大学MOOC 模拟集成电路设计(三江学院)1458018162 最新慕课完整章节测试答案

第二部分第一次测验

1、单选题：
题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。‍
选项：
A: 夹断  
B: 反型 
C: 导电
D: 耗尽
答案: 【 夹断  】

2、单选题：
‏题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。​
选项：
A: 反型
B: 夹断
C: 耗尽
D: 导通
答案: 【 耗尽】

3、单选题：
​题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。‌
选项：
A: 亚阈值区 
B: 深三极管区
C: 饱和区
D: 三极管区
答案: 【 饱和区】

4、单选题：
‍题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。​
选项：
A: 电子
B: 空穴   
C: 正电荷
D: 负电荷
答案: 【 空穴   】

5、单选题：
‏题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。​
选项：
A: 夹断层
B: 反型层    
C: 导电层
D: 耗尽层
答案: 【 反型层    】

6、单选题：

‏题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。

‏

‏

‏选项：
A: 截止区
B: 深三极管区
C: 三极管区
D: 饱和区
答案: 【 饱和区】

7、单选题：

​题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。 

‍

​

‍选项：
A: 增大 
B: 不变
C: 减小
D: 可大可小
答案: 【 增大 】

8、单选题：
‎题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。​
选项：
A: 大
B: 小
C: 近似于W
D: 精确
答案: 【 大】

9、单选题：
‏题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。​​
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

10、单选题：

‏题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。

‌选项：
A: 体 
B: 衬偏 
C: 沟长调制
D: 亚阈值导通
答案: 【 沟长调制】

第二部分第二次测试

1、单选题：
‍题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。​
选项：
A: 栅极氧化层电容
B: 耗尽层电容
C: 源漏交叠电容
D: 结电容
答案: 【 栅极氧化层电容】

2、单选题：
​题2-2-2、工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。‏
选项：
A: 截止
B: 三极管   
C: 深三极管
D: 饱和
答案: 【 饱和】

3、单选题：
‏题2-2-3、 下列说法正确的是（ ）。‎
选项：
A: MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B: MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件