是影响外延生长速率的因素：             。​
选项：
A: 反应温度
B: 四氯化碳的浓度
C: 衬底晶向
D: 抛光速度
答案: 【 抛光速度】

14、单选题：
‌以下各项中，不属于外延层常见的表面缺陷的是：             。‏
选项：
A: 角锥体
B: 层错
C: 云雾状表面
D: 划痕
答案: 【 层错】

15、单选题：
‏以下方法中，可用于绝缘介质的淀积的是：             。‌
选项：
A: 电阻丝加热蒸发
B: 电子束蒸发
C: 直流溅射
D: 射频溅射
答案: 【 射频溅射】

16、单选题：
‍金属钨的制备常常采用的方法是             。​
选项：
A: PVD
B: CVD
C: MBE
D: VPE
答案: 【 CVD】

17、单选题：
‌可以采用双大马士革工艺的互连是：             。‏
选项：
A: 铝互连
B: 铜互连
C: 金互连
D: 钛互连
答案: 【 铜互连】

18、多选题：
​可用于产生二氧化硅薄膜的CVD 方法有             。​
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D:     氧化
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD;
    氧化】

19、多选题：
​影响热氧化速率的因素有：             。‎
选项：
A: 温度
B: 氧化方式
C: 压力
D: 掺杂
答案: 【 温度;
氧化方式;
压力;
掺杂】

20、多选题：
‌掺氯氧化的优点包括：             。‏
选项：
A: 减少界面陷阱电荷
B: 吸附钠离子
C: 抑制氧化层错
D: 薄膜纯度提高
答案: 【 减少界面陷阱电荷;
吸附钠离子;
抑制氧化层错;
薄膜纯度提高】

21、多选题：
‏二氧化硅厚度测量方法有：             。‎
选项：
A: 比色法
B: 光学干涉法
C: 椭圆偏振法
D: 四探针法
答案: 【 比色法;
光学干涉法;
椭圆偏振法】

22、多选题：
​常见的化学气相淀积方法有：             。‎
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD
D: HDPCVD
答案: 【 APCVD;
LPCVD;
PECVD;
HDPCVD】

23、多选题：
‌铝互连中常见的问题包括：             。‌
选项：
A: 易氧化
B: 铝尖刺
C: 电迁移
D: 肖特基接触
答案: 【 铝尖刺;
电迁移;
肖特基接触】

24、多选题：
‏氮化硅制备常用的CVD 方法是：            。​
选项：
A: APCVD
B: LPCVD
C: PECVD