大学MOOC 电力电子技术(山东工商学院)1450292583 最新慕课完整章节测试答案
第1章 电力电子器件
第1次测试（绪论与第1章）
1、单选题：
什么是电力电子技术？
选项：
A: 用于电力领域的电子技术，即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
B: 用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。
C: 用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。
D: 电力电子技术的简称就是电子技术。
答案: 【 用于电力领域的电子技术，即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。】
2、单选题：
电力变换通常包括哪几类？
选项：
A: AC/DC和DC/AC两大类。
B: AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
C: AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
D: DC/AC、DC/DC、AC/AC三大类。
答案: 【 AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。】
3、单选题：
对电力电子器件描述正确的是：
选项：
A: 电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
B: 电力电子器件是电子器件的总称。
C: 电力电子器件可用于电子系统中，实现电能的变换或控制的器件。
D: 电力电子器件不能直接用于主电路中，只是实现电能的变换或控制的电子器件。
答案: 【 电力电子器件可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。】
4、单选题：
电力电子器件同处理信息的电子器件相比，下面描述正确的是：
选项：
A: 电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
B: 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。
C: 电力电子器件一般都工作在开通状态。
D: 电力电子器件一般都工作在关断状态。
答案: 【 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。】
5、单选题：
下面对电力二极管描述正确的是哪个？
选项：
A: 电力二极管正向导通后，其正向压降为0V。
B: 电力二极管加反向电压就会被击穿。
C: 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。
D: 电力二极管加正向电压后其正向压降为0.7V。
答案: 【 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。】
6、单选题：
电力二极管的额定电流指的是：
选项：
A: 允许流过最大电流的平均值。
B: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
C: 允许流过最大方波电流的平均值。
D: 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。】
7、单选题：
如下对晶闸管的半导体结构描述正确的是：
选项：
A: 晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B: 晶闸管具有PN或NP这两层半导体结构。
C: 晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
D: 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。
答案: 【 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。】
8、单选题：
如下所述，晶闸管是如何导通的：
选项：
A: 在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压，只要门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
B: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
C: 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
D: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极也加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
答案: 【 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。】
9、单选题：
如下所述，晶闸管门极的控制作用，表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
B: 晶闸管导通后，门极一旦无电流，则晶闸管就立即关断。
C: 晶闸管导通后，门极一旦加反向电压，则晶闸管就立即关断。
D: 晶闸管导通后，门极与阴极短路，则晶闸管就立即关断。
答案: 【 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。】
10、单选题：
已经导通的晶闸管是如何关断的？
选项：
A: 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到1A以下。
B: 要使晶闸管关断，只能在晶闸管两端加反向电压。
C: 要使晶闸管关断，只能要求晶闸管门极电流等于0。
D: 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。
答案: 【 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。】
11、单选题：
如下所述，晶闸管正向特性表述正确的是：
选项：
A: 随着门极电流幅值的不断增大，正向转折电压随之增大。
B: 只要门极电流幅值大于1mA，晶闸管承受正向电压时就导通。
C: 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。
D: 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压随之上升。
答案: 【 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。】
12、单选题：
如下所述，晶闸管反向特性表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管加反向电压时，只要门极电流幅值较大，则晶闸管反向导通。
B: 反向特性类似于二极管的反向特性。
C: 晶闸管加反向电压时，只要门极也加反向电压，则晶闸管反向导通。
D: 晶闸管不允许加反向电压，如果加反向电压，立刻击穿。
答案: 【 反向特性类似于二极管的反向特性。】
13、单选题：
如下所述，晶闸管开通与关断表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管开通与关断过程都是即时完成的。
B: 晶闸管关断是即时完成的，开通需要一定时间的。
C: 晶闸管开通是即时完成的，关断需要一定时间的。
D: 晶闸管开通与关断都需要一定时间。
答案: 【 晶闸管开通与关断都需要一定时间。】
14、单选题：
对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个？
选项：
A: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
B: 允许流过最大方波电流的平均值。
C: 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
D: 允许流过最大电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。】
15、单选题：
如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：
选项：
A: 门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B: 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C: 门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D: 门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。
答案: 【 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。】
16、单选题：
如下所述，GTO能够通过门极关断吗？
选项：
A: GTO能够（或可以）通过门极关断。
B: 只要门极关断功率足够大，GTO和SCR都能够通过门极关断。
C: GTO不能够通过门极关断。
D: GTO能够通过门极关断，但门极与阴极间不能加反向电压。
