大学MOOC 电力电子技术(九江学院)1450304460 最新慕课完整章节测试答案
第1章绪论
第1次单元测试绪论
1、单选题：
什么是电力电子技术？
选项：
A: 用于电力领域的电子技术，即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
B: 用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。
C: 用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。
D: 电力电子技术的简称就是电子技术。
答案: 【 用于电力领域的电子技术，即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。】
2、单选题：
电力电子器件同处理信息的电子器件相比，下面描述正确的是：
选项：
A: 电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
B: 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。
C: 电力电子器件一般都工作在开通状态。
D: 电力电子器件一般都工作在关断状态。
答案: 【 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。】
3、单选题：
电力变换通常包括哪几类？
选项：
A: AC/DC和DC/AC两大类。
B: AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
C: AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
D: DC/AC、DC/DC、AC/AC三大类。
答案: 【 AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。】
4、判断题：
信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题：
信息电子技术和电力电子技术的联系是器件的材料工艺、理论基础、分析方法都相同。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、填空题：
信息电子技术与电力电子技术的区别是 。
答案: 【 处理电能功率等级不同 研究的重点不同。】
7、填空题：
电力电子技术研究的内容是 、 。
答案: 【 电力电子器件 电能变换技术。】
第2章电力电子器件
第2次单元测试第2章
1、单选题：
对电力电子器件描述正确的是：
选项：
A: 电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
B: 电力电子器件是电子器件的总称。
C: 电力电子器件可用于电子系统中，实现电能的变换或控制的器件。
D: 电力电子器件不能直接用于主电路中，只是实现电能的变换或控制的电子器件。
答案: 【 电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。】
2、单选题：
下面对电力二极管描述正确的是哪个？
选项：
A: 电力二极管正向导通后，其正向压降为0V。
B: 电力二极管加反向电压就会被击穿。
C: 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。
D: 电力二极管加正向电压后其正向压降为0.7V。
答案: 【 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。】
3、单选题：
电力二极管的额定电流指的是：
选项：
A: 允许流过最大电流的平均值。
B: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
C: 允许流过最大方波电流的平均值。
D: 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。】
4、单选题：
如下对晶闸管的半导体结构描述正确的是（ ）。
选项：
A: 晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B: 晶闸管具有PN或NP这两层半导体结构。
C: 晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
D: 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。
答案: 【 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。】
5、单选题：
晶闸管导通的条件是（ ）。
选项：
A: 在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压，只要门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
B: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
C: 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
D: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极也加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
答案: 【 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。】
6、单选题：
如下所述，晶闸管门极的控制作用，表述正确的是（ ）。
选项：
A: 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
B: 晶闸管导通后，门极一旦无电流，则晶闸管就立即关断。
C: 晶闸管导通后，门极一旦加反向电压，则晶闸管就立即关断。
D: 晶闸管导通后，门极与阴极短路，则晶闸管就立即关断。
答案: 【 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。】
7、单选题：
要使已经导通的晶闸管关断应该（ ）。
选项：
A: 给晶闸管的阳极加反向电压，使流过晶闸管的阳极电流降到1A以下。
B: 只能在晶闸管两端加反向电压。
C: 只能要求晶闸管门极电流等于0。
D: 给晶闸管的阳极加反向电压，使流过晶闸管的阳极电流降到接近于零的某一数值以下。
答案: 【 给晶闸管的阳极加反向电压，使流过晶闸管的阳极电流降到接近于零的某一数值以下。】
8、单选题：
如下所述，晶闸管正向特性表述正确的是：
选项：
A: 随着门极电流幅值的不断增大，正向转折电压随之增大。
B: 只要门极电流幅值大于1mA，晶闸管承受正向电压时就导通。
C: 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。
D: 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压随之上升。
答案: 【 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。】
9、单选题：
如下所述，晶闸管反向特性表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管加反向电压时，只要门极电流幅值较大，则晶闸管反向导通。
B: 反向特性类似于二极管的反向特性。
C: 晶闸管加反向电压时，只要门极也加反向电压，则晶闸管反向导通。
D: 晶闸管不允许加反向电压，如果加反向电压，立刻击穿。
答案: 【 反向特性类似于二极管的反向特性。】
10、单选题：
如下所述，晶闸管开通与关断表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管开通与关断过程都是即时完成的。
B: 晶闸管关断是即时完成的，开通需要一定时间的。
C: 晶闸管开通是即时完成的，关断需要一定时间的。
D: 晶闸管开通与关断都需要一定时间。
答案: 【 晶闸管开通与关断都需要一定时间。】
11、单选题：
对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个？
选项：
A: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
B: 允许流过最大方波电流的平均值。
C: 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
D: 允许流过最大电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。】
12、单选题：
如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：
选项：
A: 门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B: 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C: 门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D: 门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。
答案: 【 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。】
13、单选题：
如下所述，GTO能够通过门极关断吗？
选项：
A: GTO能够（或可以）通过门极关断。
B: 只要门极关断功率足够大，GTO和SCR都能够通过门极关断。
C: GTO不能够通过门极关断。
D: GTO能够通过门极关断，但门极与阴极间不能加反向电压。
答案: 【 GTO能够（或可以）通过门极关断。】
14、单选题：
如下所述，GTR典型输出特性分为：
选项：
A: 典型输出特性分为三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B: 典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C: 典型输出特性分为三个区：截止区、线性区和非饱和区。
D: 典型输出特性分为三个区：截止区、非线性区和饱和区。
答案: 【 典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。】
15、单选题：
有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：
选项：
