大学MOOC 低频电子线路(南昌大学)1459518168 最新慕课完整章节测试答案

第2讲半导体基础知识-随堂测验

1、单选题：
不管是本征半导体还是杂质半导体，其载流子浓度都满足（    ）。​
选项：
A: 热平衡条件和电中性条件
B: 电中性条件
C: 热平衡条件
D: 以上答案都不是
答案: 【 热平衡条件和电中性条件】

2、判断题：
‌本征半导体是一种纯净的晶体结构物质。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‏硅原子和锗原子结构可以用同一个模型来表示，因为它们最外层都有四个价电子。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
​本征半导体中，自由电子与空穴是成对出现的。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‍P型杂质半导体带正电，N型杂质半导体带负电。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
‏半导体是温度敏感材料。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‍掺入不同的杂质元素，能改变杂质半导体的导电类型。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、填空题：
‏（     ）的出现是半导体区别于导体的重要特征。‏
答案: 【 空穴】

9、填空题：
‌在本征半导体中少量掺杂, 载流子浓度（   ）。（备选答案：增大、减小）‍
答案: 【 增大】

10、填空题：
​在本征半导体中少量掺杂, 导电能力（    ）。（备选答案：增强、减弱）‏
答案: 【 增强】

11、填空题：
‎杂质半导体中，（    ）浓度近似等于掺杂浓度，与温度无关。（备选答案：多子、少子、自由电子、空穴）‎
答案: 【 多子】

12、填空题：
‎在杂质半导体中，（    ）浓度随温度升高显著增加。（备选答案：多子、少子、自由电子、空穴）​
答案: 【 少子】

第3讲PN结

1、单选题：

当温度分别为T1、T2时， PN结的伏安特性曲线如图所示，判断温度T1与T2的关系为（     ）。

‏

‏

‌

‏选项：
A: T1>T2 
B: T1<T2
C: T1=T2 
D: 以上情况都有可能
答案: 【 T1<T2】

2、多选题：
‌PN结又叫（      ）。‌
选项：
A: 空间电荷区
B: 耗尽层
C:  阻挡层
D: 势垒区
答案: 【 空间电荷区;
耗尽层;
 阻挡层;
势垒区】

3、判断题：
‏扩散电流是因载流子的浓度差而形成的。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
​扩散电流和漂移电流形成的原理不同，因此两者不能同时存在。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‏PN 结具有单方向导电特性。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‍在平衡状态，通过 PN 结的电流为零。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‌正向偏置电压使PN结空间电荷区窄，反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‌硅材料PN结导通压降为0.25V，锗材料PN结导通压降为0.7V。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、填空题：
‎载流子因电场作用所产生的运动称为（          ）运动。‍
答案: 【 漂移运动】

10、填空题：
‎载流子因浓度差所产生的运动称为（        ）运动。​
答案: 【 扩散运动】

11、填空题：
‌T=300K时，热电压UT  =（  ）mV。​
答案: 【 26】

12、填空题：
‍PN结击穿时，外加电压是（   ）电压。（备选答案：正偏、反偏）​
答案: 【 反偏】

13、填空题：
‍变容二极管是利用了PN结的（      ）效应。（备选答案：扩散电容、势垒电容）‌
答案: 【 势垒电容】

第4讲半导体二极管

1、多选题：
‏可以用来直流分析的二极管模型有（    ）。‎
选项：
A: 数学模型
B: 曲线模型
C: 直流简化模型
D: 微变等效模型
答案: 【 数学模型;
曲线模型;
直流简化模型】

2、多选题：
‏二极管的动态电阻与下面哪些参数有关（      ）。​
选项：
A: Uon
B: UT
C: ID
D: U(BR)
答案: 【 UT;
ID】

3、判断题：
​二极管的特性等同于PN结的特性。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‏二极管直流简化模型有4种。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‎微变等效模型只能用来分析交流信号。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‎微变等效模型和直流简化模型各自独立，两者没有任何关系。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
​二极管的伏安特性主要表现为单向导电性和反向击穿特性。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‍二极管符号像个箭头，表示二极管正偏时实际电流的方向。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‍二极管的制作工艺不同，其特性和功能也各有千秋。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、填空题：
‏二极管是由PN结封装而成的，（  ）型半导体端为正极，（  ）型半导体端为负极。（备选答案：P，N，多空答案用逗号隔开。）‏
答案: 【 P，N】

第5讲二极管电路分析

1、填空题：

如图1所示，设D1、D2均为理想的二极管，UI =115V。请完成下列填空，并写出解题过程（自己写在作业本上，不上传）。

‏

①请判断图中二极管工作状态，D1(                             )，D2(                                  )；

‏

②若要D1、D2都导通，则至少UI =（                  ）V。（说明：多空答案用逗号隔开。）

‏

‏

                  图1

‏

‎

‏答案: 【 导通，截止，137.5##%_YZPRLFH_%##是导通，是截止，137.5##%_YZPRLFH_%##为导通，为截止，137.5##%_YZPRLFH_%##导通状态，截止状态，137.5】

2、填空题：

二极管电路如图2所示，已知二极管的导通电压为UD(on) ，uA、uB 、和uC 的波形如图(a)所示，试画出uO的波形图。uO是uA、uB 、uC逻辑（         ）的结果。（备注：写汉字，不要写符号；波形画在作业本上。）

‏

        

‏

                                       图2

‏

‏

‎

‏答案: 【 与】

第6讲特殊二极管

1、判断题：
‎普通二极管可作稳压二极管用。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
​稳压二极管可作普通二极管用。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‏稳压二极管工作电流IDz必须满足IZmin<IDz<IZmax。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‏稳压二极管稳压时不可单独使用，一定要配有限流电阻。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‎变容二极管的原理是利用二极管的扩散电容效应。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
‎发光二极管的原理是利用二极管的正向导通特性。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‌光电二极管的原理是利用二极管的光敏特性。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、填空题：

如图：UI =12V，R =1kW，RL=1kW，UZ =6V， IZmax =18mA， 则稳压管工作状态是（   ），IL ≈（      ）mA，IZ ≈（         ）mA。（说明：多空答案用逗号隔开。）

‎

‎

                图1

‎

‎

‎答案: 【 截止，1.2，0##%_YZPRLFH_%##截止状态，1.2，0##%_YZPRLFH_%##不导通，1.2，0##%_YZPRLFH_%##不导通状态，1.2，0】

9、填空题：

如图：UI=12V，R =300W，R