大学MOOC 模拟电子技术(洛阳理工学院)1450313207 最新慕课完整章节测试答案

2.2本征半导体

1、单选题：
‌在绝对零度（0 K）时，本征半导体中（）载流子。‎
选项：
A: 有
B: 没有
C: 少数
D: 多数
答案: 【 没有】

2、单选题：
‌在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。‍
选项：
A: 负离子
B: 空穴
C: 正离子
D: 电子-空穴对
答案: 【 电子-空穴对】

3、单选题：
‍半导体中的载流子为（）。‌
选项：
A: 电子  
B: 空穴 
C: 正离子  
D: 电子和空穴
答案: 【 电子和空穴】

4、单选题：
‏半导体中的空穴是（ ）。​
选项：
A: 半导体中的晶格缺陷形成的
B: 电子脱离共价键后留下的空位
C: 带正电的离子
D: 外部注入
答案: 【 电子脱离共价键后留下的空位】

5、判断题：
‍本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‏半导体中的空穴带正电。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.3杂质半导体

1、单选题：
‎N型半导体中的多子是（）。‎
选项：
A: 电子
B:  空穴
C: 正离子 
D:  负离子
答案: 【 电子】

2、单选题：
​P型半导体中的多子是（）。‏
选项：
A: 电子
B: 空穴 
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【 空穴 】

3、单选题：
‎在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。‎
选项：
A: 掺杂工艺 
B: 杂质浓度 
C: 晶体缺陷
D: 温度 
答案: 【 杂质浓度 】

4、单选题：
​在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。‎
选项：
A: 温度  
B: 掺杂工艺
C: 杂质浓度
D: 晶体缺陷
答案: 【 温度  】

5、单选题：
‍在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。‌
选项：
A: 五价
B: 四价
C: 三价
D: 任意
答案: 【 五价】

6、单选题：
​在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。‍
选项：
A: 五价
B: 四价 
C: 三价
D: 任意
答案: 【 三价】

7、判断题：
​P型半导体带正电，N型半导体带负电。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‎在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

2.11晶体二极管的参数

1、单选题：
‌关于二极管的反向电流，下列说法正确的是（）。‏
选项：
A: 反向电流越大越好
B: 反向电流越大二极管的单向导电性越好
C: 反向电流越大二极管的温度稳定性越不好
D: 反向电流越大二极管的温度稳定性越好
答案: 【 反向电流越大二极管的温度稳定性越不好】

2、单选题：
‌若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。‌
选项：
A: 正、反向电阻相等
B: 正向电阻大，反向电阻小
C: 反向电阻远大于正向电阻
D: 正、反向电阻都很大
答案: 【 反向电阻远大于正向电阻】

3、单选题：
‏当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。‏
选项：
A: 多数载流子浓度增大  
B: 少数载流子浓度增大
C: 多数载流子浓度减小  
D: 少数载流子浓度减小
答案: 【 少数载流子浓度增大】

4、判断题：
‏二极管只要反偏，必然截至。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‌二极管的单向导电性与信号频率无关。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.8半导体PN结

1、单选题：
‌在下列说法中只有（）说法是正确的。‏
选项：
A: P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得
B: 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体
C:  P型半导体带正电，N型半导体带负电
D:  PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的
答案: 【 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体】

2、单选题：
‍在下列说法中只有（）说法是正确的。‌
选项：
A:  漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的
B: 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过
C: PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性
D: 扩散电流是少子运动产生的
答案: 【  漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的】

3、单选题：
‎当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。‏
选项：
A: 大于 
B: 小于
C: 等于 
D: 不确定
答案: 【 大于 】

4、单选题：
‌当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。‏
选项：
A: 大于
B: 小于 
C: 等于
D: 不确定
答案: 【 小于 】

5、单选题：
‍下列说法正确的是（）。‏
选项：
A:  PN结正偏导通，反偏导通
B: PN结正偏截止，反偏导通
C: PN结正偏导通，反偏截止
D: PN结正偏截止，反偏截止
答案: 【 PN结正偏导通，反偏截止】

6、单选题：
‎当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？‏
选项：
A: 阻挡层
B: 耗尽层
C: 空间电荷区
D: 突变层
答案: 【 突变层】

7、单选题：
​一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。​
选项：
A: 有微弱电流
B: 无电流
C: 有瞬间微弱电流
D: 有较大电流
答案: 【 无电流】

8、判断题：
‏PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【