A: 虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B: GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C: GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
D: GTR的安全工作区是矩形的。
答案: 【 GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。】
16、单选题：
电力MOSFET导通表述正确的是：
选项：
A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间存在导电沟道。
B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型的电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间不能导通。
D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
答案: 【 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。】
17、单选题：
MOSFET的输出特性分为：
选项：
A: MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B: MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C: MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。
D: MOSFET的输出特性分为三个区：截止区、非饱和区以及放大区。
答案: 【 MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。】
18、单选题：
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？
选项：
A: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。
D: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
答案: 【 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。】
19、单选题：
如下关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：
选项：
A: MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B: MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C: MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。
D: MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
答案: 【 MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。】
20、单选题：
关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
选项：
A: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。
B: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快。
C: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。
D: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。
答案: 【 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。】
21、单选题：
如下所述，关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是：
选项：
A: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区与GTR是一样的。
B: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。
C: 相同电压和电流定额时，IGBT的安全工作区比GTR更窄。
D: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR稍窄，但几乎相同。
答案: 【 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。】
22、单选题：
如下所述，有关新型半导体器件，表述正确的是：
选项：
A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。
B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。
C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
答案: 【 集成门极换流晶闸管简称IGCT。】
23、单选题：
有关功率集成电路，下面哪个表述是正确的？
选项：
A: 功率半控器件的驱动集成电路称为功率集成电路。
B: 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路封装在一起，称为功率集成电路。
C: 功率自关断器件称为功率集成电路。
D: 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。
答案: 【 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。】
24、单选题：
如下有关电力电子器件驱动，表述正确的是：
选项：
A: 电流驱动型的电力电子器件具有输入阻抗很高的特点。
B: 电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。
C: 电流驱动型和电压驱动型电力电子器件都具有输入阻抗高的特点。
D: 电流驱动型和电压驱动型电力电子器件输入阻抗相同。
答案: 【 电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。】
25、单选题：
电力电子器件类型可按如下哪种分类？
选项：
A: 电力电子器件可分为二极管型、双极型和复合型三类。
B: 电力电子器件可分为双极型和复合型两类。
C: 电力电子器件可分为二极管型、单极型、双极型和复合型四类。
D: 电力电子器件可分为单极型、双极型和复合型三类。
答案: 【 电力电子器件可分为单极型、双极型和复合型三类。】
26、单选题：
关于IGBT的结构，下面说法正确的是：
选项：
A: 四层三端元件
B: 三层三端元件
C: 五层三端元件
D: 三层四端元件
答案: 【 四层三端元件】
27、单选题：
如下所述，有关新型半导体器件，表述正确的是：
选项：
A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。
B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。
C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
答案: 【 集成门极换流晶闸管简称IGCT。】
28、判断题：
按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
29、判断题：
二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
30、判断题：
电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
31、判断题：
三极管共基极电流放大倍数为集电极电流与发射极电流之比。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
32、判断题：
如果晶闸管原来是阻断的，即使有外加正向阳极电压，但如果无触发电流IG,则晶闸管仍然是阻断的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
33、判断题：
晶闸管反向阻断状态时，如果有触发电流IG，则晶闸管反向导通。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
34、判断题：
晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
35、判断题：
GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引出3个极。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
36、判断题：
电力晶体管也称为GTR，与普通的双极结型晶体管相比，耐压低但电流大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
37、判断题：
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
38、判断题：
电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流不利。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
39、判断题：
绝缘栅双极晶体管相当于是GTR和MOSFET两类器件取长补短结合而成的复合器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
40、判断题：
绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
41、判断题：
IGCT是集成门极换流晶闸管（Integrated Gate-Commutated Thyristor）的英文缩写。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
42、判断题：
晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
43、判断题：
晶假如闸管的额定电流为100A，则其有效电流为157A.
