大学MOOC 模拟电子技术(泉州师范学院)1206684820 最新慕课完整章节测试答案

第1章 测验题

1、单选题：
‍本征半导体是原子排列（    ）的纯净半导体。​
选项：
A: 杂乱
B: 整齐
C: 无序
D: 定向
答案: 【 整齐】

2、单选题：
​N型半导体是在本征半导体中掺入（    ）。‌
选项：
A: 四价元素
B: 三价元素
C: 五价元素
D: 二价元素
答案: 【 五价元素】

3、单选题：
‏P型半导体是在本征半导体中掺入（    ）。‏
选项：
A: 四价元素
B: 三价元素
C: 五价元素
D: 二价元素
答案: 【 三价元素】

4、单选题：
‍PN结的单向导电性是指（    ）。‎
选项：
A: 外加电压只能有一个方向
B: 外加电压可以有两个方向
C: 与外加电压无关
D: 外加电压正偏时导通，外加电压反偏时截止
答案: 【 外加电压正偏时导通，外加电压反偏时截止】

5、单选题：
‍PN结正偏是指（   ）。‏
选项：
A: 外加电场与内电场方向相反
B: 外加电场与内电场方向相同
C: 无外电场
D: 外加电压为0
答案: 【 外加电场与内电场方向相反】

6、单选题：
‎PN结反偏是指（   ）。‎
选项：
A: 外加电场与内电场方向相反
B: 外加电场与内电场方向相同
C: 无外电场
D: 外加电压为0
答案: 【 外加电场与内电场方向相同】

7、单选题：
‌半导体器件的温度稳定性较差，主要是因为（    ）。​‌​‌​
选项：
A: 本征半导体中的自由电子-空穴对的数量受温度的影响 
B: N型半导体的自由电子数量受温度的影响
C: P型半导体的空穴数量受温度的影响
D: PN结的尺寸受温度的影响
答案: 【 本征半导体中的自由电子-空穴对的数量受温度的影响 】

8、单选题：
‍二极管在电路分析中常用的等效模型是（    ）。‎
选项：
A: 理想模型 
B: 恒压源模型 
C: 具有内阻的线性模型
D: 具有内阻的非线性模型
答案: 【 恒压源模型 】

9、单选题：
‍稳压二极管的主要参数是（    ）。‌
选项：
A: 只有稳定电压
B: 只有稳定电流
C: 稳压电压、稳定电流及额定功率三个主要参数
D: 只有额定功率
答案: 【 稳压电压、稳定电流及额定功率三个主要参数】

10、单选题：
​常用硅材料做半导体器件是因为（    ）。‌
选项：
A: 硅的原子序数比锗小 
B: 硅的导电性能比锗好
C: 硅的导电性能受温度影响比锗小
D: 硅二极管的导通电压比锗大
答案: 【 硅的导电性能受温度影响比锗小】

11、单选题：
‏晶体三极管由（    ）PN结组成。‍
选项：
A: 四个
B: 三个
C: 一个
D: 二个 
答案: 【 二个 】

12、单选题：
‎晶体三极管具有电流放大作用，主要是因为（    ）。‏
选项：
A: 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄
B: PN结的单向导电性
C: 集结反偏
D: 发射结正偏
答案: 【 发射区具有高掺杂的浓度且基区很薄】

13、单选题：
‌晶体三极管工作在电流放大状态时（    ）‎
选项：
A: 发射结正偏见，集电结正偏
B: 发射结正偏，集电结反偏
C: 发射结反偏，集结正偏
D: 发射结反偏，集电结反偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】

14、单选题：
‌NPN型晶体三极管工作在放大状态时，三个电极的电位关系是（    ）。‍
选项：
A: UC<UB<UE
B: UC>UB>UE
C: UB>UC>UE
D: UE>UC>UB
答案: 【 UC>UB>UE】

15、单选题：
‌PNP型晶体三极管工作在放大状态时，三个电极的电位关系是（    ）。‏
选项：
A: UC>UB>UE
B: UC<UB<UE 
C: UB>UC>UE 
D: UE>UC>UB
答案: 【 UC<UB<UE 】

16、单选题：
‍温度升高时，二极管的导通电压（    ）。‎
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 变化具有不确定性
答案: 【 减小】

17、单选题：
‍场效应管分为两大类（    ）。‍
选项：
A: N沟道型和P沟道型
B: NPN型和PNP型
C: 绝缘栅型和结型
D: 增强型和耗尽型
答案: 【 绝缘栅型和结型】

18、单选题：
‎绝缘栅型场效应管又称为MOS场效应管或简称为MOS管，由于结构上的不同又分（    ）。‎
选项：
A: N型和P型
B: NPN型和PNP型
C: 增强型和耗尽型
D: 绝缘栅型和结型
答案: 【 增强型和耗尽型】

19、单选题：
‍场效应管在外电场的作用下，沟道漏极端闭合时称为（    ）。‎
选项：
A: 夹断
B: 预夹断 
C: 截止
D: 饱和
答案: 【 预夹断 】

