大学MOOC 模拟电路(杭州师范大学)1450754170 最新慕课完整章节测试答案

PN结与半导体二极管单元测试

1、单选题：
‌P型半导体中，少数载流子是：‌
选项：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 带负电的杂质离子
D: 带正电的杂质离子
答案: 【 自由电子】

2、单选题：
​在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：‌
选项：
A: 本征半导体
B: 五价半导体
C: P型半导体
D: N型半导体
答案: 【 N型半导体】

3、单选题：
​稳压管是利用PN结的（   ）特性制作而成的。‌
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿性
C: 正向特性
D: 稳压特性
答案: 【 反向击穿性】

4、单选题：
‌在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。‌‌（A、温度，   B、掺杂工艺，  C、杂质浓度）‌‌‌‌‌
选项：
A: AB
B: BC
C: CA
D: CB
答案: 【 CA】

5、判断题：
‏如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‏由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‏PN结正偏时，势垒电容是主要的。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‏当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第1单元随堂测试：半导体导电机理

1、单选题：
在本征半导体中，空穴浓度____电子浓度？​A、大于，   B、小于 ，  C、等于，  D、不确定​‍​
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 C】

2、单选题：
试判断当温度升高时，关于本征半导体中载流子的变化的几种说法是否正确。‌（1）自由电子个数增加，空穴个数基本不变；‌（2）自由电子个数基本不变，空穴个数基本增加；‌（1）自由电子和空穴的个数都增加，且它们增加的数量相等；‌（1）自由电子和空穴的个数都基本不变。‌‌‌
选项：
A: （1）对（2）错（3）错（4）错
B: （1）错（2）对（3）错（4）错
C: （1）错（2）错（3）对（4）错
D: （1）错（2）错（3）错（4）对
答案: 【 （1）错（2）错（3）对（4）错】

3、单选题：
N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。‎A、带负电的电子，       B、带正电的离子，  ‎C、三价元素，如硼等 ，  D、五价元素，如磷等‎‏‎
选项：
A: AB
B: BC
C: CD
D: DC
答案: 【 DC】

4、单选题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。‌A、温度，   B、掺杂工艺，  C、杂质浓度‌‏‌
选项：
A: AB
B: AC
C: AD
D: CA
答案: 【 CA】

第2单元随堂测试：PN结及其特性

1、单选题：
当PN结外加正向电压时，扩散电流    漂移电流，耗尽层    ；当PN结外加反向电压时，扩散电流    漂移电流，耗尽层    。‍A、大于，  B、小于，  C、等于，   D、变宽，  E、变窄，  F、不变‍​‍
选项：
A: ABEF
B: ADCF
C: AEBD
D: AFCE
答案: 【 AEBD】

2、判断题：
​PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

3、判断题：
‏PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第3单元随堂测试：二极管的伏安特性和主要参数

1、单选题：
在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。‍A、增大 ，        B、减小，     C、不变‍‌‍
选项：
A: AB
B: AC
C: BC
D: CA
答案: 【 AB】

2、单选题：

在如图所示的电路中，当V＝6V时，测得I＝2mA，。则当V降至3V时，则I将为____。

‏

‏

A、小于1mA ，    B、1mA，   C、大于1mA，但小于2mA ，   D、2mA

‏

‏选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 A】

第5单元随堂测试：二极管基本电路

1、单选题：

设VD1、VD2的正向压降为0.3V，试分析在某种U1=3V、U2=0V组态下，VD1、VD2是导通还是截止，并求UO的值。

​

​

​

​

​选项：
A: VD1导通，VD2导通，Uo=0.3V
B: VD1导通，VD2截止，Uo=0.3V
C: VD1截止，VD2导通，Uo=0.3V
D: VD1截止，VD2截止，Uo=3.3V
答案: 【 VD1截止，VD2导通，Uo=0.3V】

2、判断题：

已知电路和输入电压的波形如图所示：

‍

‍

设二极管特性为理想的，请问下图的输出电压波形正确吗？

‍

‍

‌

‍选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第6单元随堂测试：稳压二极管

1、单选题：

已知电路中稳压管VDZ1和VDZ2的稳定电压分别为6V和9V，求电压UO的值。

‏

‏

‏

‏选项：
A: （a）Uo=3V（b）Uo=3V
B: （a）Uo=3V（b）Uo=0V
C: （a）Uo=0V（b）Uo=3V
D: （a）Uo=0V（b）Uo=0V
答案: 【 （a）Uo=0V（b）Uo=3V】

场效应管及其放大电路（1）单元测试

1、单选题：
‎某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：‏
选项：
A: N沟道结型管
B: P沟道结型管
C: 耗尽型PMOS管
D: 耗尽型NMOS管
E: 增强型PMOS管
F: 增强型NMOS管
答案: 【 耗尽型PMOS管】

2、单选题：

下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：

‍

‍

‏

‍选项：
A: (b)
B: （a)
C: (c)
D: (d)
答案: 【 (c)】

3、单选题：

图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会：

‎

‎

‎

‎选项：
A: 减小
B: 增大
C: 不变
D: 不定
答案: 【 减小】

4、单选题：

某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？

​

​

‎

​选项：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOS管
D: N沟道增强型MOS管
答案: 【 N沟道JFET】

5、单选题：

由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：

‎

‎

​

‎选项：
A: 静态工作点过于靠近截止区
B: 静态工作点过于靠近饱和区
C: 静态工作点过于靠近恒流区
D: 静态工作点过于靠近击穿区
答案: 【 静态工作点过于靠近截止区】

6、单选题：

如图两个电路能否放大输入信号？

‌

‌

‏

‌选项：
A: （a）不可以 （b）不可以
B: （a）可以 （b）可以
C: （a）可以 （b）不可以
D: （a）不可以 （b）可以
答案: 【 （a）不可以 （b）不可以】

7、单选题：
‎共源放大电路的输入电阻通常____（A、大于，   B、小于， C、等于）共射放大电路的输入电阻，因此共源放大电路从信号源索取的电流比较____（A、大，   B、小，C、适中）。‍‎‍
选项：
A: AA
B: AB
C: AC
D: BA
E: BB
F: BC
G: CA
H: CB
I: CC
J: 均不正确
答案: 【 AB】

第1单元随堂测试：结型场效应管的工作原理

1、单选题：
‍场效应管属于____（A、电压，   B、电流）控制型元件，栅极的____（A、电压，       B、电流）几乎等于零。‏‍‏
选项：
A: AA
B: BB
C: AB
D: BA
答案: 【 AB】

2、判断题：

一个JFET的转移特性曲线如图所示，则它是N沟道JFET。

​

​

​

​选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

第3单元随堂测试：场效应管的参数

1、判断题：

‏场效应管的跨导＝/

‌选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第4单元随堂测试：场效应管放大电路基础

1、单选题：
‌某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V时，输出电压为 2V；输入电压为 0.1V时，输出电压为 9V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为________________。‍‌A、90，       B、－35，       C、35 ，       D、30 ，      E、20‍‌‍
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 B】

2、单选题：
‏放大电路中的静态分量是指__________，动态分量是指____。‏‏A、直流电源所提供的电压、电流 ，&nbsp