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
44、判断题：
IGBT的开关速度是电力电子器件中最高的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
45、判断题：
电力MOSFET的三个端子是栅极G、源极S、漏极D。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
46、判断题：
IGBT的输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
47、判断题：
晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
48、判断题：
晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
49、判断题：
电力晶体管也称为GTR，与普通的双极结型晶体管相比，耐压低但电流大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
50、判断题：
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第3章整流电路
第3次单元测试第3章
1、单选题：
关于控制角，表述正确的是下面的哪一个？
选项：
A: 从SCR承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角，也称触发角或控制角。
B: 晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为控制角。
C: 晶闸管的控制角也称为导通角。
D: 晶闸管的控制角等于导通角加30度。
答案: 【 从SCR承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角，也称触发角或控制角。】
2、单选题：
关于单相桥式全控整流电路，如下表述正确的是：
选项：
A: 单相桥式全控整流电路简单，但是，整流变压器存在直流磁化现象。
B: 单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。
C: 单相桥式全控整流电路简单，在电阻性负载时，整流变压器存在直流磁化现象。
D: 单相桥式全控整流电路简单，在电感性负载时，整流变压器存在直流磁化现象。
答案: 【 单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。】
3、单选题：
关于单相桥式全控整流电路输出波形，表述正确的是：
选项：
A: 单相桥式全控整流电路输出电压波形与负载无关。
B: 单相桥式全控整流电路阻感负载与反电动势阻感负载时，如果控制角相等，输出电流是一样的。
C: 单相桥式全控整流电路，分别带感负载与反电动势阻感负载运行时，如果控制角相等，电流连续，输出电压波形、电流波形、电流大小都是一样的。
D: 单相桥式全控整流电路阻，分别带感负载与反电动势阻感负载运行时，如果控制角相等、电流连续，输出电压波形是一样的。
答案: 【 单相桥式全控整流电路阻，分别带感负载与反电动势阻感负载运行时，如果控制角相等、电流连续，输出电压波形是一样的。】
4、单选题：
关于单相全波整流电路，表述正确的是：
选项：
A: 单相全波整流电路只用2个晶闸管；但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的2倍。
B: 单相全波整流电路只用2个晶闸管；但是，当负载相同时，通过晶闸管的最大电流是单相全控桥整流电路的2倍。
C: 单相全波与单相全控桥整流电路中，各晶闸管承受的最大电压相等。
D: 单相全波与单相全控桥整流电路中，各晶闸管承受的电压波形相同。
答案: 【 单相全波整流电路只用2个晶闸管；但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的2倍。】
5、单选题：
单相全波整流电路输出波形，如下表述正确的是：
选项：
A: 如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电压波形与单相全控整流电路一样，输出电流波形不一样。
B: 如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电压和电流波形与单相全控整流电路都是不一样的。
C: 如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电流波形与单相全控整流电路一样，输出电压波形不一样。
D: 如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电压和电流波形与单相全控整流电路一样。
答案: 【 如果控制角相等、负载相同，单相全波整流电路的输出整流电压和电流波形与单相全控整流电路一样。】
6、单选题：
三相可控整流电路中的整流变压器，表述正确的是：
选项：
A: 三相可控整流电路中的整流变压器一般采用△/Y或Y/ △接法，避免产生3次谐波，如果为了得到零线，则采用△/Y接法。
B: 三相可控整流电路中的整流变压器一般采用Y/Y或△/△接法，避免产生3次谐波，如果为了得到零线，则采用Y/Y接法或采用△/Y接法。
C: 三相可控整流电路中的整流变压器只能采用Y/Y。
D: 三相可控整流电路中的整流变压器只能采用△/△。
答案: 【 三相可控整流电路中的整流变压器一般采用△/Y或Y/ △接法，避免产生3次谐波，如果为了得到零线，则采用△/Y接法。】
7、单选题：
三相半波可控整流电路的输出电流波形，表述正确的是：
选项：
A: 电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<90° 且电阻较小时，输出电流处于都连续状态。
B: 电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<60° 时无输出电流。