20、单选题：
‌晶体三极管工作在饱和状态时（    ）。​
选项：
A: 发射结正偏见，集电结正偏
B: 发射结正偏，集电结反偏
C: 发射结反偏，集结正偏
D: 发射结反偏，集电结反偏
答案: 【 发射结正偏见，集电结正偏】

21、判断题：
‏自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
‍空穴不是带电粒子。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

23、判断题：
‎杂质半导体的导电性能是不可以通过掺杂浓度而改变的。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

24、判断题：
‌本征半导体的自由电子-空穴对与温度无关。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

25、判断题：
‍在半导体中自由电子与空穴碰撞同时消失称为复合。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

26、判断题：
‍N型半导体中的多子是空穴。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

27、判断题：
‎P型半导体中的多子是空穴。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

28、判断题：
‎杂质半导体主要靠多子导电。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

29、判断题：
‍杂质半导体中其掺杂浓度远大于本征半导体的载流子浓度。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

30、判断题：
‍P型半导体带正电，N型半导体带负电。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

31、判断题：
‌PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

32、判断题：
‎在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

33、判断题：
‎PN结所加端电压与电流是符合欧姆定律的。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

34、判断题：
​稳压二极管是工作在反向击穿区的特殊二极管。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

35、判断题：
‍稳压二极管可以作一般二极管使用，但一般二极管不能作为稳压二极管使用。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

36、判断题：
‏稳压二极管可以作一般二极管使用，一般二极管也能作为稳压二极管使用。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

37、判断题：
二极管的工作频率有最大限制，是因为PN结具有电容特性。‏对‏‎‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

38、判断题：
‌稳压二极管电路不一定要接限流电阻。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

39、判断题：
‏三极管具有电流放大作用，二极管也具有电流放大作用。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

40、判断题：
‍晶体三极管的电流放大关系用数学式表达为:(IE=IB+IC)或近似为(IC=βIB)。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

41、判断题：
‎晶体三极管放大导通时发射结正偏，集电结反偏见；饱和导通时发射正偏见，集电也正偏。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

42、判断题：
‍结型场效应管和绝缘栅型场效应管都具有N沟道型和P沟道型，结型场效应管的N沟道与绝缘栅型场效应管的N沟道其沟道结构是相同的‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

43、判断题：
‏场效应三极管具有电流放大作用，所以场效应三极管在电路中也具有电压放大作用‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

44、判断题：
‎晶体三极管在模拟电路中应用较多，场效应三极管在数字电路中应用较多，这主要是因为晶体三极管的电压放大能力比场效应三极管的电压放大能力强，而场效应三极管的开关特性比晶体三极管的开关特性好。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

45、判断题：
​场应管在集成电路中应用较多，主要是因为场效应管功耗小、高频特性好、尺寸小。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

46、判断题：
‎MOS场效应三极管的栅极电流为0，结型场效应三极管的栅极电流不能视为0。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第2章 测验题

1、单选题：
‎放大的特征是（）。‍‎‍
选项：
A: 电压放大
B: 电流放大
C: 功率放大
D: 频率提高
答案: 【 功率放大】

2、单选题：
‏正弦量有几个要素（）。‍‏‍
选项：
A: 一个 
B: 二个
C:  三个
D: 四个
答案: 【  三个】

3、单选题：
​放大电路放大倍数的定义是输出量与输入量的比值，则有（）种放大倍数。‎
选项：
A: 一
B: 二
C: 三
D: 四
答案: 【 四】

4、单选题：
‌电压增益的单位是（）。‍
选项：
A: 伏特
B: 安培
C: 分贝
D: 无
答案: 【 分贝】

5、单选题：
‏阻容耦合放大电路中的耦合电容的作用是（）。‎
选项：
A: 扩大通频带 
B: 隔离直流
C: 隔离直流，通过交流
D: 通过交流
答案: 【 隔离直流，通过交流】

6、单选题：
‌共射放大电路的微变等效电路有(    )个H参数‍
选项：
A: 一
B: 二
C: 三
D: 四
答案: 【 四】

7、单选题：
​共射放大电路的H参数等效电路，其中(    )为电流放大倍数。‎
选项：
A: H11
B: H12
C: H21
D: H22
答案: 【 H21】

8、单选题：
‏分析放大电路静态工作点的稳定性时，主要考虑（    ）的影响。​
选项：
A: 电源电压
B:  偏置电阻
C: 负载电阻
D: 温度
答案: 【 温度】

9、单选题：
​典型的静态工作点稳定电路，起稳定作用的电阻是（     ）。‏
选项：
A: 基极电阻 
B: 发射极电阻
C: 集电极电阻
D:  输入电阻
答案: 【 发射极电阻】

10、单选题：
‍共射放大电路最主要的特点是（    ）。‍
选项：
A: 有电压放大
B: 有电流放大
C: 有功率放大
D: 可以同时放大电压和电流
答案: 【 可以同时放大电压和电流】

11、单选题：
​在三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻（    ）。​
选项：
A: 最大
B:  最小  
C: 一般大  
D: 无穷大
答案: 【 一般大  】

12、单选题：
‎在三种基本放大电路中，共集放大电路的输出电阻（    ）。‎
选项：
A: 最大
B:  最小
C:   一般大
D: 无穷大
答案: 【  最小】