答案: 【 GTO能够（或可以）通过门极关断。】
17、单选题：
如下所述，GTR典型输出特性分为：
选项：
A: 典型输出特性分为三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B: 典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C: 典型输出特性分为三个区：截止区、线性区和非饱和区。
D: 典型输出特性分为三个区：截止区、非线性区和饱和区。
答案: 【 典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。】
18、单选题：
有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：
选项：
A: 虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B: GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C: GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
D: GTR的安全工作区是矩形的。
答案: 【 GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。】
19、单选题：
电力MOSFET导通表述正确的是：
选项：
A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间存在导电沟道。
B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型的电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间不能导通。
D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。
答案: 【 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。】
20、单选题：
MOSFET的输出特性分为：
选项：
A: MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。
B: MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。
C: MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。
D: MOSFET的输出特性分为三个区：截止区、非饱和区以及放大区。
答案: 【 MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。】
21、单选题：
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？
选项：
A: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。
D: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
答案: 【 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。】
22、单选题：
如下关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：
选项：
A: MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B: MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C: MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。
D: MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。
答案: 【 MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。】
23、单选题：
关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
选项：
A: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。
B: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET更快。
C: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其驱动电流很大。
D: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。
答案: 【 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度通常比GTR更快。】
24、单选题：
如下所述，关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是：
选项：
A: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区与GTR是一样的。
B: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。
C: 相同电压和电流定额时，IGBT的安全工作区比GTR更窄。
D: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR稍窄，但几乎相同。
答案: 【 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。】
25、单选题：
如下所述，有关新型半导体器件，表述正确的是：
选项：
A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。
B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。
C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
答案: 【 集成门极换流晶闸管简称IGCT。】
26、单选题：
有关功率集成电路，下面哪个表述是正确的？
选项：
A: 功率半控器件的驱动集成电路称为功率集成电路。
B: 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路封装在一起，称为功率集成电路。
C: 功率自关断器件称为功率集成电路。
D: 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。
答案: 【 将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路。】
27、单选题：
如下有关电力电子器件驱动，表述正确的是：
选项：
A: 电流驱动型的电力电子器件具有输入阻抗很高的特点。
B: 电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。
C: 电流驱动型和电压驱动型电力电子器件都具有输入阻抗高的特点。
D: 电流驱动型和电压驱动型电力电子器件输入阻抗相同。
答案: 【 电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。】
28、单选题：
电力电子器件类型可按如下哪种分类？
选项：
A: 电力电子器件可分为二极管型、双极型和复合型三类。
B: 电力电子器件可分为双极型和复合型两类。
C: 电力电子器件可分为二极管型、单极型、双极型和复合型四类。
D: 电力电子器件可分为单极型、双极型和复合型三类。
答案: 【 电力电子器件可分为单极型、双极型和复合型三类。】
29、判断题：
信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
30、判断题：
按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
31、判断题：
二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
32、判断题：
电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
33、判断题：
三极管共基极电流放大倍数为集电极电流与发射极电流之比。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
34、判断题：
如果晶闸管原来是阻断的，即使有外加正向阳极电压，但如果无触发电流IG,则晶闸管仍然是阻断的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
35、判断题：
晶闸管反向阻断状态时，如果有触发电流IG，则晶闸管反向导通。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
36、判断题：
晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
37、判断题：
GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引