C: 电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<30° 时输出电流处于都连续状态。
D: 电阻性负载的三相半波可控整流电路输出电流处于都连续状态。
答案: 【 电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<30° 时输出电流处于都连续状态。】
8、单选题：
三相桥式全控整流电路输出电流波形，表述正确的是：
选项：
A: 电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<30° 且电阻较小时，输出电流都处于连续状态。
B: 电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<60° 时输出电流都处于连续状态。
C: 电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<90° 时无输出电流。
D: 电阻性负载的三相桥式全控整流电路输出电流都处于连续状态。
答案: 【 电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<60° 时输出电流都处于连续状态。】
9、单选题：
三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量（不考虑漏感），下面表述正确的是哪一个？
选项：
A: 三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，共阴极组的2个或共阳极组的2个导通。
B: 三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，共阴极组的和共阳极组的各1个，且不能为同一相的晶闸管。
C: 三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。
D: 三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。
答案: 【 三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，共阴极组的和共阳极组的各1个，且不能为同一相的晶闸管。】
10、单选题：
三相桥式全控整流电路波头数，下面表述正确的是哪一个？
选项：
A: 三相桥式全控整流电路，在一个工频周期内，其输出电压波形为6个波头。
B: 三相桥式全控整流电路输出电压波形为3个波头。
C: 三相桥式全控整流电路输出电压波形在一个工频周期内为1个波头。
D: 三相桥式全控整流电路输出电压波形在一个工频周期内为4个波头。
答案: 【 三相桥式全控整流电路，在一个工频周期内，其输出电压波形为6个波头。】
11、单选题：
三相桥式全控整流电路带阻感负载时移相范围为：
选项：
A: 三相桥式全控整流电路带阻感负载时控制角a移相范围为180°。
B: 三相桥式全控整流电路带电阻负载时控制角a移相范围为90°。
C: 三相桥式全控整流电路带阻感负载且电感极大时，控制角a移相范围为90°。
D: 三相桥式全控整流电路带电阻负载或带阻感负载时。其控制角a移相范围都为90°。
答案: 【 三相桥式全控整流电路带阻感负载且电感极大时，控制角a移相范围为90°。】
12、单选题：
变压器漏感对整流输出电压值的影响是：
选项：
A: 变压器漏感使整流输出电压平均值升高。
B: 变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值降低。
C: 变压器漏感对整流电路的影响之一是波形变化了，但整流输出电压平均值不变。
D: 变压器漏感对整流输出电压平均值无影响。
答案: 【 变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值降低。】
13、单选题：
关于变压器漏感影响工作状态，如下表述正确的是：
选项：
A: 变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流电路的工作状态增多。
B: 变压器漏感对整流电路输出电压平均值有影响，但不影响整流电路的工作状态。
C: 变压器漏感既不影响整流电路输出电压平均值，也不影响整流电路的工作状态。
D: 变压器漏感既不影响整流电路输出电压平均值，但它影响了整流电路的工作状态。
答案: 【 变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流电路的工作状态增多。】
14、单选题：
有源逆变时的直流电动势，表述正确的是哪一个？
选项：
A: 要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧的平均电压，其极性须和晶闸管的导通方向一致。
B: 要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧的平均电压，其极性没有特别的规定。
C: 要有直流电动势，其值应小于变流器直流侧的平均电压。
D: 要有直流电动势，其值应等于变流器直流侧的平均电压。
答案: 【 要有直流电动势，其值应大于变流器直流侧的平均电压，其极性须和晶闸管的导通方向一致。】
15、单选题：
关于逆变角，如下表述正确的是：
选项：
A: 限制逆变角的最小值，其目的是为了防止逆变时的输出电流过小。
B: 限制逆变角的最大值，其目的是为了防止逆变失败而无法工作。
C: 限制逆变角的最小值，其目的是为了防止输出电压太小而无法工作。
D: 限制逆变角的最小值，其目的是为了防止逆变失败。
答案: 【 限制逆变角的最小值，其目的是为了防止逆变失败。】
16、单选题：
三相半波可控整流电路带电阻性负载，控制角α的移相范围是( )。
选项：
A: 0°～90°
B: 0°～120°
C: .0°～150°
D: 0°～180°
答案: 【 .0°～150°】
17、单选题：
可实现有源逆变的电路为（ ）。