13、单选题：
‎在三种基本放大电路中，共射放大电路的放大能力（    ）。‍
选项：
A: 最强
B: 最弱 
C: 一般
D: 无穷大
答案: 【 最强】

14、单选题：
‌在模拟电路中，应用最多的基本放大电路是（    ）。‍
选项：
A: 共基电路 
B: 共射电路
C: 共集电路
D: 共射电路和共集电路
答案: 【 共射电路和共集电路】

15、单选题：
‍基本放大电路带负载能力最强的是（    ）‏
选项：
A: 共射放大电路
B: 共集放大电路
C: 共基放大电路
D: 共射-共基放大电路
答案: 【 共集放大电路】

16、单选题：
‏基本放大电路中，高频特性最好的电路是（    ）。‏‏‏
选项：
A: 共射电路 
B: 共集电路
C: 共基电路
D: 共集-共射
答案: 【 共基电路】

17、单选题：
‏场效应管共源放大电路的特性最接近晶体三极管（      ）的特性。‌
选项：
A: 共射放大电路
B: 共集放大电路
C: 共基放大电路
D:  共集-共基放大电路
答案: 【 共射放大电路】

18、单选题：
‌场效应管放大电路与晶体三极管放大电路比较其最大的特点是（    ）。‏
选项：
A: 电压放大能力强
B: 电流放大能力强
C: 带负载能力强 
D: 输入电阻高
答案: 【 输入电阻高】

19、单选题：
‍两三极管复合成NPN三极管，则（     ）型。​
选项：
A: 两管都应是NPN型 
B: 前管一定是NPN型
C:  后管一定是NPN型
D: 后管一定是PNP型
答案: 【 前管一定是NPN型】

20、单选题：
​两三极管复合成PNP三极管，则（     ）型。​​
选项：
A: 两管都应是PNP型 
B: 前管一定是PNP型 
C: 后管一定是PNP型 
D: 后管一定是NPN型
答案: 【 前管一定是PNP型 】

21、判断题：
‎1、放大的基本要求是输出信号不失真。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
​一般放大电路和功率放大电路的特征是相同的，所以一般放大电路和功率放大电路没有区别。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

23、判断题：
‏放大电路的输出电阻就是负载电阻。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

24、判断题：
‍正弦量的三要素是振幅、频率(或角频率)、初相位。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

25、判断题：
​对放大信号而言，任何放大电路均可视为二端口网络​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

26、判断题：
‏分析放大电路常常要计算的是电压放大倍数、输出电阻及输入电阻。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

27、判断题：
‍放大电路的输入电阻与信号源的内阻有关。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

28、判断题：
‍放大电路的输出电阻与负载电阻有关。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

29、判断题：
‏放大电路的输出电阻一定与信号源的内阻有关。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

30、判断题：
‏衡量放大电路对不同信号频率的适用能力的参数称为通频带。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

31、判断题：
‏当输入电压增大使输出波形刚刚产生失真时的输出电压称为最大不失真输出电压。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

32、判断题：
‎放大电路直流电源的作用是使放大电路有合适的静态工作点。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

33、判断题：
‎放大电路有合适的静态工作点就一定能放大输入信号。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

34、判断题：
‏直流通路用来分析直流信号的放大，交流通路用来分析交流信号的放大。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

35、判断题：
​在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态”的原则。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

36、判断题：
‎分析放大电路的方法有图解法和等效电路法，前者适合分析直流信号，后者适合分析交流信号。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

37、判断题：
‎交流等效电路(即微变等效电路)适合分析放大电路的动态参数如电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

38、判断题：
‍所谓微变等效电路就是用来分析输入电压为微伏量级的电路。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

39、判断题：
‍三极管的伏安特性是线性的，所以放大电路可等效为线性电路。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

40、判断题：
‏共射放大电路的输出电阻一般都很小。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

41、判断题：
​共集放大电路的输入电阻与负载电阻有关，输出电阻与信号源的内阻有关。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

42、判断题：
​共集放大电路没有电压放大能力。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

43、判断题：
‏共基放大电路没有电流放大能力。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

44、判断题：
‎一般来说场效应管放大电路的放大功能比晶体三极管放大电路的放大功能强。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

45、判断题：
​复合管的特点是提高了电流放大能力。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

46、判断题：
‍场效应三极管不能组成复合管。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第3章 测验题

1、单选题：
‌在分立元件的多级放大电路中，常见的耦合方式为（    ）。‎
选项：
A: 直接耦合
B: 阻容耦合
C: 变压器耦合
D: 光电耦合
答案: 【 阻容耦合】

2、单选题：
​在集成运算放大电路中，级与级之间采用（    ）。‌
选项：
A: 直接耦合
B: 阻容耦合
C: 变压器耦合
D: 光电耦合
答案: 【 直接耦合】

3、单选题：
‌直接耦合放大电路的特殊问题是（    ）。‌
选项：
A: 不能放大直流信号
B: 不能放大交流信号
C: 零点漂移
D: 共模拟制比小
答案: 【&nbsp