W1-3半导体中杂质和缺陷能级

W1-测试

1、单选题:
室温下,Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为()埃。‏‍‏
选项:
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2

2、单选题:
室温下Ge晶体的导带底由()个旋转椭球构成。‍
选项:
A: 2
B: 4
C: 6
D: 8
答案: 【 4

3、单选题:
Si晶体的第一布里渊区是个()体。‎
选项:
A: 立方体
B: 正菱形12面体
C: 截角8面体
D: 球体
答案: 【 截角8面体

4、单选题:
费米-狄拉克分布函数预测:远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于()‍‍‍
选项:
A: 0
B: 0.5
C: 1
D: 无穷大
答案: 【 1

5、单选题:

哪支能带的极值对应的电子有效质量最大?

‌选项:
A: 1
B: 2
C: 3
D: 无法判断
答案: 【 3

6、单选题:
空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为(),电荷为()。‎​‎
选项:
A: 正,负
B: 正,正
C: 负,正
D: 负,负
答案: 【 正,正

7、单选题:
Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中,其横向有效质量()纵向有效质量。‏‌‏
选项:
A: =
B: >
C: <
D: 无法确定大小关系
答案: 【 <

8、单选题:
随温度升高,Si的禁带宽度()​‍​
选项:
A: 不变
B: 增加
C: 减小
D: 不清楚
答案: 【 减小

9、单选题:
Ga替位掺入Ge中,其将成为()。‏‎‏
选项:
A: 施主
B: 受主
C: 两性杂质
D: 中性杂质
答案: 【 受主

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